【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体器件和用于形成光电子半导体器件的方法
提供了一种光电子半导体器件和一种用于形成光电子半导体器件的方法。
技术实现思路
目的在于提供一种具有改进的光学特性的光电子半导体器件。目的还在于提供一种用于形成具有改进的光学特性的光电子半导体器件的方法。该目的通过独立权利要求来解决。进一步的实施例是从属权利要求的主题。在光电子半导体器件的至少一个实施例中，光电子半导体器件包括具有主延伸平面的载体。载体可以是具有立方体形状的三维体。此外，载体可以在主延伸平面内比在其它方向上延伸得更远。载体可以是电路板，即，印刷电路板。例如，载体包括电绝缘基体，电气触头位置和/或电路路径被施加到电绝缘基体上和/或电绝缘基体中。作为示例，载体可以包括氮化硅或氮化铝。在至少一个实施例中，光电子半导体器件包括布置在载体上的至少一个半导体芯片。半导体芯片可以是光电子半导体芯片。半导体芯片可以与载体直接接触。半导体芯片可以包括面向载体的底表面和背离载体的顶表面。半导体芯片的侧表面可以连接底表面和顶表面。侧表面可以横...
【技术保护点】
1.一种光电子半导体器件(10)，包括：/n-具有主延伸平面的载体(11)，/n-至少一个半导体芯片(12)，其布置在所述载体(11)上，/n-框架(13)，其布置在所述载体(11)上并且在平行于所述载体(11)的主延伸平面的横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)，/n-覆盖所述至少一个半导体芯片(12)和框架(13)的转换层(14)，其中/n-所述至少一个半导体芯片(12)比所述框架(13)在竖直方向(z)上延伸得更远，其中所述竖直方向(z)垂直于所述载体(11)的主延伸平面，/n-所述半导体芯片(12)被构造成在所述半导体器件(10)的操作期间发射电磁辐射，以及...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电子半导体器件(10)，包括：
-具有主延伸平面的载体(11)，
-至少一个半导体芯片(12)，其布置在所述载体(11)上，
-框架(13)，其布置在所述载体(11)上并且在平行于所述载体(11)的主延伸平面的横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)，
-覆盖所述至少一个半导体芯片(12)和框架(13)的转换层(14)，其中
-所述至少一个半导体芯片(12)比所述框架(13)在竖直方向(z)上延伸得更远，其中所述竖直方向(z)垂直于所述载体(11)的主延伸平面，
-所述半导体芯片(12)被构造成在所述半导体器件(10)的操作期间发射电磁辐射，以及
-所述框架(13)和所述半导体芯片(12)在横向方向(x，y)上通过间隙(15)彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)的热导率大于所述转换层(14)的热导率。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述半导体芯片(12)在未被所述载体(11)覆盖的所有表面处被所述转换层(14)覆盖。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)包括玻璃。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)包括硼硅酸盐玻璃。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述间隙(15)的横向宽度达到至少25μm且至多50μm。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)与所述载体(11)直接接触。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)与所述转换层(14)直接接触。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述转换层(14)被构造成转换由所述半导体芯片(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：A阿里亚斯，LS邱，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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