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一种宽带近红外发光材料及其制备方法和应用技术

技术编号:24075216 阅读:43 留言:0更新日期:2020-05-09 02:31
本发明专利技术公开了一种宽带近红外发光材料及其制备方法和应用。宽带近红外发光材料的化学式为:Gd

A broadband near infrared luminescent material and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种宽带近红外发光材料及其制备方法和应用
本专利技术属于发光材料
,具体涉及宽带近红外发光材料及其制备方法和应用。
技术介绍
近红外(650–2500nm)发光材料在太阳能光谱模拟、太阳能电池光谱转换和近红外光谱分析技术等领域有着非常重要的应用。宽带近红外发光光源可以应用于无损检测、人脸识别和生物医疗等领域。红外LED芯片存在发光范围窄、效率低和成本高等问题。钨灯和卤素灯的近红外发光效率低且不能小型化。相比而言,采用“可见光LED+近红外发光材料”的荧光粉转换型光源的发光效率高、成本低且体积小。为此,研究人员开发出了一系列可被可见光激发的宽带近红外发光材料及其发光器件,例如中国专利CN107573937A、CN108795424A、CN109913209A、CN108913135A和CN110093160A,美国专利US20100320480A1、US9528876B2和US20180358514A1,以及非专利文献(JournalofLuminescence202(2018)523–531)公布了一系列石榴石结构型近红外发光材料X3Sc本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料的化学式为Gd

【技术特征摘要】
1.一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料的化学式为Gd3-xRexSc2-y-zCryAlzGa3O12,化学式中的Re为Bi、La、Tb、Y和Lu中的一种或多种组合。


2.根据权利要求1所述的一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述化学式中的x、y、z的取值范围分别为:0≤x≤0.3,0.01≤y≤0.2,0.2≤z<2。


3.根据权利要求1所述的一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料的基质晶格具有石榴石晶体结构,属于立方晶系。


4.根据权利要求1所述的一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料的化学式中的Cr元素为Cr3+离子。


5.根据权利要求1所述的一种宽带近红外发光材料,其特征在于,所述的发光材料在波长为400–700nm的可见光激发下,发射700–1000nm的宽带近红外光。


6.采用权利要求1~5任一所述宽带近红外发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:根据发光材料化学式Gd3-xRexSc2-y-zCryAlzGa3O12中各个元素的摩尔质量比分别称取各个元素的化合物作为原料;
步骤2:在步骤1称取的原料中加入助熔剂后充分研...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖文戈邱建荣刘小峰
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江;33

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