电子保护开关及其运行方法技术

本发明专利技术涉及一种电子保护开关(2)，其具有接入电压输入端(4)与负载输出端(6)之间的电流路径(3)中的第一半导体开关(Q3)，并且具有与第一半导体开关(Q3)的控制输入端(8)连接的控制设备(10)，其中，第一半导体开关(Q3)依赖于输送给控制设备(10)的负载电流(I

Electronic protection switch and its operation method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子保护开关及其运行方法
本专利技术涉及一种电子保护开关及其运行方法。
技术介绍
限制电流的电子保护开关典型地具有MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为半导体开关，即具有可变电阻的元件，以便在发生故障(例如短路或过载)时使得流过消耗器的电流(消耗电流)保持恒定。在此，尤其地，MOSFET与较快接入的电流限制电路耦合，以便实现恒定电流源。尤其地，电流限制电路将下文又称为消耗电流的负载电流、尤其是其电流强度与预定的额定值进行比较，并相应地改变MOSFET的栅极电压，以便使通过电流、尤其是消耗电流保持恒定。典型地，消耗电流的电流强度小于预定的额定值。基于此，栅极电压增大，从而使得MOSFET饱和。在发生故障时，借助电流限制电路限制消耗电流。例如，图1示出了根据该现有技术的消耗电流的时间变化曲线，其中，在时刻t＝0时发生短路。在此，用Id标记消耗电流/负载电流。在此，尤其是由于电流限制电路的结构类型所导致地，在尤其是负载中开始发生故障到输出开关信号或控制信号之间经过有限的(反应)时间。开始发生故障时，这种延迟作为消耗电流中的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电子保护开关(2)，所述电子保护开关具有：/n-第一半导体开关(Q3)，所述第一半导体开关接入电压输入端(4)与负载输出端(6)之间的电流路径(3)中；以及/n-与所述第一半导体开关(Q3)的控制输入端(8)连接的控制设备(10)，/n-其中，所述第一半导体开关(Q3)依赖于输送给所述控制设备(10)的负载电流(I

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170927 DE 102017217232.01.电子保护开关(2)，所述电子保护开关具有：
-第一半导体开关(Q3)，所述第一半导体开关接入电压输入端(4)与负载输出端(6)之间的电流路径(3)中；以及
-与所述第一半导体开关(Q3)的控制输入端(8)连接的控制设备(10)，
-其中，所述第一半导体开关(Q3)依赖于输送给所述控制设备(10)的负载电流(I负载)的实际值(I实际)来驱控，并且
-其中，所述控制设备(10)被设立成用于对所述第一半导体开关(Q3)的电流限制以及切断。


2.根据权利要求1所述的电子保护开关(2)，其中，所述控制设备(10)具有控制单元(μC)。


3.根据权利要求1或2所述的电子保护开关(2)，其中，当所述实际值(I实际)超过最大值(I短路)时，所述控制设备(10)或所述控制单元(μC)向电流限制电路(14)和/或切断电路(12)产生信号(“关”)、尤其是切断信号，用于切断所述第一半导体开关(Q3)。


4.根据权利要求3所述的电子保护开关(2)，其中，在输入侧向所述电流限制电路(14)输送所述实际值(I实际)和尤其是由所述控制单元(μC)输送的标称额定值(I设定,最大)。


5.根据权利要求4所述的电子保护开关(2)，其中，所述第一半导体开关(Q3)依赖于所述实际值(I实际)和所述标称额定值(I设定,最大)以限制电流的方式被驱控或处于受驱控中。


6.根据权利要求4或5所述的电子保护开关(2)，其中，所述电流限制电路(14)具有调设环节(22)，在输入侧向所述调设环节输送所述标称额定值(I设定,最大)，并且在输出侧从所述调设环节输出额定值(I设定)。


7.根据权利要求6所述的电子保护开关(2)，其中，所述调设环节(22)具有电容器(C2)，所述电容器借助开关(S1)与所述控制单元(μC)耦合或借助所述开关(S1)放电。


8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：迭戈·费尔南多·阿桑萨马尔多纳多，
申请(专利权)人：埃伦贝格尔及珀恩斯根有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE