本发明专利技术公开了一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层、有机功能层和第二电极层，有机功能层与第二电极层构成有机膜层，第一电极层和有机功能层之间设置有呈阵列分布的像素限定层，像素限定层高出位于相邻两像素限定层之间的有机膜层上平面；像素限定层的外侧面形成搭接区和断开区，搭接区处的位于像素限定层上方的有机膜层与位于两像素限定层之间的有机膜层形成搭接；断开区处的位于像素限定层上方的有机膜层与位于两像素限定层之间的有机膜层形成断开。可以将有机发光二极管中所产生的有害气体可以通过像素限定层周边的断开区直接排出，不经有机功能层和第二电极层进行渗透，大大提高了寿命及稳定性。
【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性有机发光二极管
本专利技术涉及有机半导体照明
，具体涉及一种高稳定性有机发光二极管。
技术介绍
像素限定层(PDL)为有机发光二极管中用于限定发光区及绝缘作用，通常地，光敏性聚酰亚胺(PSPI)可实现上述要求。然而，有机发光二极管在比较严苛的环境下，如高温、高湿、日光下，PSPI通常会释放一些杂质或者气体，这些杂质或者气体是对有机发光二极管不利的，可导致寿命降低。主要原因在于PSPI含有一些π共轭的官能团，这些官能团的电子能在光、电或者热条件下受到激发，官能团与官能团之间发生化学反应，导致一些杂质或者气体释放，直接通过有机功能层和第二电极层渗透出来，从而导致像素收缩，影响有机发光二极管的可靠性，如图1和图2所示。
技术实现思路
为解决现有技术中光敏性聚酰亚胺(PSPI)在高温、高湿、环境光等严苛环境下对OLED的可靠性所产生的不利影响，本专利技术通过对屏体结构进行设计，使得PDL所释放的气体能够放出，降低气体释放对OLED的侵蚀，提高OLED的可靠性，为此，本专利技术提供了一种高稳定性有机发光二极管。本专利技术采用如下技术方案：一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层、有机功能层和第二电极层，所述有机功能层与所述第二电极层构成有机膜层，其特征在于，所述第一电极层和有机功能层之间设置有呈阵列分布的像素限定层，所述像素限定层高出位于相邻两所述像素限定层之间的所述有机膜层上平面；所述像素限定层的外侧面形成搭接区和断开区，所述搭接区处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成搭接；所述断开区处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成断开。所述断开区位置所对应的所述像素限定层外侧面在靠近所述第一电极层的方向上呈逐渐向内收缩状，且所述像素限定层外侧面与其外侧的有机膜层之间形成透气间隙。优选地，所述断开区位置所对应的所述像素限定层外侧面与所述第一电极层间形成90°～120°夹角。所述搭接区位置所对应的所述像素限定层外侧面在靠近所述第一电极层的方向上呈逐渐外扩状。优选地，所述搭接区位置所对应的所述像素限定层外侧面与所述第一电极层间形成0～60°夹角。通过光刻工艺在像素限定层外侧面形成具有直角或钝角倾角的断开区和具有锐角倾角的搭接区。所述像素限定层的高度h≥1um，且所述像素限定层高出两相邻像素限定层之间的有机膜层0.1μm～5μm。所述像素限定层的横截面为多边形结构，所述搭接区设置于所述像素限定层的边部位置或角部位置。所述像素限定层上方边缘位置所形成的搭接区搭接长度占所述断开区(20)长度的10％及以上。所述像素限定层为酚醛树脂、硅氧烷聚合物、亚克力树脂、环氧树脂、氧化硅和氮化硅中的一种。所述像素限定层正下方对应的区域与所述第一电极层之间还设有辅助电极层。本专利技术技术方案，具有如下优点：A.本专利技术在有机发光二极管内设置了呈矩阵分布的像素限定层，像素限定层的高度高出两相邻像素限定层之间的第二电极上表面，同时像素限定层上方的有机功能层和第二电极层还通过搭接区与其外侧的高度较低的有机功能层和第二电极层形成电性上下导通，如此设置，可以将有机发光二极管中所产生的有害气体，如水汽、酸气、outgas等，通过像素限定层周边的断开区直接排出，不经有机功能层和第二电极层进行渗透，可以提高寿命及稳定性。B.本专利技术采用具有由上至下横截面逐渐向内收缩的像素限定层，使得像素限定层上方的有机功能层和第二电极层所形成的膜层与其它位置处的膜层间形成供有害气体导出的间隙，根据具体情况可以设定不同倾角的像素限定层，大大提高了有害气体的导出效率。C.本专利技术通过光刻工艺对像素限定层外侧面进行处理，比如通过两次湿刻工艺，先通过第一次湿刻在像素限定层上形成断开区，断开区位置所对应的像素限定层外侧面与第一电极层形成由上至下呈直角或者呈收缩的钝角结构，在此基础上再通过相同的光刻胶或者不同的光刻胶通过第二次湿刻工艺形成具有搭接结构图形的搭接区，即形成的像素限定层与第一电极层的倾角为锐角，通过设置具有连续的有机膜层及通过设置像素限定层不同倾角结构实现膜层的隔断，解决了现有技术中主要通过隔断金属阴极铝实现水汽的释放所存在的弊端，对实现有机二极管寿命及稳定性的提高具有重要意义。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式，下面将对具体实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术的有机发光二极管的平面结构图；图2是图1中A-A截面示意图；图3是本专利技术所提供的有机发光二极管平面结构图；图4是图3中B-B截面示意图；图5是图3中C-C截面示意图；图6是图3中D-D截面示意图；图7a、图7b、图7c是图3中三种结构的E部放大图；图8是本专利技术所提供的在像素限定层上方所形成的搭接膜层结构示意图；图9是本专利技术所提供的光刻制程平面示意图；图10a是图9所示E-E截面第一种结构示意图；图10b是图9所示E-E截面第二种结构示意图；图中标识如下：1-第一电极层；2-有机功能层；3-第二电极层；4-像素限定层；5-辅助电极层；6-基板；7-光刻胶A；8-光刻胶B。10-搭接区；20-断开区。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。如图3和图8所示，本专利技术所提供的高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层1、有机功能层2和第二电极层3，在第一电极层1和有机功能层2之间设置有呈阵列分布的像素限定层4，有机功能层和第二电极层构成二极管的有机膜层，像素限定层4高出位于相邻本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层(1)、有机功能层(2)和第二电极层(3)，所述有机功能层(2)与所述第二电极层(3)构成有机膜层，其特征在于，所述第一电极层(1)和有机功能层(2)之间设置有呈阵列分布的像素限定层(4)，所述像素限定层(4)高出位于相邻两所述像素限定层(4)之间的所述有机膜层上平面；所述像素限定层(4)的外侧面形成搭接区(10)和断开区(20)，所述搭接区(10)处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成搭接；所述断开区(20)处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成断开。/n
【技术特征摘要】
1.一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层(1)、有机功能层(2)和第二电极层(3)，所述有机功能层(2)与所述第二电极层(3)构成有机膜层，其特征在于，所述第一电极层(1)和有机功能层(2)之间设置有呈阵列分布的像素限定层(4)，所述像素限定层(4)高出位于相邻两所述像素限定层(4)之间的所述有机膜层上平面；所述像素限定层(4)的外侧面形成搭接区(10)和断开区(20)，所述搭接区(10)处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成搭接；所述断开区(20)处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成断开。
2.根据权利要求1所述的高稳定性有机发光二极管，其特征在于，所述断开区(20)位置所对应的所述像素限定层(4)外侧面在靠近所述第一电极层的方向上呈逐渐向内收缩状，且所述像素限定层(4)外侧面与其外侧的有机膜层之间形成透气间隙。
3.根据权利要求2所述的高稳定性有机发光二极管，其特征在于，所述断开区(20)位置所对应的所述像素限定层(4)外侧面与所述第一电极层(1)间形成90°～120°夹角。
4.根据权利要求1所述的高稳定性有机发光二极管，其特征在于，所述搭接区(10)位置所对应的所述像素限定层(4)外侧面在靠近所述第一电极层的方向上呈逐渐外扩状。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁天星，吴海燕，朱映光，张国辉，胡永岚，李栋栋，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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