【技术实现步骤摘要】
一种聚碳硅烷的液相流动合成装置及其合成方法
本专利技术涉及聚合物合成
,尤其是一种聚碳硅烷的液相流动合成装置及其合成方法。
技术介绍
SiC陶瓷是以Si-C键键合的共价键化合物,具有金刚石结构,相邻原子间距离为0.186nm,Si-C键能为347KJ/mol。SiC陶瓷拥有的特殊晶体结构决定其作为一种高温结构材料使用时,具有强度高、耐高温、耐腐蚀、抗氧化等优良特性,已经广泛应用于航天、汽车、石化等领域;作为功能材料使用时,SiC具有击穿电场高、能带结构宽,热导率高等优点,在电致发光器件、吸波材料、气体传感器等方面有很好的应用前景。先驱体转化法是制备SiC陶瓷常用的方法,它首先合成含硅碳元素的有机聚合物,利用聚合物良好的成型性能,经过成型、热解制备得到相应的SiC陶瓷材料。先驱体转化法具有制备温度较低的优势;同时,该方法可制得传统方法难以得到的低维陶瓷材料;此外,该方法可进行分子设计获得具有不同元素组成的先驱体聚合物,经热分解转化得到多元复相陶瓷或陶瓷合金。目前,先驱体转化法已成为陶瓷纤维和陶瓷基复合材料主流的制 ...
【技术保护点】
1.一种聚碳硅烷的液相流动合成装置,其特征在于,所述装置包括依次连接的输入管路(2)、混合管路(3)、反应管路(4)、输出管路(5)和接收釜(6);/n所述输入管路(2)包括至少两个输入口,用于向混合管路(3)输入不同的反应液。/n
【技术特征摘要】
1.一种聚碳硅烷的液相流动合成装置,其特征在于,所述装置包括依次连接的输入管路(2)、混合管路(3)、反应管路(4)、输出管路(5)和接收釜(6);
所述输入管路(2)包括至少两个输入口,用于向混合管路(3)输入不同的反应液。
2.如权利要求1所述的聚碳硅烷的液相流动合成装置,其特征在于,所述输入管路(2)、混合管路(3)、反应管路(4)和输出管路(5)均为不锈钢材质,管路内径均为2~20mm,管路壁厚均为1~5mm。
3.如权利要求2所述的聚碳硅烷的液相流动合成装置,其特征在于,所述混合管路(3)的长度≥10cm,所述反应管路(4)的长度≥250cm。
4.如权利要求3所述的聚碳硅烷的液相流动合成装置,其特征在于,所述反应管路(4)为螺旋状。
5.一种聚碳硅烷的液相流动合成方法,其特征在于,所述合成方法采用如权利要求1~4任一项所述的聚碳硅烷的液相流动合成装置进行合成,包括以下步骤:
S1:将聚二甲基硅烷置于惰性气氛中,以1~10℃/min的速率从室温升温至350~450℃,并在350~450℃下保温0.5~10h,得到反应液;
S2:将聚二苯基硼硅氧烷溶于有机溶剂中,得到催化液;
S3:向所述液相流动合成装置内通入惰性气氛进行管路清洗,随后将反应液和催化液分别从...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小宙,邵长伟,王应德,
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科技大学,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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