一种逆变电路控制方法及相关装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种逆变装置以及逆变装置的控制方法，该逆变装置包含逆变电路和控制单元，控制单元根据逆变电路的运行状态确定逆变电路的驱动方式，当逆变电路输出无功功率且输出电流幅值大于电流阈值时，控制单元采用全桥两电平双极性控制方式控制逆变电路，其他情况下控制单元采用三电平控制方式控制逆变电路，减少了横桥半导体开关器件在主动关断过程中被尖峰电压击穿的风险。

A control method of inverter circuit and related devices

【技术实现步骤摘要】
一种逆变电路控制方法及相关装置
本申请实施例涉及电学领域，尤其涉及一种逆变电路控制方法及相关装置。
技术介绍
逆变电路的应用非常广泛，在已有的各种电源中，蓄电池，太阳能电池等均是直流电源，当这些电源向交流负载供电时，需要采用逆变电路。另外，交流电机调速用变频器，不间断电源，感应加热电源等电力电子装置使用非常广泛，其电路的核心部分为逆变电路。逆变电路用于实现直流电压与交流电压的转换，其通过驱动半导体开关器件的通断实现直流电压到交流电压的转换。其中，单相三电平逆变电路为一种常见的逆变电路。当半导体开关器件有主动关断动作时，其在关断过程中会出现尖峰电压，且尖峰电压的电压应力与关断过程中流经半导体开关器件的电流成正相关，即流经的电流越大，电压应力越大，因此，在半导体开关器件有关断动作且关断过程中电流较大时，其有可能被尖峰电压击穿。
技术实现思路
本申请提供了一种逆变装置以及逆变电路控制方法，当逆变电路输出无功功率且输出电流大于电流阈值时，逆变电路采用全桥两电平双极性控制方式，横桥半导体开关器件没有主动关断动作。...

【技术保护点】
1.一种逆变装置，其特征在于，所述逆变装置包含逆变电路和控制单元，所述逆变电路用于将直流电转化为两个或两个以上电平，所述控制单元用于：/n获取逆变电路的输出电压和输出电流，所述输出电压包括输出电压方向和输出电压幅值，所述输出电流包括输出电流方向和输出电流幅值；/n根据输出电压方向和输出电流方向确定所述逆变电路的输出功率为有功功率或无功功率；/n当所述逆变电路输出无功功率且所述输出电流幅值大于电流阈值时，采用全桥两电平双极性控制方式控制所述逆变电路；/n当所述逆变电路输出有功功率，或者，所述逆变电路输出无功功率且输出电流幅值不大于电流阈值时，采用三电平控制方式控制所述逆变电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种逆变装置，其特征在于，所述逆变装置包含逆变电路和控制单元，所述逆变电路用于将直流电转化为两个或两个以上电平，所述控制单元用于：
获取逆变电路的输出电压和输出电流，所述输出电压包括输出电压方向和输出电压幅值，所述输出电流包括输出电流方向和输出电流幅值；
根据输出电压方向和输出电流方向确定所述逆变电路的输出功率为有功功率或无功功率；
当所述逆变电路输出无功功率且所述输出电流幅值大于电流阈值时，采用全桥两电平双极性控制方式控制所述逆变电路；
当所述逆变电路输出有功功率，或者，所述逆变电路输出无功功率且输出电流幅值不大于电流阈值时，采用三电平控制方式控制所述逆变电路。


2.根据权利要求1所述的逆变装置，其特征在于，所述逆变电路包括第一竖桥桥臂，第二竖桥桥臂，第一横桥桥臂和第二横桥桥臂；
所述第一竖桥桥臂包括第一开关器件和第二开关器件，所述第一开关器件的第一端连接第一直流电压源的正端，所述第一开关器件的第二端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第二开关器件的第一端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第二开关器件的第二端连接第二直流电压源的负端；
所述第二竖桥桥臂包括第三开关器件和第四开关器件，所述第三开关器件的第一端连接所述第一直流电压源的正端，所述第三开关器件的第二端连接所述逆变电路的第二输出端，所述第四开关器件的第一端连接所述逆变电路的第二输出端，所述第四开关器件的第二端连接所述第二直流电压源的负端；
所述第一直流电压源的负端连接电压参考点，所述第二直流电压源的正端连接所述电压参考点；
所述第一横桥桥臂包括第五开关器件和第六开关器件，所述第五开关器件的第一端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第六开关器件的第一端连接所述电压参考点，所述第五开关器件的第二端连接所述第六开关器件的第二端；
所述第二横桥桥臂包括第七开关器件和第八开关器件，所述第七开关器件的第一端连接所述逆变电路的第二输出端，所述第八开关器件的第一端连接所述电压参考点，所述第七开关器件的第二端连接所述第八开关器件的第二端。


3.根据权利要求2所述的逆变装置，其特征在于，所述控制单元具体用于：
控制所述逆变电路驱动所述第一开关器件至所述第四开关器件，且不驱动所述第五开关器件至所述第八开关器件。


4.根据权利要求2或3所述的逆变装置，其特征在于，所述第一开关器件至所述第八开关器件包括半导体器件。


5.根据权利要求4所述的逆变装置，其特征在于，所述第五开关器件至所述第八开关器件中任一开关器件包括两个或两个以上的半导体器件。


6.根据权利要求1所述的逆变装置，其特征在于，所述逆变电路包括第一竖桥桥臂，第二竖桥桥臂和第一横桥桥臂；
所述第一竖桥桥臂包括第一开关器件和第二开关器件，所述第一开关器件的第一端连接直流电压源的正端，所述第一开关器件的第二端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第二开关器件的第一端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第二开关器件的第二端连接所述直流电压源的负端；
所述第二竖桥桥臂包括第三开关器件和第四开关器件，所述第三开关器件的第一端连接所述直流电压源的正端，所述第三开关器件的第二端连接所述逆变电路的第二输出端，所述第四开关器件的第一端连接所述逆变电路的第二输出端，所述第四开关器件的第二端连接所述直流电压源的负端；
所述第一横桥桥臂包括第五开关器件和第六开关器件，所述第五开关器件的第一端连接所述逆变电路的第一输出端，所述第六开关器件的第一端连接逆变电路的第二输出端，所述第五开关器件的第二端连接所述第六开关器件的第二端。


7.根据权利要求6所述的逆变装置，其特征在于，所述控制单元具体用于：
控制所述逆变电路驱动所述第一开关器件至第四开关器件，且不驱动第五开关器件和第六开关器件。


8.根据权利要求6或7所述的逆变装置，其特征在于，所述第一开关器件至所述第六开关器件包括半导体器件。


9.根据权利要求6所述的逆变装置，其特征在于，所述第五开关器件或所述第六开关器件包括两个或两个以上的半导体器件。


10.根据权利要求4，5，8或9所述的逆变装置，其特征在于，所述半导体器件包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT及其反并联二极管和/或金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。


11.一种逆变装置，其特征在于，所述逆变装置包含逆变电路和控制单元，所述逆变电路用于将直流电转化为两个或两个以上电平，所述控制单元用于：
获取逆变电路的输出电压和输出电流，所述输出电压包括输出电压方向和输出电压幅值，所述输出电流包括输出电流方向和输出电流幅值；
根据输出电压方向和输出电流方向确定所述逆变电路的输出功率为有功功率或无功功率；
当所述逆变电路输出无功功率且所述输出电流幅值大于电流阈值时，采用全桥两电平双极性控制方式控制所述逆变电路；
当所述逆变电路输出有功功率且所述输出电压幅值小于电压阈值时，或者，当所述逆变电路输出无功功率，所述输出电流幅值不大于所述电流阈值，并且所述输出电压幅值小于所述电压阈值时，采用半桥两电平控制方式控制所述逆变电路；
当所述逆变电路输出有功功率且所述输出电压幅值不小于电压阈值时，或者，当所述逆变电路输出无功功率，所述输出电流幅值不大于所述电流阈值，并且所述输...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东，张彦忠，石磊，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44