发光装置以及照明装置制造方法及图纸

发光装置等具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于发光元件的发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，发光装置等辐射外部辐射光，该外部辐射光具有：包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域；和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。

Lighting device and lighting device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置以及照明装置
本专利技术涉及包含发光元件以及荧光体的发光装置以及照明装置。
技术介绍
近年来，使用以LED(LaserEmittingDiode，发光二极管)等半导体发光元件(以下仅称作发光元件)为光源的发光装置以及将发光装置安装在基板等的照明装置。这样的发光装置等例如有作为太阳光等自然光的代替在各种制造工序中使用的情况。不断尝试将上述的发光装置等用在植物或动物等的栽培或饲养中。近年来，有在包括珊瑚以及海葵等刺胞动物以及鱼类等水生动物的水生生物的室内的饲养中使用上述的发光装置的情况。作为该情况下的发光装置，例如提出专利文献1记载那样的发出白色光的发光装置(灯)等。
技术实现思路
本专利技术的1个方案的发光装置具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于所述发光元件的所述发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长且在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光。该发光装置辐射外部辐射光，该外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，具备：/n发光元件，具有发光部，所述发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长且半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和/n被覆材料，位于所述发光元件的所述发光部上，包含荧光体，所述荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，/n所述发光装置辐射外部辐射光，所述外部辐射光具有：包含所述第1峰值波长、所述第2峰值波长以及所述第3峰值波长的峰值区域；和从所述第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170926 JP 2017-1846711.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，具有发光部，所述发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长且半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和
被覆材料，位于所述发光元件的所述发光部上，包含荧光体，所述荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，
所述发光装置辐射外部辐射光，所述外部辐射光具有：包含所述第1峰值波长、所述第2峰值波长以及所述第3峰值波长的峰值区域；和从所述第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第1峰值波长与所述第2峰值波长之间的光强度相对于所述第1峰值波长、所述第2峰值波长以及所述第3峰值波长中的最大的光强度是20～70％的强度。


3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述长波长区域中的所述外部辐射光的光强度在550～570nm的波长区域是所述第3峰值波长中的光强度的75～85％的强度，在565～585nm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤秀崇，草野民男，横井清孝，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP