【技术实现步骤摘要】
一种高过载保护的真空微电子压力传感器
本专利技术属于压力传感器
，具体的说是涉及一种高过载保护的真空微电子压力传感器。
技术介绍
现有技术中，常用的压力传感器主要有应变式、压电式、压阻式、电容式等，但由于其结构和工作原理的局限，其输出信号均需复杂的电路、功耗大、特别是温度漂移、辐射等干扰使得压力传感器的性能始终不能令人满意，特别是耐高温、抗辐射的压力传感器至今仍是世界各国研究的主要课题之一。90年代后期出现的真空微电子压力传感器，由于具有真空电子和固体电子器件的优点，因而倍受科学家的高度重视，如已公开的台阶阵列阴极真空微电子压力传感器。该专利技术是通过将平面阴极锥尖阵列的结构改为台阶阴极锥尖阵列结构，该专利技术虽然提高了压力传感器的灵敏度和量程，但没有从结构上解决压力传感器的过载保护和器件长期工作的稳定性和可靠性等问题。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种高过载保护的真空微电子压力传感器，该真空微电子压力传感器可有效的解决现有真空微电子压力传感器的抗过载保护、提高器件长期工作的稳定性和可靠性问题。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高过载保护的真空微电子压力传感器，包括阴极弹性膜层、阳极弹性膜层和绝缘层，所述阴极弹性膜层带过载保护环，在阴极弹性膜层内设有真空微腔和硅微场致发射阴极锥尖阵列，其过载保护环与硅微场致发射阴极锥尖阵列一体化三维集成，在每个锥尖表面均覆盖有金刚石薄膜；所述阳极弹性膜层的上面设有引出电极和绝缘保护膜，在阴极弹性...
【技术保护点】
1.一种高过载保护的真空微电子压力传感器，包括阴极弹性膜层、阳极弹性膜层和绝缘层，其特征在于：所述阴极弹性膜层带过载保护环，在阴极弹性膜层内设有真空微腔和硅微场致发射阴极锥尖阵列，其过载保护环与硅微场致发射阴极锥尖阵列一体化三维集成，在每个锥尖表面均覆盖有金刚石薄膜；所述阳极弹性膜层的上面设有引出电极和绝缘保护膜，在阴极弹性膜层与阳极弹性膜层之间安装有绝缘层。/n
【技术特征摘要】
1.一种高过载保护的真空微电子压力传感器，包括阴极弹性膜层、阳极弹性膜层和绝缘层，其特征在于：所述阴极弹性膜层带过载保护环，在阴极弹性膜层内设有真空微腔和硅微场致发射阴极锥尖阵列，其过载保护环与硅微场致发射阴极锥尖阵列一体化三维集成，在每个锥尖表面均覆盖有金刚石薄膜；所述阳极弹性膜层的上面设有引出电极和绝缘保护膜，在阴极...
【专利技术属性】
技术研发人员：符小平，
申请(专利权)人：四川中坚环境监测服务有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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