光致变装置制造方法及图纸

一种技术包含：在第一导体图案上形成绝缘体；图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案于所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；在所述一或多个穿孔区域中生成较平坦的形貌轮廓，而让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；在所述第二导体图案上形成半导体(24)，用于所述第二导体图案与所述半导体间的电荷载子传输；及在所述半导体上沉积第三导体(26)，用于所述第三导体(26)与所述半导体(24)间的电荷载子传输。

Photorefractive device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光致变装置
光致变装置包含包括用于例如光学传感器应用的一光致变半导体的装置。
技术介绍
一光致变装置典型包括一光致变半导体夹设在两个电极之间，用于在所述半导体与所述两个电极之间的电荷载子传输，其中光致变半导体的曝光引发半导体内产生电荷载子、且在所述两个电极之间产生电位差。一光学传感器装置可包含一光致变半导体夹设在一像素电极阵列与一共用电极之间，其中在数个像素电极处的一组电气响应提供入射在半导体上的光图案的表示。用以处理所述像素电极处的电气响应的电路可包含所述像素电极阵列的下且透过一或多个绝缘层中的通孔连接到所述像素电极的电路。本案的专利技术人已发现以下挑战：促使缩短光致变装置中像素与共用电极间的间隔，而不会增加所述像素与共用电极间的电气短路风险，及/或不会提升反向偏压下较高泄漏电流的风险，这些风险的状况可能降低一光检测器装置的灵敏度。
技术实现思路
因此，本文提供一种方法，包含以下步骤：在第一导体图案上形成绝缘体；图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案于所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；于所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，而让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。根据一实施例，所述方法包含：在所述第二导体图案上形成第一电荷注入层；在所述第一电荷注入层上形成所述半导体；及在所述半导体上形成第二电荷注入层。根据一实施例，在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：借由非共形(non-conformal)沉积技术以填塞层覆盖所述第二导体图案；辐射式地改变所述填塞层在选定区域的第一溶剂中的可溶性，以于所述填塞层中生成可溶性图案；及接着使用所述第一溶剂使所述可溶性图案显影，以在所述填塞层中形成实体图案。根据一实施例，图案化所述绝缘体的步骤包含使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光，且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低材料的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的负型辐射影像曝光。根据一实施例，图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光，且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含使所述填塞层在降低所述填塞层的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的修改的负型辐射影像曝光，其中所述所欲绝缘体图案的修改包含增大直径的穿孔区域。根据一实施例，在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：借由非共形沉积技术以填塞层覆盖所述第二导体图案；及使所述填塞层暴露于蚀刻处理，此蚀刻处理以较蚀刻所述第二导体图案为快的速率来蚀刻所述填塞层。根据一实施例，在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：以填塞层覆盖所述第二导体图案；在所述填塞层上形成图案化蚀刻屏蔽；及透过所述图案化蚀刻屏蔽来蚀刻所述填塞层。根据一实施例，所述填塞层包含绝缘材料。根据一实施例，所述绝缘体亦包含所述绝缘材料。同样地，本文提供一种装置，其包含：位在第一导体图案上的绝缘体图案，其中所述绝缘体图案在一或多个穿孔区域中暴露出第一导体图案；位在所述绝缘体图案上的第二导体图案，其中此第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；位在所述第二导体图案上且在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌表面轮廓的填塞图案，其让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；位在所述填塞图案上且在所述第二导体图案上的半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及位在所述半导体上的第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。根据一实施例，所述填塞图案包含绝缘材料。根据一实施例，所述绝缘体亦包含所述绝缘材料。根据一实施例，所述装置包含所述第一及第二导体图案之间的一或多个另外导体图案。根据一实施例，所述装置包含所述第一导体图案与所述绝缘体图案之间的一或多个另外导体图案。根据一实施例，所述第一导体图案形成界定晶体管阵列的层体堆叠的部分。附图说明本专利技术的实施例在下文以例示方式参照附图详细描述，其中：图1a至图1d绘示根据本专利技术的实施例的由三个范例程序共用的程序步骤；图2绘示根据本专利技术的一实施例的第一范例程序的多个步骤；图3绘示根据本专利技术的一实施例的第二范例程序的多个步骤；图4绘示根据本专利技术的一实施例的第三范例程序的多个步骤；及图5显示在图4a中所示的阶段的一中间产品的范例的SEM影像。具体实施方式参照图1a至图1d，根据本专利技术的实施例的三个程序范例始于一基体，其包括用以电气接触在一较高位阶的一导体图案的至少一第一导体图案。如以下更详细的描述，所述基体可包括例如一可挠塑料支撑膜，其支撑界定TFT阵列的一层体堆叠且包括第一导体图案4。为简明起见，附图仅显示第一导体图案4，而无第一导体图案4可形成部分的所述堆叠中的任何其他层体/组件。电气绝缘体材料6接着借由一非共形沉积技术而沉积在基体(包括第一导体图案4)上，以形成一电气绝缘/隔离层6。此绝缘体材料可例如包含称为SU-8的商用材料，其由溶解在有机溶剂(诸如丙二醇甲醚醋酸酯(propyleneglycolmethyletheracetate，PGMEA))中的双酚A酚醛(BisphenolANovolac)环氧树脂及多达10重量百分比的作为光酸产生剂的混合型三芳基硫六氟锑酸盐(Triarylsulfonium/hexafluoroantimonatesalt)所组成。接着利用具有引起绝缘层6的可溶性降低的波长的辐射(例如用于SU-8范例的紫外线辐射)，使用一光罩(photomask)8而将绝缘层6所欲图案的正型辐射影像(亦即要保留绝缘层6的区域图案的一正型辐射影像，或换言之，待移除绝缘层6的区域图案的一负型辐射影像)投射到绝缘层6上，并在绝缘层6中生成一潜在可溶性图案，包含可溶性降低的区域12及可溶性不变的区域10。而后利用诸如相同于用于沉积绝缘体材料的有机溶剂的溶剂使潜在可溶性图案显影，以在绝缘层6中形成一实体图案，第一导体图案4的一些部分经由此实体图案而暴露出来。用以在绝缘层6中生成所欲图案(界定穿孔)的一替代程序包含：形成覆盖绝缘层6的一光阻材料层；在所述光阻层中生成与绝缘层6所欲图案对应的一图案；使所得的中间产品的上表面经受干式蚀刻程序，其以远快于蚀刻光阻图案的速率蚀刻绝缘层6，致使光阻图案在干式蚀刻处理期间作为一保护掩膜；及接着自图案化的绝缘层6剥离光阻图案。用以在绝缘层6中生成所欲图案的另一替代本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包含以下步骤：/n在第一导体图案上形成绝缘体；/n图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；/n在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；/n在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；/n在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及/n在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171003 GB 1716126.61.一种方法，其包含以下步骤：
在第一导体图案上形成绝缘体；
图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；
在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；
在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；
在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及
在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。


2.根据权利要求1所述的方法，其包含以下步骤：
在所述第二导体图案上形成第一电荷注入层；
在所述第一电荷注入层上形成所述半导体；及
在所述半导体上形成第二电荷注入层。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：
借由非共形沉积技术以填塞层来覆盖所述第二导体图案；
辐射式地改变所述填塞层在选定区域中于第一溶剂中的可溶性，以在所述填塞层中生成可溶性图案；及
接着使用所述第一溶剂使所述可溶性图案显影，以在所述填塞层中生成实体图案。


4.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光，且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低材料的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的负型辐射影像曝光。


5.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光；且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低所述填塞层的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的修改的负型辐射影像曝光，其中所述所欲绝缘体图案的所述修改包含增大直径的穿孔区...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱恩·阿斯匹灵，夏尼·纳瓦尔，珍·琼格曼，派翠克·图，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB