一种无电源的隔离驱动应用电路制造技术

技术编号:24148353 阅读:32 留言:0更新日期:2020-05-13 20:51
本实用新型专利技术公开了一种无电源的隔离驱动应用电路,属于开关控制技术领域,一种无电源的隔离驱动应用电路,包括高电平脉宽调制和低电平脉宽调制,高电平脉宽调制与低电平脉宽调制电性连接有隔离驱动器,隔离驱动器的NC端和CA端之间电性连接有发光二极管,隔离驱动器的Vee端和Vout端之间电性连接有关断电路,关断电路并联有二极管组,隔离驱动器的Vee和Vout端电性连接有三极管,三极管并联有二极管,三极管一端电性连接有动力电源,三极管和动力电源之间电性连接有动力负载,可以实现对高压低电流IGBT/MOS进行简易的开关控制时,应用电路参数少,易于调试、设计,从而降低工耗、节省应用成本、减少空间要求。

An isolated driving application circuit without power supply

【技术实现步骤摘要】
一种无电源的隔离驱动应用电路
本技术涉及开关控制
,更具体地说,涉及一种无电源的隔离驱动应用电路。
技术介绍
常用的IGBT/MOS隔离驱动电路,主要包括限流电阻第一输入电阻和第二输入电阻,隔离驱动器,二极管2Ron开通回路(电阻),Roff关断电阻,二极管有源钳位电路,Z1钳位电路,C1门极滤波电路,其他电路、隔离驱动电源VCC_15V和VEE_-5V及其相关二极管C-二极管C控制电路,其具体功能如下:第一输入电阻第二输入电阻:限制隔离驱动器的输入电流;隔离驱动器:实现低压控制侧和高压功率侧的隔离并提供足够输出能力的驱动信号;二极管2Ron开通回路(电阻),Roff关断电阻:决定IGBT/MOS的门极开通、关断快慢的门极回路;二极管有源钳位电路,Z1钳位电路:防止IGBT/MOS门极电压出现失控、超限情况,保证IGBT门极电压在合适的要求范围内;C1门极滤波电路:给IGBT/MOS门极驱动信号进行滤波,提升抗干扰等能力;其他电路:其他意义上的保护IGBT/MOS的一般性应用电路;隔离驱动电源VCC_15V和VEE_-5V及其相关二极管C-二极管C控制电路:为IGBT/MOS门极驱动提供足够驱动能力的电源装置,往往需要二极管C-二极管C控制电路,开关MOS、变压器、整流电路和储能电路等。现有的常用高压隔离驱动电路,对高压低电流IGBT/MOS进行简单的开关控制过程中,存在一些缺陷和问题,具体归纳如下:应用复杂:对高压低电流IGBT/MOS进行简单的开关控制,需要IGBT/MOS的门极驱动器、搭配各类驱动辅助电路和隔离驱动电源及相关的控制电路,整个电路结构复杂,设计难度比较高,并且还容易因为一些应用参数设置不当导致应用问题,可靠性要求很高;隔离驱动电源要求特殊:需要提供足够的隔离强度,隔离强度不够往往导致高、低压两侧发生安全事故,给系统带来风险;必须提供足够的驱动能力和一些必要的电源保护措施;安装空间问题:由于驱动IGBT/MOS涉及到的电子电路较多,强电、弱电需要隔离布线,隔离驱动电源中的变压器体积大及其辅助电路多,整个PCB板子大,需要足够的安装空间,不利于小型化;成本问题:隔离驱动电源的制作工艺要求高,成本比较高昂。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的问题,本技术的目的在于提供一种无电源的隔离驱动应用电路,它可以实现对高压低电流IGBT/MOS进行简易的开关控制时,应用电路参数少,易于调试、设计,从而降低工耗、节省应用成本、减少空间要求。2.技术方案为解决上述问题,本技术采用如下的技术方案。一种无电源的隔离驱动应用电路,包括高电平脉宽调制和低电平脉宽调制,所述高电平脉宽调制与低电平脉宽调制电性连接有隔离驱动器,所述隔离驱动器的NC端和CA端之间电性连接有发光二极管,所述隔离驱动器的Vee端和Vout端之间电性连接有关断电路,所述关断电路并联有二极管组,所述隔离驱动器的Vee和Vout端电性连接有三极管,所述三极管并联有二极管,所述三极管一端电性连接有动力电源,所述三极管和动力电源之间电性连接有动力负载,可以实现对高压低电流IGBT/MOS进行简易的开关控制时,应用电路参数少,易于调试、设计,从而降低工耗、节省应用成本、减少空间要求。进一步的,所述隔离驱动器可替换为由若干隔离驱动器组成的串联件,可以保证各个隔离驱动器在同一个时刻同时发光,副边隔离驱动器的输出同步性更好,更有利于并联应用,给高压低电流IGBT/MOS门极提供更多的驱动电流,开关速度会有一定的提升,控制更容易。进一步的,所述高电平脉宽调制和隔离驱动器之间电性连接有第一输入电阻,所述低电平脉宽调制和隔离驱动器之间电性连接有第二输入电阻,限制隔离驱动器的输入电流,对隔离驱动器进行调控和保护。进一步的,所述隔离驱动器包括AN、NC、CA、Vcc、Vout和Vee端,从而隔离驱动器可以实现低压控制侧和高压功率侧的隔离并提供足够输出能力的驱动信号。进一步的,所述二极管组由若干二极管串联组成,具有降压作用,能调控电路的稳压值的大小,对隔离驱动器进行保护作用。3.有益效果相比于现有技术,本技术的优点在于:(1)本方案可以实现对高压低电流IGBT/MOS进行简易的开关控制时,应用电路参数少,易于调试、设计,从而降低工耗、节省应用成本、减少空间要求。(2)隔离驱动器可替换为由若干隔离驱动器组成的串联件,可以保证各个隔离驱动器在同一个时刻同时发光,副边隔离驱动器的输出同步性更好,更有利于并联应用,给高压低电流IGBT/MOS门极提供更多的驱动电流,开关速度会有一定的提升,控制更容易。(3)高电平脉宽调制和隔离驱动器之间电性连接有第一输入电阻,低电平脉宽调制和隔离驱动器之间电性连接有第二输入电阻,限制隔离驱动器的输入电流,对隔离驱动器进行调控和保护。(4)隔离驱动器包括AN、NC、CA、Vcc、Vout和Vee端,从而隔离驱动器可以实现低压控制侧和高压功率侧的隔离并提供足够输出能力的驱动信号。(5)二极管组由若干二极管串联组成,具有降压作用,能调控电路的稳压值的大小,对隔离驱动器进行保护作用。附图说明图1为本技术的电路结构示意图;图2为本技术串联式的电路示意图。图中标号说明:1高电平脉宽调制、2第一输入电阻、3低电平脉宽调制、4第二输入电阻、5隔离驱动器、6发光二极管、7关断电路、8三极管、9二极管、10动力电源、11动力负载、12二极管组。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述;显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1:请参阅图1-2,一种无电源的隔离驱动应用电路,包括高电平脉宽调制1和低电平脉宽调制3,高电平脉宽调制1与低电平脉宽调制3电性连接有隔离驱动本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种无电源的隔离驱动应用电路,包括高电平脉宽调制(1)和低电平脉宽调制(3),其特征在于:所述高电平脉宽调制(1)与低电平脉宽调制(3)电性连接有隔离驱动器(5),所述隔离驱动器(5)的NC端和CA端之间电性连接有发光二极管(6),所述隔离驱动器(5)的Vee端和Vout端之间电性连接有关断电路(7),所述关断电路(7)并联有二极管组(12),所述隔离驱动器(5)的Vee和Vout端电性连接有三极管(8),所述三极管(8)并联有二极管(9),所述三极管(8)一端电性连接有动力电源(10),所述三极管(8)和动力电源(10)之间电性连接有动力负载(11)。/n

【技术特征摘要】
1.一种无电源的隔离驱动应用电路,包括高电平脉宽调制(1)和低电平脉宽调制(3),其特征在于:所述高电平脉宽调制(1)与低电平脉宽调制(3)电性连接有隔离驱动器(5),所述隔离驱动器(5)的NC端和CA端之间电性连接有发光二极管(6),所述隔离驱动器(5)的Vee端和Vout端之间电性连接有关断电路(7),所述关断电路(7)并联有二极管组(12),所述隔离驱动器(5)的Vee和Vout端电性连接有三极管(8),所述三极管(8)并联有二极管(9),所述三极管(8)一端电性连接有动力电源(10),所述三极管(8)和动力电源(10)之间电性连接有动力负载(11)。


2.根据权利要求1所述的一种无电源的隔...

【专利技术属性】
技术研发人员:夏军
申请(专利权)人:深圳市新蕾电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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