微机电系统传感器封装方法及封装结构技术方案

技术编号:24070791 阅读:45 留言:0更新日期:2020-05-09 01:16
本发明专利技术公开了一种微机电系统传感器封装方法及封装结构,所述方法包括:依次在上盖板下表面间隔设置的第一粘附层、第二粘附层和第三粘附层,第二粘附层与第三粘附层的距离大于第二粘附层与第三粘附层的距离;在第二种子层的表面开始进行电镀,第一种子层、第二种子层和第三种子层的表面生成不同厚度的电镀金属层;蚀刻生成位于上盖板下表面的第一电极结构、屏蔽结构、以及第一键合结构;在下盖板上表面生成第二电极结构以及第二键合结构;将上盖板的第一键合结构对准下盖板的第二键合结构,进行键合封装。本发明专利技术的技术方案能够减少外界环境信号干扰,提高测量结果的准确性。

Packaging method and structure of MEMS sensor

【技术实现步骤摘要】
微机电系统传感器封装方法及封装结构
本专利技术涉及电子器件封装
,尤其涉及一种微机电系统传感器封装方法及封装结构。
技术介绍
MEMS(MicroElectroMechanicalSystems,微机电系统)电容式传感器是基于MEMS工艺制作出的电容极板,MEMS传感器依据外界环境变化转换为电容变化,从而实现传感器的电信号转换。MEMS传感器是一种精密的电子元件,在MEMS传感器的工作时,易受到外界环境信号干扰,导致测量结果出现不准确情况。上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
基于此,针对MEMS传感器易受到外界环境信号干扰,导致测量结果出现不准确的问题,有必要提供一种微机电系统传感器封装方法及封装结构,能够减少外界环境信号干扰,提高测量结果的准确性。为实现上述目的,本专利技术提出的一种微机电系统传感器封装方法,所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板,所述方法包括:在所述上盖板下表面间隔设置第一粘附层、第二粘附层和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电系统传感器封装方法,其特征在于,所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板,所述方法包括:/n在所述上盖板下表面间隔设置第一粘附层、第二粘附层和第三粘附层,所述第二粘附层与所述第三粘附层的距离大于所述第二粘附层与所述第一粘附层的距离;/n在所述第一粘附层下表面设置第一种子层,所述第二粘附层下表面设置第二种子层,所述第三粘附层下表面设置第三种子层;/n在所述第二种子层的表面进行电镀,所述第一种子层、所述第二种子层和所述第三种子层的表面生成不同厚度的电镀金属层;/n进行蚀刻腐蚀,生成位于所述上盖板下表面的第一电极结构、围设于所述第一电极结构的屏蔽结构、以及位于所述屏...

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统传感器封装方法,其特征在于,所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板,所述方法包括:
在所述上盖板下表面间隔设置第一粘附层、第二粘附层和第三粘附层,所述第二粘附层与所述第三粘附层的距离大于所述第二粘附层与所述第一粘附层的距离;
在所述第一粘附层下表面设置第一种子层,所述第二粘附层下表面设置第二种子层,所述第三粘附层下表面设置第三种子层;
在所述第二种子层的表面进行电镀,所述第一种子层、所述第二种子层和所述第三种子层的表面生成不同厚度的电镀金属层;
进行蚀刻腐蚀,生成位于所述上盖板下表面的第一电极结构、围设于所述第一电极结构的屏蔽结构、以及位于所述屏蔽结构背向所述第一电极结构方向的第一键合结构;
在所述下盖板上表面对应所述第一电极结构生成第二电极结构、以及对应所述第一键合结构生成第二键合结构;
将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构,进行键合封装。


2.如权利要求1所述的微机电系统传感器封装方法,其特征在于,所述在所述第二种子层的表面进行电镀,所述第一种子层、所述第二种子层和所述第三种子层的表面生成不同厚度的电镀金属层的步骤之前包括:
在所述第一种子层下表面和所述第三种子层下表面设置第一光刻胶结构;
所述在所述第二种子层的表面进行电镀,所述第一种子层、所述第二种子层和所述第三种子层的表面生成不同厚度的电镀金属层的步骤之后包括:
去除所述第一光刻胶结构,并进行涂胶,保护相应位置的所述电镀金属层。


3.如权利要求2所述的微机电系统传感器封装方法,其特征在于,所述下盖板包括硅层和设置于所述硅层上表面的第一保护层、以及设置于所述硅层下表面的第二保护层,所述将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构,进行键合封装的步骤之前包括:
在对应所述屏蔽结构的所述第一保护层位置开设第一凹槽;
将所述屏蔽结构面向所述下盖板一端插设于所述第一凹槽内,且所述屏蔽结构与所述硅层抵接。


4.如权利要求3所述的微机电系统传感器封装方法,其特征在于,所述将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构,进行封装键合的步骤之后还包括:
对所述硅层进行离子注入。

【专利技术属性】
技术研发人员:邱文瑞王德信
申请(专利权)人:青岛歌尔智能传感器有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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