光致变装置制造方法及图纸

一种技术包含：在第一导体图案上形成绝缘体；图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案于所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；在所述一或多个穿孔区域中生成较平坦的形貌轮廓，而让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；在所述第二导体图案上形成半导体(24)，用于所述第二导体图案与所述半导体间的电荷载子传输；及在所述半导体上沉积第三导体(26)，用于所述第三导体(26)与所述半导体(24)间的电荷载子传输。

Photorefractive device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光致变装置
光致变装置包含包括用于例如光学传感器应用的一光致变半导体的装置。
技术介绍
一光致变装置典型包括一光致变半导体夹设在两个电极之间，用于在所述半导体与所述两个电极之间的电荷载子传输，其中光致变半导体的曝光引发半导体内产生电荷载子、且在所述两个电极之间产生电位差。一光学传感器装置可包含一光致变半导体夹设在一像素电极阵列与一共用电极之间，其中在数个像素电极处的一组电气响应提供入射在半导体上的光图案的表示。用以处理所述像素电极处的电气响应的电路可包含所述像素电极阵列的下且透过一或多个绝缘层中的通孔连接到所述像素电极的电路。本案的专利技术人已发现以下挑战：促使缩短光致变装置中像素与共用电极间的间隔，而不会增加所述像素与共用电极间的电气短路风险，及/或不会提升反向偏压下较高泄漏电流的风险，这些风险的状况可能降低一光检测器装置的灵敏度。
技术实现思路
因此，本文提供一种方法，包含以下步骤：在第一导体图案上形成绝缘体；图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；在所述绝缘体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包含以下步骤：/n在第一导体图案上形成绝缘体；/n图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；/n在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；/n在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；/n在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及/n在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171003 GB 1716126.61.一种方法，其包含以下步骤：
在第一导体图案上形成绝缘体；
图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；
在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；
在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；
在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及
在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。


2.根据权利要求1所述的方法，其包含以下步骤：
在所述第二导体图案上形成第一电荷注入层；
在所述第一电荷注入层上形成所述半导体；及
在所述半导体上形成第二电荷注入层。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：
借由非共形沉积技术以填塞层来覆盖所述第二导体图案；
辐射式地改变所述填塞层在选定区域中于第一溶剂中的可溶性，以在所述填塞层中生成可溶性图案；及
接着使用所述第一溶剂使所述可溶性图案显影，以在所述填塞层中生成实体图案。


4.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光，且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低材料的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的负型辐射影像曝光。


5.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光；且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低所述填塞层的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的修改的负型辐射影像曝光，其中所述所欲绝缘体图案的所述修改包含增大直径的穿孔区...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱恩·阿斯匹灵，夏尼·纳瓦尔，珍·琼格曼，派翠克·图，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB