记忆体辅助热传结构制造技术

本发明专利技术提供一种记忆体辅助热传结构，与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，该记忆体辅助热传结构，包含：一本体具有一第一端及一第二端及一中间段，所述中间段具有一受热侧及一接触侧，该受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置，所述接触侧与该水冷组件贴合组设，通过本发明专利技术的结构可减少记忆体单元与水冷组件间的摩擦以及填补间隙降低热阻现象的发生。

Memory assisted heat transfer structure

【技术实现步骤摘要】
记忆体辅助热传结构
本专利技术涉及一种记忆体辅助热传结构，尤指一种具耐磨且热传系数高可降低热阻抗的记忆体辅助热传结构。
技术介绍
现行电子设备中内部具有许多作为数据计算使用的电子芯片，而所述的这些电子芯片即为电子设备中产生热量的发热元件，传统一般针对发热元件进行解热通过热传元件(热管、均温板、散热器等)直接接触热源并对应设置散热风扇对热传元件进行强制散热，但随着计算能力越强的电子芯片进步伴随而来所产生的热量也是提升不少，故传统的解热方式已经无法满足，需通过水冷的方式进行解热。水冷主要通过于电子设备中设置水冷管路以及吸热使用的冷水头进行热交换，但电子设备中其中之一的发热源(记忆体单元)表面上具有复数芯片，所述的这些芯片必须直接贴设吸收热源的水冷头构件或水冷套件以进行冷却，而水冷套件一旦组装后需要重工的机会具有困难度，一般使用者无法自行更换内部损坏的电子元件例如记忆体单元，故必须将整组电子设备送回原厂后，由原厂进行记忆体单元及其他电子元件的更换，相当不便利。此外，当记忆体芯片封装的外部壳体(即金属或陶瓷材质)与水冷套件接触的外表面常因插拔产生摩擦，容易于记忆体芯片封装的外部壳体表面产生刮痕而形成热阻现象或破坏外部壳体令记忆体芯片裸露而遭受污染。另者，当水冷套件管路表面因与记忆体芯片封装的外部壳体产生摩擦而令水冷套件管路易发生破损的现象，进而造成漏水进而使记忆体短路损毁，则不论在组装时或是重工时都将会因摩擦而产生上述的问题待改善。故如何解决电子设备散热以及自行排除电子元件故障的问题，则为现行业者首要解决的目标。
技术实现思路
爰此，为有效解决上述的问题，本专利技术的主要目的，系提供一种提升记忆体的芯片表面与水冷组件表面耐磨性且提升热传系数并可降低热阻抗的记忆体辅助热传结构。为达上述的目的，本专利技术提供一种记忆体辅助热传结构，与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，其特征在于，该记忆体辅助热传结构包含：一本体，具有一第一端、一第二端及一中间段，所述中间段两端延伸连接前述第一端、第二端，所述中间段具有一受热侧及一接触侧，所述受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置，所述接触侧与该水冷组件组设。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述接触侧具有一耐磨层，所述耐磨层通过表面处理或镀层方式成形于该接触侧。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述接触侧具有一耐磨层，所述耐磨层通过电镀方式成形于该接触侧。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述本体具有弹性，所述中间段施加外力与该记忆体单元上的芯片表面紧密贴合，当外力移除即恢复原状远离该记忆体单元上的芯片表面。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述本体的材质是金、银、铜、铁、铝、钛、铜合金、铝合金、钛合金、石墨、陶瓷其中任一。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述受热侧具有一导热介质，该导热介质为银散热膏、发泡铜、发泡铝、导热胶、gappad其中任一。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述水冷组件是一水冷冷却管，所述接触侧通过摩擦的方式与该水冷组件接触结合。所述的记忆体辅助热传结构，其中：该中间段与该第一端、第二端间分别具有一第一夹角及一第二夹角，所述第一夹角、第二夹角均大于或等于90度。所述的记忆体辅助热传结构，其中：所述本体的第一端及该第二端呈倾斜状。本专利技术的记忆体辅助热传结构可提供记忆体通过水冷散热时，可设置于水冷元件与记忆体单元之间，以增加记忆体单元的芯片与水冷组件的表面耐磨性，并进一步填充间隙，并提供具耐磨及导热性质佳的特性，如此有助于使用者可自行更换记忆体单元，且多次更换也不伤害水冷组件及记忆体单元的芯片。附图说明图1是本专利技术的记忆体辅助热传结构第一实施例的立体分解图；图1a是本专利技术的记忆体辅助热传结构第一实施例的剖视图；图2是本专利技术的记忆体辅助热传结构第一实施例的组合图；图3是本专利技术的记忆体辅助热传结构第二实施例的立体分解图；图4是本专利技术的记忆体辅助热传结构的操作示意图；图5是本专利技术的记忆体辅助热传结构的剖视图。附图标记说明：本体1；第一端11；第一夹角111；第二端12；第二夹角121；中间段13；受热侧131；导热介质1311；接触侧132；耐磨层1321；记忆体单元2；芯片21；水冷组件3。具体实施方式本专利技术的上述目的及其结构与功能上的特性，将依据所附图式的较佳实施例予以说明。请参阅图1、图1a、图2，是本专利技术的记忆体辅助热传结构第一实施例的立体分解及剖视与组合图，如图所示，本专利技术记忆体辅助热传结构与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，该记忆体辅助热传结构，包含：一本体1；所述本体1具有一第一端11及一第二端12及一中间段13，所述中间段13两端延伸连接前述第一、二端11、12，所述该中间段13与该第一、二端11、12间可具有夹角或曲面或弧面等，其中该夹角系包况一第一夹角111及一第二夹角121，所述第一、二夹角111、121大于等于90度，所述第一、二端11、12与所述记忆体单元2对应设置。所述中间段13具有一受热侧131及一接触侧132并分别设置于该中间段13的两侧，该受热侧131与该记忆体单元2上所设的至少一芯片21对应设置，所述接触侧132与该水冷组件3贴合组设。所述中间段13的接触侧132具有一耐磨层1321，所述耐磨层1321通过电镀、表面处理或镀层其中任一方式成形于该接触侧132，其作用在于增加接触侧132的耐磨性，所述本体1具有弹性，于所述中间段13施加外力时与该记忆体单元2上的芯片21表面紧密贴合，当外力移除即恢复原状远离该记忆体单元2上的芯片21表面，所述受热侧131具有一导热介质1311，该导热介质1311为银散热膏、发泡铜、发泡铝、导热胶(膏)、gappad其中任一。所述本体1是一导热性质较佳的材质如金、银、铜、铁、铝、钛、铜合金、铝合金、钛合金、石墨、陶瓷其中任一。所述本体1的第一端11及该第二端12呈一倾斜状，所述水冷组件3是一水冷冷却管，所述接触侧132通过插(卡)接的摩擦方式与该水冷组件3接触结合(参阅图3所示)并通过该第一端11或第二端12与本体1产生的斜面或曲面可提升本体1与水冷组件3组合的便利性便于导入结合。请参阅图3，是本专利技术的记忆体辅助热传结构第二实施例的立体分解图，如图所示，本专利技术记忆体辅助热传结构与前述第一实施例部分结构相同，故在此将不再赘述，然而本实施例与前述第一实施例不同处在于，所述记忆体单元2前、后(或左、右)两侧同时设置有复数芯片21，本实施例同时选用两本体1贴附于前述记忆体单元2的前、后两侧，并当该本体1中间段13受到外力加压，则该中间段13的受热侧131则向所述的这些芯片21靠近并直接贴(接)设，如此通过该本体1同时对该记忆体单元2两侧进行热传导。请参阅图4、图5，是本专利技术的记忆体辅助热传结构的操作示意图及剖视图，如图所示，本专利技术记忆体辅助热传结构主要应用于电子设备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种记忆体辅助热传结构，与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，其特征在于，该记忆体辅助热传结构包含：/n一本体，具有一第一端、一第二端及一中间段，所述中间段两端延伸连接前述第一端、第二端，所述中间段具有一受热侧及一接触侧，所述受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置，所述接触侧与该水冷组件组设。/n

【技术特征摘要】
1.一种记忆体辅助热传结构，与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，其特征在于，该记忆体辅助热传结构包含：
一本体，具有一第一端、一第二端及一中间段，所述中间段两端延伸连接前述第一端、第二端，所述中间段具有一受热侧及一接触侧，所述受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置，所述接触侧与该水冷组件组设。


2.根据权利要求1所述的记忆体辅助热传结构，其特征在于：所述接触侧具有一耐磨层，所述耐磨层通过表面处理或镀层方式成形于该接触侧。


3.根据权利要求1所述的记忆体辅助热传结构，其特征在于：所述接触侧具有一耐磨层，所述耐磨层通过电镀方式成形于该接触侧。


4.根据权利要求1所述的记忆体辅助热传结构，其特征在于：所述本体具有弹性，所述中间段施加外力与该记忆体单元上的芯片表面紧密贴合，当外力移除即恢复原状远离该记忆体单元上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嵩蔚，
申请(专利权)人：深圳兴奇宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44