【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术的实施方式之一涉及显示装置，例如是作为显示元件具有有机发光元件的显示装置。
技术介绍
作为显示装置的一例，能够举例有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置。有机EL显示装置具有形成在基片上的多个像素，在各像素中具有有机发光元件(以下，发光元件)。在提供高精细的、或者大型的显示装置的情况下，要在各像素形成包括多个晶体管或电容元件等的像素电路。像素电路通过设置在基片上的驱动电路或者外部电路来驱动，由此控制各像素的发光。伴随显示装置的大型化或高精细化，在向驱动电路供给电信号的配线(信号线或扫描线等)施加由配线的寄生电容或电阻引起的大的负载(驱动负载)。该负载的值，由于在屏幕的端部与中央部不同，因此在信号的延迟量或钝化量产生差，导致在所显示的影像中产生不均等，引起显示品质的降低。为了防止由这样的信号的延迟或信号形状的钝化引起的显示不均匀，例如在专利文献1或2中公开了，在扫描线或信号线的末端设置电阻或可变电容等的附加电容的技术。现有技术文献专利文献...
【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，具有：/n配置在第1行至第n行和第1列至第m列的多个像素；/n分别与对应的所述第1行至第n行的像素电连接的第1至第n扫描线；和/n与从所述第1至第n扫描线选择的第1至第k扫描线中的至少一者重叠的至少一个第1半导体膜，/n由所述多个像素定义的显示区域具有与所述第1行至第k行交叉的缺口，/n所述至少一个第1半导体膜位于所述缺口内，/n所述多个像素的每一个具有：/n发光元件；和/n与所述发光元件电连接且具有第2半导体膜的晶体管，/n所述至少一个第1半导体膜和所述第2半导体膜存在于同一层内，/n其中，n和m是比1大的自然数，k是比n小的自然数。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171017 JP 2017-2012361.一种显示装置，其特征在于，具有：
配置在第1行至第n行和第1列至第m列的多个像素；
分别与对应的所述第1行至第n行的像素电连接的第1至第n扫描线；和
与从所述第1至第n扫描线选择的第1至第k扫描线中的至少一者重叠的至少一个第1半导体膜，
由所述多个像素定义的显示区域具有与所述第1行至第k行交叉的缺口，
所述至少一个第1半导体膜位于所述缺口内，
所述多个像素的每一个具有：
发光元件；和
与所述发光元件电连接且具有第2半导体膜的晶体管，
所述至少一个第1半导体膜和所述第2半导体膜存在于同一层内，
其中，n和m是比1大的自然数，k是比n小的自然数。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
还具有与所述多个像素电连接的多个电流供给线，
所述至少一个第1半导体膜与所述多个电流供给线中的至少一者电连接。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第1至第k扫描线以绕过所述缺口的方式弯曲。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述至少一个第1半导体膜具有与所述第1至第k扫描线中的至少一者重叠的多个第1半导体膜。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
所述多个第1半导体膜具有梯形形状。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
还具有分别与对应的所述第1列至第m列的像素电连接的多个信号线，
与所述缺口交叉的列的所述信号线被相邻的第1半导体膜夹着。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
与所述缺口交叉的所述列的所述信号线的宽度比不与所述缺口交叉的列的所述信号线的宽度大。
8.一种显示装置，其特征在于，具有：
配置在第1行至第n行和第1列至第m列的多个像素；
分别与对应的所述第1行至第n行的像素电连接的第1至第n扫描线；和
与从所述第1至第n扫描线选择的第1至第k扫描线中的至少一者重叠的至少一个金属膜，
由所述多个像素定义的显示区域具有与所述第1行至第k行交叉的缺口，
所述至少一个金属膜位于所述缺口内，
所述多个像素的每一个具有：
发光元件；和
与所述发光元件电连接，且具有半导体膜和与所述半导体膜电连接的源极/漏极电极的晶体管，
所述至少一个金属膜和所述半导体膜存在于同一层内，
其中，n和m是比1大的自然数，k是比n小的自然数。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
还包括与所述多个像素电连接的多个电流供给线，
所述至少一个金属膜与所述多个电流供给线中的至少一者电连接。
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