当前位置: 首页 > 专利查询>张少波专利>正文

一种脉冲电路和应用该脉冲电路的电磁脉冲打孔器制造技术

技术编号:24058744 阅读:37 留言:0更新日期:2020-05-07 17:13
本实用新型专利技术提供一种脉冲电路和应用该脉冲电路的电磁脉冲打孔器,脉冲电路包括电源部分、隔离输入部分、中央处理部分和隔离驱动部分,隔离驱动部分接收脉冲序列控制电源部分产生的高度稳定的直流电源通过输出端输出,以及用于吸收隔离驱动部分电路中多余的能量和输出端产生的破坏能量,向连接输出端的负载提供稳定的脉冲能量同时电路的稳定性高。采用上述脉冲电路的电磁脉冲打孔器,线圈连接脉冲电路的输出端,通过脉冲电路输出的瞬间高能量和惯性保持冲孔杆的冲孔动作,功耗小,电磁铁和线圈产生的破坏能量脉冲电路可以自行卸放,电路的稳定性高,冲孔的流程性高。

A kind of pulse circuit and electromagnetic pulse puncher using the pulse circuit

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲电路和应用该脉冲电路的电磁脉冲打孔器
本技术涉及脉冲输出设备
,尤其涉及一种脉冲电路和应用该脉冲电路的电磁脉冲打孔器。
技术介绍
冲孔机是在材料上加工出孔的自动化设备,能够实现自动冲孔的冲孔模具,旧时的冲孔机通常采用压缩空气作为动力进行打孔。存在缺点是其内部结构复杂,利用压缩空气作为动力使用起来局限性大、很不方便,在没有压缩空气的条件下不能使用。而目前的技术中的冲孔机中,例如申请号为201721210409.1的中国技术专利,冲孔机通过电磁力作为动力进行打孔,解决了旧时的冲孔机局限性大和不方便的问题。现有技术中的电磁冲孔机是通过开关的闭合与断开控制电源和线圈所在串联电路的接通与断开,从而控制被线圈缠绕的电磁铁的带磁与不带磁。通电后带磁的电磁铁吸引与冲孔杆连接的铁块,使得冲孔杆向下运动进行冲孔。对此,现有技术中的电磁冲孔机存在以下不足之处:1、冲孔杆在冲孔过程中,电源要一直向线圈供电,使电磁铁一直保持磁力,才能保持冲孔杆的冲孔动作,功耗大;2、由于电源和缠绕电磁铁的线圈是串联连接的,电磁铁产生的破坏能量串联电路中无法进行处理,破坏能量对电源和电路的影响大,如果简单地增设缓冲元件,由会影响原电路的流畅性,还会进一步地增加功耗。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种脉冲电路,以及解决现有冲孔器冲孔过程中需要一直供电问题,并且进一步地优化控制电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种脉冲电路,包括电源部分、隔离输入部分、中央处理部分和隔离驱动部分;电源部分将宽范围的脉动直流电源,转化为高度稳定的直流电源,并为整个脉冲电路供电;隔离输入部分产生电源电压镜像,中央处理部分采集电源电压镜像后经过运算得到实际的电源值;中央处理部分将采集的电源电压经过运算转换为脉冲序列输出至隔离驱动部分;隔离驱动部分接收脉冲序列控制电源部分产生的高度稳定的直流电源通过输出端输出,以及用于吸收隔离驱动部分电路中多余的能量和输出端产生的破坏能量。进一步的,所述隔离驱动部分包括正脉冲部分和负脉冲部分;所述正脉冲部分包括光耦三极管ISO1、稳压二极管D3、PNP三极管Q4、NMOS管Q8,光耦三极管ISO1的集电极连接稳压二极管D3的正极,发射极连接NMOS管Q8的源极,PNP三极管Q4的发射极连接参考电压,基极连接稳压二极管D3的负极、通过电阻R4连接参考电压,集电极连接NMOS管Q8的栅极,稳压二极管D3的反向击穿电压小于参考电压,NMOS管Q8的漏极连接电源部分,源极连接输出端OUT;所述负脉冲部分包括光耦三极管ISO2、稳压二极管D4、PNP三极管Q5、NMOS管Q9,光耦三极管ISO2的集电极连接稳压二极管D4的正极,发射极连接NMOS管Q9的源极,PNP三极管Q5的发射极连接参考电压,基极连接稳压二极管D4的负极、通过电阻R5连接参考电压,集电极连接NMOS管Q9的栅极,稳压二极管D4的反向击穿电压小于参考电压,NMOS管Q9的漏极连接输出端OUT,源极连接公共地COM;隔离驱动部分通过光耦三极管ISO1和光耦三极管ISO2接收脉冲序列,并且光耦三极管ISO1和光耦三极管ISO2之间形成互锁。进一步的,输出端OUT和公共地COM之间并联有尖峰吸收回路,尖峰吸收回路用于吸收负载及线路产生的破坏能量。进一步的,输出端OUT、电阻R36、电容C7、公共地COM依次连接,电容C7并联有电阻R3。进一步的,所述正脉冲部分还包括NMOS管Q6和NPN三极管Q1,NMOS管Q6的栅极连接光耦三极管ISO1的集电极、通过电阻R6连接PNP三极管Q4的基极,漏极连接NMOS管Q8的栅极,源极连接输出端OUT,电阻R6远大于电阻R4,NPN三极管Q1的基极通过电阻R19和电阻R28连接输出端OUT、通过电阻R19和电阻R22连接NMOS管Q8的栅极,集电极连接光耦三极管ISO1的基极,发射极连接输出端OUT,电阻R22远大于电阻R19远大于电阻R28。进一步的,所述负脉冲部分还包括NMOS管Q7和NPN三极管Q2,NMOS管Q7的栅极连接光耦三极管ISO2的集电极、通过电阻R8连接PNP三极管Q5的基极,漏极连接NMOS管Q9的栅极,源极连接公共地COM,电阻R8远大于电阻R5,NPN三极管Q2的基极通过电阻R21和电阻R30连接公共地COM、通过电阻R21和电阻R27连接NMOS管Q9的栅极,集电极连接光耦三极管ISO2的基极,发射极连接公共地COM,电阻R27远大于电阻R21远大于电阻R30。一种电磁脉冲打孔器,包括外壳、电磁铁柱、冲孔杆和控制电源,冲孔杆由绝缘杆体、在绝缘杆体的顶部设置的衔铁块和在绝缘杆体的底部设置的冲孔头组成,外壳内设有行程腔,绝缘杆体竖直地设置在行程腔的中部,电磁铁柱设置在衔铁块的下方,电磁铁柱上缠绕有线圈,线圈连接控制电源,控制电源向线圈供电时衔铁块会被电磁铁柱吸引,带动冲孔头向下动作,衔铁块上方连接有复位弹簧,控制电源关闭时,复位弹簧弹性复原带动冲孔杆复位,所述控制电源包括上述的脉冲电路,所述脉冲电路的输出端连接线圈,脉冲电路输出一瞬间的高功率的能量使衔铁块会被电磁铁柱吸引,冲孔头依靠惯性向下动作。进一步的,所述冲孔头可拆卸的设置在绝缘杆体的底部。进一步的,所述冲孔头的头部具有锯齿牙。本技术的有益效果是:1、脉冲电路通过隔离驱动部分接收脉冲序列控制电源部分产生的高度稳定的直流电源通过输出端输出,以及用于吸收输出端产生的破坏能量,向连接输出端的负载提供稳定的脉冲能量同时电路的稳定性高。2、采用上述脉冲电路的电磁脉冲打孔器,通过脉冲电路输出的瞬间高能量和惯性保持冲孔杆的冲孔动作,功耗小,电磁铁和线圈产生的破坏能量脉冲电路可以自行卸放,电路的稳定性高,冲孔的流程性高。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术脉冲电路的电路图;图2是本技术脉冲电路的隔离驱动部分的电路图;图3是本技术电磁脉冲打孔器的结构示意图。附图标记:1、电源部分;2、隔离输入部分;3、中央处理部分;4、隔离驱动部分;5、外壳;51、行程腔;6、电磁铁柱;7、冲孔杆;71、绝缘杆体;72、衔铁块;73、冲孔头;731、锯齿牙;8、线圈;9、复位弹簧。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明,以使本领域技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施,但所举实施例不作为对本技术的限定。一种脉冲电路,包括电源部分1、隔离输入部分2、中央处理部分3和隔离驱动部分4;电源部分1将宽范围的脉动直流电源,转化为高度稳定的直流电源,并为整个脉冲电路供电;隔离输入部分2产生电源电压镜像,中央处理部分3分采集电源电压镜像后经过运算得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲电路,其特征在于:包括电源部分(1)、隔离输入部分(2)、中央处理部分(3)和隔离驱动部分(4);/n电源部分(1)将宽范围的脉动直流电源,转化为高度稳定的直流电源,并为整个脉冲电路供电;/n隔离输入部分(2)产生电源电压镜像,中央处理部分(3)分采集电源电压镜像后经过运算得到实际的电源值;/n中央处理部分(3)将采集的电源电压经过运算转换为脉冲序列输出至隔离驱动部分(4);/n隔离驱动部分(4)接收脉冲序列控制电源部分(1)产生的高度稳定的直流电源通过输出端输出,以及用于吸收隔离驱动部分(4)电路中多余的能量和输出端产生的破坏能量。/n

【技术特征摘要】
1.一种脉冲电路,其特征在于:包括电源部分(1)、隔离输入部分(2)、中央处理部分(3)和隔离驱动部分(4);
电源部分(1)将宽范围的脉动直流电源,转化为高度稳定的直流电源,并为整个脉冲电路供电;
隔离输入部分(2)产生电源电压镜像,中央处理部分(3)分采集电源电压镜像后经过运算得到实际的电源值;
中央处理部分(3)将采集的电源电压经过运算转换为脉冲序列输出至隔离驱动部分(4);
隔离驱动部分(4)接收脉冲序列控制电源部分(1)产生的高度稳定的直流电源通过输出端输出,以及用于吸收隔离驱动部分(4)电路中多余的能量和输出端产生的破坏能量。


2.根据权利要求1所述的一种脉冲电路,其特征在于:所述隔离驱动部分(4)包括正脉冲部分和负脉冲部分;
所述正脉冲部分包括光耦三极管ISO1、稳压二极管D3、PNP三极管Q4、NMOS管Q8,
光耦三极管ISO1的集电极连接稳压二极管D3的正极,发射极连接NMOS管Q8的源极,
PNP三极管Q4的发射极连接参考电压,基极连接稳压二极管D3的负极、通过电阻R4连接参考电压,集电极连接NMOS管Q8的栅极,稳压二极管D3的反向击穿电压小于参考电压,
NMOS管Q8的漏极连接电源部分(1),源极连接输出端OUT;
所述负脉冲部分包括光耦三极管ISO2、稳压二极管D4、PNP三极管Q5、NMOS管Q9,
光耦三极管ISO2的集电极连接稳压二极管D4的正极,发射极连接NMOS管Q9的源极,
PNP三极管Q5的发射极连接参考电压,基极连接稳压二极管D4的负极、通过电阻R5连接参考电压,集电极连接NMOS管Q9的栅极,稳压二极管D4的反向击穿电压小于参考电压,
NMOS管Q9的漏极连接输出端OUT,源极连接公共地COM;
隔离驱动部分(4)通过光耦三极管ISO1和光耦三极管ISO2接收脉冲序列,并且光耦三极管ISO1和光耦三极管ISO2之间形成互锁。


3.根据权利要求2所述的一种脉冲电路,其特征在于:输出端OUT和公共地COM之间并联有尖峰吸收回路,尖峰吸收回路用于吸收负载及线路产生的破坏能量。


4.根据权利要求3所述的一种脉冲电路,其特征在于:输出端OUT、电阻R36、电容C7、公共地COM依次连接,电容C7并联有电阻R3。


5.根据权利要求3所述的一种脉冲电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:张少波
申请(专利权)人:张少波
类型:新型
国别省市:湖北;42

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1