一种SSD上电恢复方法、系统及主机技术方案

本发明专利技术公开了一种SSD上电恢复方法，应用于包含多核主控芯片的SSD。本申请将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中。在主机上电后，本申请利用多核主控芯片并行从NAND颗粒中读取多个L2P子表，然后利用多核主控芯片并行将读取的多个L2P子表的内容恢复到SSD的DDR内存中。可见，本申请通过并行恢复方式缩短了SSD的上电恢复时间，从而缩短了SSD所在主机的开机时间。本发明专利技术还公开了一种SSD上电恢复系统及主机，与上述上电恢复方法具有相同的有益效果。

A method, system and host of SSD power on recovery

【技术实现步骤摘要】
一种SSD上电恢复方法、系统及主机
本专利技术涉及存储领域，特别是涉及一种SSD上电恢复方法、系统及主机。
技术介绍
SSD(SolidStateDrives，固态硬盘)的上电恢复时间是一个重要性能指标。SSD的上电恢复时间越短，SSD进入工作状态就越快；反之，SSD的上电恢复时间越长，SSD进入工作状态就越慢，这会直接影响SSD所在主机的开机时间。目前，SSD的上电恢复过程主要包括：从SSD的NAND(非易失性存储颗粒)中读取到关键元数据(如L2P(LogicalToPhysicalTable，逻辑块到物理块的映射表)等数据信息)和配置信息，并将读取到的关键元数据和配置信息恢复到SSD的DDR(DoubleDataRate，双倍速率)内存中。现有技术中，L2P表采用非对齐方式存储，即一个L2P不再以4字节大小表示，而是以实际占用位数表示，可以有效降低L2P表占用DDR内存的存储空间，但这会导致一个L2P跨越两个4字节，这样的话，不能再以4字节大小直接更新DDR内存中保存的L2P表，通常采用异或方式更新DDR内存中保存的L2P表，但异或方式需要提前从DDR内存中读取L2P表，还要经过两次异或操作才能实现L2P表的更新，直接导致SSD的上电恢复时间延长，达到分钟级别，从而导致SSD所在主机的开机时间较长。因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域的技术人员目前需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种SSD上电恢复方法、系统及主机，通过并行恢复方式缩短了SSD的上电恢复时间，从而缩短了SSD所在主机的开机时间。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种SSD上电恢复方法，应用于包含多核主控芯片的SSD，包括：将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中；在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表；利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中。优选地，所述将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中的过程，包括：预先在所述DDR内存中预留一定大小的缓存区；其中，所述缓存区包括更新区和表格区；按照所述表格区的大小，将所述L2P表分为若干段，并对所述L2P表划分的段进行编号；其中，多段L2P表内容组成一个L2P子表；在所述主机工作过程中，将出现变化的LBA和PBA的映射信息依次写入所述更新区；在每次所述更新区被填充满后，均从所述L2P表中按编号顺序循环截取一段表格内容填充满所述表格区，并将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中；相应的，所述在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表的过程，包括：在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表对应的表格区内容和更新区内容；所述利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中的过程，包括：利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表对应的表格区内容恢复到所述DDR内存中，并根据所述更新区内容对所述DDR内存中的表格区内容进行打补丁操作。优选地，所述更新区包括用于写入出现变化的LBA和PBA的映射信息的内容区和用于写入所述内容区的映射信息数量的属性区。优选地，所述预先在所述DDR内存中预留一定大小的缓存区的过程，包括：预先在所述DDR内存中预留多个一定大小的缓存区，以依次填充满多个缓存区并将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中。优选地，所述将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中的过程，包括：采用快照技术将填充满的缓存区存至所述NAND颗粒中。优选地，所述将L2P表划分为多个L2P子表的过程，包括：将所述L2P表划分为前后两部分，得到两个L2P子表。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种SSD上电恢复系统，应用于包含多核主控芯片的SSD，包括：划分模块，用于将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中；读取模块，用于在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表；恢复模块，用于利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中。优选地，所述划分模块具体用于：预先在所述DDR内存中预留一定大小的缓存区；其中，所述缓存区包括更新区和表格区；按照所述表格区的大小，将所述L2P表分为若干段，并对所述L2P表划分的段进行编号；其中，多段L2P表内容组成一个L2P子表；在所述主机工作过程中，将出现变化的LBA和PBA的映射信息依次写入所述更新区；在每次所述更新区被填充满后，均从所述L2P表中按编号顺序循环截取一段表格内容填充满所述表格区，并将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中；相应的，所述读取模块具体用于：在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表对应的表格区内容和更新区内容；所述恢复模块具体用于：利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表对应的表格区内容恢复到所述DDR内存中，并根据所述更新区内容对所述DDR内存中的表格区内容进行打补丁操作。优选地，所述更新区包括用于写入出现变化的LBA和PBA的映射信息的内容区和用于写入所述内容区的映射信息数量的属性区。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种主机，包括：包含多核主控芯片的SSD；其中，所述SSD采用上述任一种SSD上电恢复方法进行上电恢复。本专利技术提供了一种SSD上电恢复方法，应用于包含多核主控芯片的SSD。本申请将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中。在主机上电后，本申请利用多核主控芯片并行从NAND颗粒中读取多个L2P子表，然后利用多核主控芯片并行将读取的多个L2P子表的内容恢复到SSD的DDR内存中。可见，本申请通过并行恢复方式缩短了SSD的上电恢复时间，从而缩短了SSD所在主机的开机时间。本专利技术还提供了一种SSD上电恢复系统及主机，与上述上电恢复方法具有相同的有益效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种SSD上电恢复方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种缓存区的原理图；图3为本专利技术实施例提供的一种SSD上电恢复系统的结构示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SSD上电恢复方法，其特征在于，应用于包含多核主控芯片的SSD，包括：/n将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中；/n在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表；/n利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中。/n

【技术特征摘要】
1.一种SSD上电恢复方法，其特征在于，应用于包含多核主控芯片的SSD，包括：
将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中；
在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表；
利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中。


2.如权利要求1所述的SSD上电恢复方法，其特征在于，所述将L2P表划分为多个L2P子表，并分别将多个所述L2P子表保存至SSD的NAND颗粒中的过程，包括：
预先在所述DDR内存中预留一定大小的缓存区；其中，所述缓存区包括更新区和表格区；
按照所述表格区的大小，将所述L2P表分为若干段，并对所述L2P表划分的段进行编号；其中，多段L2P表内容组成一个L2P子表；
在所述主机工作过程中，将出现变化的LBA和PBA的映射信息依次写入所述更新区；
在每次所述更新区被填充满后，均从所述L2P表中按编号顺序循环截取一段表格内容填充满所述表格区，并将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中；
相应的，所述在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表的过程，包括：
在所述主机上电后，利用所述多核主控芯片并行从所述NAND颗粒中读取多个所述L2P子表对应的表格区内容和更新区内容；
所述利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表的内容恢复到所述SSD的DDR内存中的过程，包括：
利用所述多核主控芯片并行将读取的多个所述L2P子表对应的表格区内容恢复到所述DDR内存中，并根据所述更新区内容对所述DDR内存中的表格区内容进行打补丁操作。


3.如权利要求2所述的SSD上电恢复方法，其特征在于，所述更新区包括用于写入出现变化的LBA和PBA的映射信息的内容区和用于写入所述内容区的映射信息数量的属性区。


4.如权利要求2所述的SSD上电恢复方法，其特征在于，所述预先在所述DDR内存中预留一定大小的缓存区的过程，包括：
预先在所述DDR内存中预留多个一定大小的缓存区，以依次填充满多个缓存区并将填充满的缓存区刷写至所述NAND颗粒中。


5.如权利要求2所述的SSD上电恢...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆陆，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32