片式熔断器制造技术

本发明专利技术提供片式熔断器，上述片式熔断器包括：由绝缘性材料构成的主体部、被配置在主体部的内部且具有从主体部露出的两端部的熔断器导体、以及分别覆盖主体部的两端部且分别与熔断器导体的两端部连接的一对外部电极，在主体部的内部存在空洞部，熔断器导体具有沿空洞部的壁面形成的熔断部。

Chip fuse

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】片式熔断器
本专利技术涉及片式熔断器。
技术介绍
片式熔断器是具有熔断器功能的片部件(或者角型表面安装部件)。片式熔断器可以包括绝缘性的主体部、形成在主体部的表面或者内部的熔断器导体、分别覆盖主体部的两端部且与熔断器导体的两端部分别连接的一对外部电极。以往，已知在熔断器导体形成在主体部的内部的片式熔断器中，为了抑制从熔断器导体的熔断部(发热部)向主体部的散热，提高熔断特性，而在主体部中设置空间，并将熔断器导体的熔断部悬挂在空间内(浮起来)进行配置(参照专利文献1～2)。另外，以往，作为兼具熔断器功能的电感元件，也已知在通过在层叠体的层间形成内部导体而成的一体烧结型的电感元件中，在内部导体一体设置熔断部，并且在熔断部的周围的层叠体中设置空洞部(参照专利文献3)。专利文献1:日本特开2007－280919号公报专利文献2:日本特开2007－287504号公报专利文献3:日本特开平1－287905号公报上述的以往的片式熔断器通过如下的方式制造得到：由绝缘性树脂制的底部和盖部构成主体部，首先，准备预先对凹部分别进行冲压形成而成的底部以及盖部，接下来，在底部的凹部悬挂配置熔断器导体，并在其上重叠盖部，使底部和盖部的凹部彼此对置以形成空间部，通过粘接剂使它们之间接合(专利文献1～2)。然而，在所述的制造方法中，对绝缘性树脂的凹部的加工精度以及底部和盖部的重叠精度有限。另外，在所述的以往的片式熔断器中，如果要保持原样地小型化，则从外部电极到熔断部的距离被缩小，变短，容易散热(因而，不易熔断)，熔断特性可能降低。另外，上述的以往的兼具熔断器功能的电感元件通过如下的方式制造得到：首先，在一个生片(铁氧体生片)的大致中央上面将有机糊剂涂布成矩形形状并使其干燥，由此在附着有机糊剂的生片上印刷形成内部导体(导电糊剂)，以使其熔断部位于有机糊剂上，进一步在其上将新的有机糊剂(与先前的有机糊剂重叠地)涂布成矩形形状并使其干燥，由此在有机糊剂、具有熔断部的内部导体以及有机糊剂依次附着的生片的上下适当地层叠新的生片，并一体地烧结，使熔断部的上下的有机糊剂燃烧汽化，在熔断部的周围形成空洞部(专利文献3)。然而，在所述的制造方法中，由于在附着有机糊剂的生片上横跨有机糊剂地重叠涂布印刷内部导体，所以较难高精细地印刷内部导体(特别是，比较细的熔断部)，可能产生印刷洇渗、印刷偏差。这一难点在使用混合氧化铝或者氧化锆等的细粉而成的有机糊剂的情况下也是同样的。而且，在所述的制造方法中，在烧结时，使熔断部的上下的有机糊剂汽化，由于下侧的有机糊剂的汽化而使内部导体(导电糊剂)的熔断部浮起来，并且使内部导体烧结，所以较难更微小地形成熔断部。因而，在以往的片式熔断器、以往的兼具熔断器功能的电感器元件中，较难提供具有优异的熔断特性、且更小型的片式熔断器，不足以应对片尺寸的小型化的最新的要求。实际上片式熔断器的现状是仅上市到1005尺寸(1.0mm×0.5mm)，而更小的尺寸，例如0603尺寸(0.6mm×0.3mm)的片式熔断器还没有上市。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供具有优异的熔断特性、且可以更小型化的新的片式熔断器。根据本专利技术的一个要旨，提供片式熔断器，上述片式熔断器包括：由绝缘性材料构成的主体部、被配置在主体部的内部且具有从该主体部露出的两端部的熔断器导体、以及分别覆盖主体部的两端部且分别与熔断器导体的两端部电连接的一对外部电极，其中，在主体部的内部存在空洞部，熔断器导体具有沿空洞部的壁面形成的熔断部。对于所述的本专利技术的片式熔断器而言，由于熔断器导体的熔断部沿空洞部的壁面形成，所以能够使熔断器导体的熔断部相对于空洞部部分地露出，并在其非露出部中通过主体部支承。熔断器导体的熔断部相对于空洞部露出，由此能够抑制从熔断器导体的熔断部向主体部的散热，并且熔断器导体的熔断部被主体部支承，由此能够微小且高精细地稳定形成所述的熔断部，因此，根据本专利技术，提供具有优异的熔断特性、可以更小型化的新的片式熔断器。在本专利技术的一个方式中，空洞部可以具有相对于彼此向相反侧弯曲成凸状的对置的两个壁面，熔断器导体的熔断部可以沿该两个壁面的任意一个壁面形成。在本专利技术的一个方式中，主体部以及熔断器导体可以构成烧结体。在本专利技术的一个方式中，熔断部可以具有曲折形状。在本专利技术的一个方式中，主体部中至少与熔断部接触的部分可以由具有0.05W·m－1·K－1以上且10.00W·m－1·K－1以下的导热系数的第一绝缘性材料构成。在本专利技术的一个方式中，主体部可以包括由具有0.05W·m－1·K－1以上且10.00W·m－1·K－1以下的导热系数的第一绝缘性材料构成的层，即，内部具有熔断器导体以及空洞部的层、和由具有比第一绝缘性材料高的强度的第二绝缘性材料构成的至少一个层。在所述的方式中，由第一绝缘性材料构成的层可以配置在由第二绝缘性材料构成的两个层之。在本专利技术的一个方式中，绝缘性材料可以是非磁性材料。在本专利技术的一个方式中，片式熔断器可以具有0.55mm以上且0.65mm以下的长度以及0.25mm以上且0.35mm以下的宽度。根据本专利技术，提供具有优异的熔断特性、且可以更小型化的新的片式熔断器。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式中的片式熔断器的概要剖视图。图2是图1的A－A线处的片式熔断器的概要剖视图。图3是沿图1的B－B线虚拟地切断来观察到的片式熔断器的概要俯视图。图4是与图3对应的图，并是表示片式熔断器中的熔断器导体的熔断部的一个改变例子的图。图5是与图3对应的图，并是表示片式熔断器中的熔断器导体的熔断部的另一个改变例子的图。图6是与图3对应的图，并是表示片式熔断器中的熔断器导体的熔断部的另一个改变例子的图。图7是本专利技术的图1所示的实施方式中的一个例示的片式熔断器的概要剖视图。图8是图8的A－A线处的片式熔断器的概要剖视图。图9是对本专利技术的图1所示的实施方式中的片式熔断器的制造方法进行说明的图。图10是对本专利技术的图7所示的例示的片式熔断器的制造方法进行说明的图。图11是对本专利技术的图7所示的例示的片式熔断器的一个使用方式进行说明的图。图12是对本专利技术的图7所示的例示的片式熔断器的另一个使用方式进行说明的图。图13是示意性地表示在本专利技术的实施例中为了形成熔断器导体而印刷的银糊剂的图案的图，(a)是示意性地表示印刷的银糊剂的图案的整个图像的俯视图，(b)～(d)分别是在实施例1～3中与印刷的银糊剂的熔断部对应的部分以及其附近(例示性地，(a)中由虚线包围的区域H)的放大示意图。图14是表示在本专利技术的实施例1～3中制成的片式熔断器的试料的评价结果的图表。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的一个实施方式中的片式熔断器以及其制造方法进行详述，但本专利技术并不限于所述的实施方式。如图1所示，本实施方式的片式熔断器10包括由绝缘性材料构成的主体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式熔断器，包括：由绝缘性材料构成的主体部、被配置在该主体部的内部且具有从该主体部露出的两端部的熔断器导体、以及分别覆盖该主体部的两端部且分别与该熔断器导体的两端部电连接的一对外部电极，其中，/n在上述主体部的内部存在空洞部，上述熔断器导体具有沿上述空洞部的壁面形成的熔断部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-1914851.一种片式熔断器，包括：由绝缘性材料构成的主体部、被配置在该主体部的内部且具有从该主体部露出的两端部的熔断器导体、以及分别覆盖该主体部的两端部且分别与该熔断器导体的两端部电连接的一对外部电极，其中，
在上述主体部的内部存在空洞部，上述熔断器导体具有沿上述空洞部的壁面形成的熔断部。


2.根据权利要求1所述的片式熔断器，其中，
上述空洞部具有相对于彼此向相反侧弯曲成凸状的对置的两个壁面，上述熔断器导体的熔断部沿该两个壁面的任意一个壁面形成。


3.根据权利要求1或者2所述的片式熔断器，其中，
上述主体部以及上述熔断器导体构成烧结体。


4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的片式熔断器，其中，
上述熔断部具有曲折形状。


5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的片式熔断器，其中，
上...

【专利技术属性】
技术研发人员：横沟荣治，假谷正敏，松原正志，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP