一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法及LDS线路板技术

本发明专利技术提供了一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，包括如下步骤：提供一具有台阶结构的基板；然后利用LDS技术对斜坡表面进行激光活化；再利用LDS技术对平台表面进行激光活化，斜坡上的激光光斑的运行轨迹与平台上的激光光斑的运行轨迹相互垂直；最后对活化区域进行金属化，在活化区域上制得化镀层。本发明专利技术通过在斜坡和平台上采用相互垂直的激光扫描方向，可以使斜坡和平台的交界处免受热效应的影响，避免在斜坡与平台的交界处附近出现塑胶材料堆积，进而改进化镀后化镀层的粗糙度，从而实现直接在塑胶材料的化镀层上进行键合，降低了线路板上线路连接的生产成本。

A method to reduce the coating roughness in LDS process and LDS circuit board

【技术实现步骤摘要】
一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法及LDS线路板
本专利技术属于LDS
，尤其涉及一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法及LDS线路板。
技术介绍
激光直接结构化(LDS)技术，利用计算机按照导电图形的轨迹控制激光的运动，将激光投照到塑料器件上，在几秒钟的时间内，活化出电路图案。现有常规的在具有台阶结构的基板上进行激光活化的工艺流程为：参看图1所示，在对基板进行激光活化时，其在台阶结构上的激光光斑的运行轨迹如图上箭头所示，激光束沿一个扫描方向直接从斜坡上扫描至平台上。现有的精密半导体线路连接是通过键合的工艺来实现，键合现在只能在PCB上进行，直接在塑胶材料的化镀层上进行键合还没有实现，主要原因是在于现有LDS工艺中化镀层的粗糙度过高，如图2所示，对通过采用现有常规的LDS工艺加工后的具有台阶结构的基板进行表面微观形貌扫描后发现，在进行激光扫描后，在斜坡与平台的交界处附近出现塑胶材料堆积区域，化镀后采用粗糙度测试仪测试，粗糙度值达到Ra3.5，参看图3所示，粗糙度值过大容易导致键合线脱点问题的发生，特别是对于小尺寸的键合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一基板，所述基板上具有台阶结构，所述台阶结构包括斜坡与平台；/n第一道激光处理：利用LDS技术对所述斜坡表面进行激光活化，得到第一导电区域；/n第二道激光处理：利用LDS技术对所述平台表面进行激光活化，得到第二导电区域，所述第一导电区域与所述第二导电区域相连，所述第一导电区域上的激光光斑的运行轨迹与所述第二导电区域上的激光光斑的运行轨迹相互垂直；/n对所述第一导电区域和所述第二导电区域进行金属化，形成第一化镀层和第二化镀层。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板，所述基板上具有台阶结构，所述台阶结构包括斜坡与平台；
第一道激光处理：利用LDS技术对所述斜坡表面进行激光活化，得到第一导电区域；
第二道激光处理：利用LDS技术对所述平台表面进行激光活化，得到第二导电区域，所述第一导电区域与所述第二导电区域相连，所述第一导电区域上的激光光斑的运行轨迹与所述第二导电区域上的激光光斑的运行轨迹相互垂直；
对所述第一导电区域和所述第二导电区域进行金属化，形成第一化镀层和第二化镀层。


2.根据权利要求1所述的降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，其特征在于，所述第二化镀层的表面粗糙度为1.5～2μm。


3.根据权利要求1所述的降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，其特征在于，所述基板的材质为LCP材料。


4.根据权利要求1所述的降低LDS工艺中化镀层粗糙度的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：马承文，薛阔，段明清，刘洪杰，陈田梦，翟后明，张文宇，
申请(专利权)人：上海安费诺永亿通讯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31