【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压印方法和装置相关申请的引用本专利申请要求于2017年9月29日提交的美国临时申请序列No.62/565,363的优先权，该美国临时申请通过引用并入本文。
本公开涉及用于控制纳米压印系统中的气体的流动的系统和方法。
技术介绍
纳米制造包括具有100纳米或更小的数量级的特征的非常小的结构的制造。纳米制造产生了相当大的影响的一种应用是在集成电路的加工中。半导体加工工业继续努力提高生产量，同时增大在诸如半导体晶片之类的基板上形成的每单位面积的电路；因此，纳米制造变得越来越重要。纳米制造提供了较大的工艺控制，同时允许形成的结构的最小特征尺寸的继续减小。当前使用的示例性纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻。纳米压印光刻在各种应用中是有用的，包括例如制造诸如CMOS逻辑、微处理器、NAND闪存、NOR闪存、DRAM存储器、MRAM、3D交叉点存储器、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM等的集成设备的层。示例性纳米压印光刻工艺在诸如美国专利No.8,349,241、美国专利No.8,066,930和美国专利No...
【技术保护点】
1.一种压印方法，包括：/n将可成形材料的多个液滴施加到基板的压印区域，其中，可成形材料的局部压力在可成形材料的流体-气体界面处形成；/n在初始接触时刻使模板上的台面的压印表面的一部分与可成形材料的所述多个液滴接触而使可成形材料的所述多个液滴合并并且朝着在压印表面的台面侧壁与基板之间的压印边缘界面流动；/n使第一气体在初始接触时刻之前流入包括压印区域的第一区域；以及/n使第二气体在初始接触时刻之后流入包括压印边缘界面和在模板与基板之间的间隙区域的至少一部分的第二区域；并且/n其中，模板和第二气体的流动被配置成在与压印边缘界面处的流体-气体界面相邻的间隙区域的一部分中将可成形...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 US 62/565,3631.一种压印方法，包括：
将可成形材料的多个液滴施加到基板的压印区域，其中，可成形材料的局部压力在可成形材料的流体-气体界面处形成；
在初始接触时刻使模板上的台面的压印表面的一部分与可成形材料的所述多个液滴接触而使可成形材料的所述多个液滴合并并且朝着在压印表面的台面侧壁与基板之间的压印边缘界面流动；
使第一气体在初始接触时刻之前流入包括压印区域的第一区域；以及
使第二气体在初始接触时刻之后流入包括压印边缘界面和在模板与基板之间的间隙区域的至少一部分的第二区域；并且
其中，模板和第二气体的流动被配置成在与压印边缘界面处的流体-气体界面相邻的间隙区域的一部分中将可成形材料的局部压力减小到低于可成形材料的蒸气压力。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第二气体是以下项中的一个：氧气、清洁的干燥空气、氮气、氩气、二氧化碳和氦气。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，第二气体与第一气体不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一气体是氦气，并且第二气体是氧气、清洁的干燥空气、氮气、氩气和二氧化碳中的一个。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
第一气体从模板的边缘流入第一区域；
第二气体从模板的边缘流过间隙区域并且朝着台面侧壁流动；并且
间隙区域被配置成具有足够大以至于基本上不会减小第二气体从模板的边缘到台面侧壁的流动的厚度。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一气体和第二气体通过相同的气体喷嘴朝着模板的边缘流动。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，间隙区域的厚度大于或等于100μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其中：
第二气体通过模板中的多个孔流入间隙区域；以及
第二气体进入间隙区域的流动被配置成使气体在间隙区域内和外循环，以在与压印边缘界面处的流体-气体界面相邻的间隙区域的所述一部分中将可成形材料的局部压力减小到低于可成形材料的蒸气压力。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，第一气体通过模板中的所述多个孔并且从模板的边缘流入第一区域。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，第一气体从模板的边缘流入第一区域。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，第一气体流过模板中的所述多个孔。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，间隙区域由台面侧壁、基板、模板面和模板面的边缘界定。
13.根据权利要求8所述的方法，其中：
第二气体通过所述多个孔流入和流出间隙区域；
正压...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·N·帕特尔，E·B·弗莱彻，S·J·贝姆斯伯格，A·阿加里，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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