【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扫描电子显微镜
本专利技术涉及扫描电子显微镜，其具有针对二次电子的检测能量的筛选性能。
技术介绍
众所周知一种扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope、以下称为“SEM”)，其照射会聚于样品上的电子束，并在扫描时检测在各照射位置产生的信号电子，通过将各点的信号强度与照射电子束的扫描信号同步显示，从而得到样品表面的扫描区域的二维图像。作为SEM主要的检测对象的信号电子，可分类为：能量为几十eV以下的二次电子(SecondaryElectron，以下称为“SE”)、以及具有比SE高能量且对样品的照射能量以下的能量的背散射电子(BackscatteredElectron，以下称为“BSE”)。图1示出了对一般的样品照射能量E0的照射电子束时产生的SE和BSE的能量分布的例。能量分布3的信号电子为SE，能量分布4的信号电子为BSE。信号电子的产生量取决于照射能量和入射电流量，通常SE比BSE多。在样品表面产生的SE的产生量取决于于表面电位、表面凹凸形状而发生变化。因此，若筛选并检测SE，则...
【技术保护点】
1.一种扫描电子显微镜，其特征在于，具有：/n电子光学系统，其具有产生照射电子束的电子源和使上述照射电子束会聚于样品上的物镜；/n检测器，其配置于上述电子光学系统的光轴外，对因上述照射电子束照射至上述样品而产生的信号电子进行检测；/n偏转电极，其形成将上述信号电子引导至上述检测器的偏转场；/n圆盘状电极，其配置于比上述偏转场靠上述电子源侧，且具有使上述照射电子束穿过的开口部；以及/n第一控制电极及第二控制电极，其在比上述偏转场靠上述样品侧沿上述光轴配置，/n上述样品及上述物镜设为基准电位，/n对上述圆盘状电极施加比上述基准电位低的电位，对上述第一控制电极及上述第二控制电极分...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种扫描电子显微镜，其特征在于，具有：
电子光学系统，其具有产生照射电子束的电子源和使上述照射电子束会聚于样品上的物镜；
检测器，其配置于上述电子光学系统的光轴外，对因上述照射电子束照射至上述样品而产生的信号电子进行检测；
偏转电极，其形成将上述信号电子引导至上述检测器的偏转场；
圆盘状电极，其配置于比上述偏转场靠上述电子源侧，且具有使上述照射电子束穿过的开口部；以及
第一控制电极及第二控制电极，其在比上述偏转场靠上述样品侧沿上述光轴配置，
上述样品及上述物镜设为基准电位，
对上述圆盘状电极施加比上述基准电位低的电位，对上述第一控制电极及上述第二控制电极分别施加互相不同的比上述基准电位高的电位。
2.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，
上述第二控制电极配置于比上述第一控制电极靠上述偏转电极侧，
施加于上述第二控制电极的电位相比施加于上述第一控制电极的电位为高电位。
3.根据权利要求2所述的扫描电子显微镜，其特征在于，
上述第一控制电极以将从上述样品发射出的上述信号电子引导至上述物镜的方式控制上述信号电子的轨迹，
上述第二控制电极控制穿过了上述物镜的极片的上述信号电子的轨迹。
4.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，
施加于上述第一控制电极及上述第二控制电极的电压是比上述照射电子束的加速电压小一位数以上的电压。
5.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，
上述偏转场由互相对置配置的第一偏转电极和网状的第二偏转电极形成，
上述第二偏转电极配置于上述检测器侧，且设为比上述第一偏转电极高的电位。
6.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，
上述偏转场由互相对置配置的第一偏转电极和中空状的第二偏转电极形成，
上述第二偏转电极配置于上述检测器侧，且设为比上述第一偏转电极高的电位。
7.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，具有：
透镜电极，其配置于上述偏转场与上述检测器之间；以及
减速电场过滤...
【专利技术属性】
技术研发人员：森下英郎，扬村寿英，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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