微流体通道结构及制作方法、微流体检测装置及使用方法制造方法及图纸

技术编号:24108114 阅读:58 留言:0更新日期:2020-05-12 23:01
公开了微流体通道结构及其制作方法、微流体检测装置及其使用方法。微流体通道结构包括支撑部;地基部,其布置在支撑部上并且包括相互隔开的第一地基和第二地基;以及通道限定部,其布置在地基部的远离支撑部的一侧并且包括第一通道层和第二通道层,其中第一通道层覆盖第一地基,第二通道层覆盖第二地基,并且第一通道层和第二通道层相互部分隔开以限定微流体通道。第一地基和第二地基具有与支撑部的表面平行的延伸方向,在与延伸方向垂直的平面内,第一地基和第二地基具有在从地基部指向支撑部的方向上渐缩的横截面。

Microfluidic channel structure and manufacturing method, microfluidic detection device and use method

【技术实现步骤摘要】
微流体通道结构及制作方法、微流体检测装置及使用方法
本公开涉及微流体
,并且具体涉及微流体通道(microfluidicchannel)结构及其制作方法、微流体检测装置及其使用方法。
技术介绍
微流体器件通常称为芯片实验室(LOC)或微全分析系统(micro-TAS),其被用来通过操作少量的流体进行生物或化学反应,以用于生物分子的检测和分析,例如基因测序、单蛋白质检测等。微流体通道是微流体器件的核心部件,其制作技术却仍然低效、繁琐且昂贵,并且因此存在改进的空间。
技术实现思路
在一方面,本公开实施例提供了一种微流体通道结构,包括:支撑部;地基部,其布置在所述支撑部上并且包括相互隔开的第一地基和第二地基,其中所述第一地基和所述第二地基具有与所述支撑部的表面平行的延伸方向,在与所述延伸方向垂直的平面内,所述第一地基和所述第二地基具有在从所述地基部指向所述支撑部的方向上渐缩的横截面;以及通道限定部,其布置在所述地基部的远离所述支撑部的一侧并且包括第一通道层和第二通道层,其中所述第一通道层覆盖所述第一地基,所述第二通道层覆盖所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微流体通道结构,包括:/n支撑部;/n地基部,其布置在所述支撑部上并且包括相互隔开的第一地基和第二地基,其中所述第一地基和所述第二地基具有与所述支撑部的表面平行的延伸方向,在与所述延伸方向垂直的平面内,所述第一地基和所述第二地基具有在从所述地基部指向所述支撑部的方向上渐缩的横截面;以及/n通道限定部,其布置在所述地基部的远离所述支撑部的一侧并且包括第一通道层和第二通道层,其中所述第一通道层覆盖所述第一地基,所述第二通道层覆盖所述第二地基,并且所述第一通道层和所述第二通道层相互部分隔开以限定微流体通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种微流体通道结构,包括:
支撑部;
地基部,其布置在所述支撑部上并且包括相互隔开的第一地基和第二地基,其中所述第一地基和所述第二地基具有与所述支撑部的表面平行的延伸方向,在与所述延伸方向垂直的平面内,所述第一地基和所述第二地基具有在从所述地基部指向所述支撑部的方向上渐缩的横截面;以及
通道限定部,其布置在所述地基部的远离所述支撑部的一侧并且包括第一通道层和第二通道层,其中所述第一通道层覆盖所述第一地基,所述第二通道层覆盖所述第二地基,并且所述第一通道层和所述第二通道层相互部分隔开以限定微流体通道。


2.根据权利要求1所述的微流体通道结构,其中所述第一地基和所述第二地基的横截面呈倒梯形,或者所述横截面的两侧呈圆弧形。


3.根据权利要求1所述的微流体通道结构,其中所述地基部还包括布置在所述第一地基和所述第二地基的面向所述微流体通道的侧面上的金属反射层。


4.根据权利要求1所述的微流体通道结构,其中每个所述第一地基和所述第二地基由两个或更多个地基层顺序堆叠形成,并且越靠近所述支撑部的地基层的刻蚀速率越高。


5.根据权利要求4所述的微流体通道结构,其中每个所述第一地基和所述第二地基包括靠近所述支撑部的第一地基层和堆叠在所述第一地基层的远离所述支撑部的一侧上的第二地基层。


6.根据权利要求4所述的微流体通道结构,其中所述第一地基层由氮化硅形成,并且所述第二地基层由氧化硅形成。


7.根据权利要求1所述的微流体通道结构,其中每个所述第一地基和所述第二地基包括第一子地基,以及覆盖所述第一子地基的顶面和侧面的第二子地基。


8.根据权利要求1-7中任意一项所述的微流体通道结构,还包括布置在所述支撑部和所述地基部之间的光学膜层,
其中所述光学膜层包括光学信号透射区和光学信号遮挡区,
其中所述光学信号透射区在所述支撑部上的正投影落在所述第一地基和所述第二地基的侧面在所述支撑部上的正投影之内。


9.根据权利要求8所述的微流...

【专利技术属性】
技术研发人员:马啸尘袁广才宁策谷新胡合合
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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