MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备技术

本发明专利技术涉及一种MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备。一种MEMS微型扬声器，所述MEMS微型扬声器包括支撑结构以及设置于所述支撑结构上的压电振膜，所述支撑结构上开设有背腔以裸露部分所述压电振膜；其中，所述压电振膜包括与所述背腔相对的低频区，所述低频区包括高频区和低频子区域，且所述低频子区域刚性小于所述高频区刚性。上述MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备，在同一个发声单体中能够同时发出高频频段声波和低频频段声波，从而延伸带宽范围；同时相比于传统的整合多个发声单体的方式，还能增大压电振膜的有效区域面积，减小MEMS微型扬声器整体尺寸。

【技术实现步骤摘要】
MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备
本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备。
技术介绍
目前，扬声器逐渐向小型化发展，微型扬声器通过MEMS（Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统）技术微缩组件尺寸同时达到批量制造的优势，从而受到人们的欢迎。而传统的MEMS微型扬声器延伸带宽范围时常需要整合两颗以上的独立发声单体，使得MEMS微型扬声器整体体积过大，不符合小型化需求。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种MEMS微型扬声器、MEMS微型扬声器的制备方法及电子设备。一种MEMS微型扬声器，所述MEMS微型扬声器包括支撑结构以及设置于所述支撑结构上的压电振膜，所述支撑结构上开设有背腔以裸露部分所述压电振膜；其中，所述压电振膜包括与所述背腔相对的低频区，所述低频区包括高频区和低频子区域，且所述低频子区域刚性小于所述高频区刚性。在其中一个实施例中，所述高频区位于所述低频区的中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS微型扬声器，其特征在于，所述MEMS微型扬声器包括支撑结构以及设置于所述支撑结构上的压电振膜，所述支撑结构上开设有背腔以裸露部分所述压电振膜；/n其中，所述压电振膜包括与所述背腔相对的低频区，所述低频区包括高频区和低频子区域，且所述低频子区域刚性小于所述高频区刚性。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS微型扬声器，其特征在于，所述MEMS微型扬声器包括支撑结构以及设置于所述支撑结构上的压电振膜，所述支撑结构上开设有背腔以裸露部分所述压电振膜；
其中，所述压电振膜包括与所述背腔相对的低频区，所述低频区包括高频区和低频子区域，且所述低频子区域刚性小于所述高频区刚性。


2.根据权利要求1所述的MEMS微型扬声器，其特征在于，所述高频区位于所述低频区的中心区域。


3.根据权利要求1所述的MEMS微型扬声器，其特征在于，所述低频区在第一方向上的相对两个侧边固定于所述支撑结构上，所述压电振膜上沿所述低频区的另外两个侧边开设有第一狭缝。


4.根据权利要求1所述的MEMS微型扬声器，其特征在于，所述高频区在第二方向上的相对两个侧边与所述低频子区域连接，所述压电振膜上沿所述高频区的另外两个侧边开设有第二狭缝。


5.根据权利要求4所述的MEMS微型扬声器，其特征在于，所述压电振膜的高频区沿所述第二方向的垂直方向开设有第三狭缝，以将所述高频区至少划分为一个位于中间的中间高频子区域和两个位于边缘的边缘高频子区域。


6.根据权利要求5所述的MEMS微型扬声器，其特征在于，所述压电振膜包括第一电极层；所述第一电极层包括第一电极；
所述第一电极包括位于所述中间高频子区域的中间高频第一子电极以及位于所述边缘高频子区域的边缘高频第一子电极；
其中，在所述MEMS微型扬声器发音时，向所述中间高频第一子电极输入第一极性的电压，向所述边缘高频第一子电极输入第二极性的电压，所述第一极性和所述第二极性的极性相反。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗松成，王逸加，方维伦，
申请(专利权)人：共达电声股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37