抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术采用一种抗蚀剂组合物，含有：基材成分(A)，对显影液的溶解性因酸的作用而变化；以通式(b1)表示的化合物(B1)。[化1]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
本专利技术涉及抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法。本申请基于2017年9月28日在日本申请的日本特愿2017-189042号主张优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
在光刻技术中，进行下述工序：例如在基板上形成由抗蚀剂材料构成的抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行选择性曝光，实施显影处理，从而在所述抗蚀剂膜形成规定形状的抗蚀剂图案。将抗蚀剂膜的曝光部变化为溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为正型，将抗蚀剂膜的曝光部变化为不溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为负型。近年来，在半导体元件和液晶显示元件的制造中，由于光刻技术的进步，图案的微细化急速发展。作为微细化的方法，一般来说，进行曝光光源的短波长化(高能量化)。具体来说，虽然以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，但是现在使用KrF准分子激光或ArF准分子激光来进行半导体元件的批量生产。此外，也正在对波长比这些准分子激光短(高能量)的EUV(极紫外线)、EB(电子射线)、X射线等进行研究。对于抗蚀剂材料，要求相对于这些曝光光源的灵敏度、可再现微细尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂组合物，通过曝光产生酸并且对显影液的溶解性因酸的作用而变化，其特征在于，含有：/n基材成分(A)，对显影液的溶解性因酸的作用而变化；/n以下述通式(b1)表示的化合物(B1)，/n[化1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170928 JP 2017-1890421.一种抗蚀剂组合物，通过曝光产生酸并且对显影液的溶解性因酸的作用而变化，其特征在于，含有：
基材成分(A)，对显影液的溶解性因酸的作用而变化；
以下述通式(b1)表示的化合物(B1)，
[化1]



式中，Rb1表示具有类固醇骨架的碳数为17～50的1价烃基，其中，所述烃基可以包含杂原子，Yb1表示包含选自由羧酸酯基、醚基、碳酸酯基、羰基以及酰胺基构成的组中的至少一种官能团的2价连接基团或...

【专利技术属性】
技术研发人员：长峰高志，海保贵昭，中村刚，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP