光热转换层、使用了该光热转换层的供体片以及它们的制造方法技术

本发明专利技术提供一种具备可见光透射性，并具有充分的红外线吸收特性，可使由激光照射进行的有机电致发光元件的转印精度提高，并且可应用于电子、医疗、农业、机械等广范围的领域的光热转换层，以及使用了该光热转换层的供体片。本发明专利技术提供一种复合钨氧化物微粒的光热转换层，其含有红外线吸收粒子和粘合剂成分，所述红外线吸收粒子是含有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为

Photothermal conversion layer, donor chips using the photothermal conversion layer and their manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光热转换层、使用了该光热转换层的供体片以及它们的制造方法
本专利技术涉及一种光热转换层、使用该光热转换层的供体片以及它们的制造方法。现有技术光热转换层是具有经红外线或近红外线照射的部分发热而未照射的部分则不发热的特性的层。因此，通过对该光热转换层照射红外线激光或近红外线激光，可仅使所需部位发热，因此期待其应用于电子、医疗、农业、机械等广范围领域。其中，作为急迫用途，已有电子领域中，作为有机电致发光元件的制造用的供体片的用途。因此，以下以该供体片的情况为例，说明光热转换层。作为在基板上形成有机电致发光元件的方法，已经讨论了金属遮罩法、激光转印法、喷墨法等。金属遮罩法难以对应至下一世代大型显示器装置等的大面积化，而喷墨法在应用方面技术上仍有许多技术问题，因此，作为适合大型显示器的程序，目前以激光转印法为主流。激光转印法有数种方法，以使用所谓供体片的膜进行成膜的方式为主流。作为供体片，例如使用在膜基材上成膜：所谓光热转换(LTHC：LighttoHeatConversion)层的吸收光的层；以及作为被转印层的例如具有电致发光特性的有机化合物的层。针对通过激光转印法在基板上形成有机电致发光元件的方法，已有各种提案，但基本的工作原理均相同。即，通过对光热转换层的特定处照射激光，使光热转换层吸收光并产生热，通过热作用可对以被转印层的形式形成的有机电致发光元件。作为供体片的光热转换层的光吸收材料已提案有各种材料。例如专利文献1公开有吸收红外区域的光的染料、炭黑等有机及无机吸收材料、金属类、金属氧化物或金属硫化物及其他已知颜料及吸收材料。专利文献2公开有染料、颜料、金属、金属化合物、金属膜等。专利文3公开有黑色铝。专利文献4公开有炭黑、黑铅或红外线染料。如上所述，通过激光转印法形成例如有机电致发光元件时，通过对供体片的光热转换层的所需处照射激光，对供体片所含的有机电致发光元件进行转印而进行。然而，在供体片中含有例如异物或涂布不均等缺陷时，激光照射处的有机电致发光元件却未正常转印，这是在形成显示器装置时未点亮的暗点发生的原因。因此，为了提高产量，考虑在激光转印前通过目视或可见光传感器等检测包含缺陷的供体片。然而，作为应用在光热转换层的光吸收材料，使用专利文献1～4提出的材料时，光热转换层的可见光透射性不充分。即，在使用专利文献1～4公开的光吸收材料时，光热转换层将显示实质上不具光透射性的非常暗的黑色。因此，将该光热转换层应用于供体片时，根本无法通过目视或可见光传感器等检测缺陷。因此，本专利技术申请人在专利文献5公开了含有作为近红外线吸收粒子的复合钨氧化物微粒、及粘合剂成分的具备可见光透射性的光热转换层、以及使用该光热转换层的供体片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2000-515083号公报专利文献2：日本特表2002-534782公报专利文献3：日本特许第3562830号公报专利文献4：日本特开2004-200170号公报专利文献5：日本特开2016-009634号公报
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题如上所述，通过本专利技术的专利技术人所公开的具备可见光透射性的光热转换层、与使用了该光热转换层的供体片，可由目视或可见光传感器等进行缺陷检测。然而，随着最近的有机电致发光元件的技术革新，对于由激光照射进行的供体片所含的有机电致发光元件的转印精度的要求格外增高。根据本专利技术的专利技术人的讨论，得知通过所述专利文献5公开的属于现有技术的近红外线吸收粒子的复合钨氧化物微粒、含有粘合剂成分的具备可见光透射性的光热转换层、使用该光热转换层的供体片，难以高精度地对通过激光照射得到的有机电致发光元件进行转印。本专利技术基于所述状况而完成，要解决的问题在于提供可应用于电子、医疗、农业、机械等广范围领域的光热转换层，以及使用该光热转换层的供体片以及它们的制造方法，所述光热转换层具备可见光透射性，并具有充分的红外线吸收特性，并且可以使激光照射所进行的有机电致发光元件的转印精度提高。解决技术问题的手段为了解决所述技术问题，本专利技术专利技术人员等进行了研究。然后，发现：专利文献5公开的现有技术的含有作为近红外线吸收粒子的复合钨氧化物微粒和粘合剂成分的具备可见光透射性的光热转换层中，由于粘合剂成分中分散的复合钨氧化物微粒发生起雾(雾度)。并且发现该雾度使所照射的激光散射，应该仅有收到红外线照射处为发热位置，但该发热位置的精度降低。然后，结果想到有机电致发光元件的转印精度的提高受到妨碍。在此，本专利技术专利技术人员等对降低由分散于粘合剂成分中的复合钨氧化物微粒引起的雾度的方法进行研究。然后想到以下技术特征：在复合钨氧化物微粒中，在作为红外线吸收材料微粒的复合钨氧化物微粒中，将所含晶体设为六方晶，在其晶格常数中，将a轴与c轴的值设成a轴为以上且以下，c轴为以上且以下而提高晶体性，进一步将该微粒的粒径设为100nm以下。发现具有该既定晶格常数的复合钨氧化物微粒的红外线吸收特性优异，即使以比现有技术的复合钨氧化物微粒少的含量，仍可发挥充分的红外线吸收特性。根据以上意见，本专利技术的专利技术人想到，通过使用该具有既定晶体结构的复合钨氧化物微粒，可以在确保可见光透射性、或充分的红外线吸收特性之下，降低光热转换层中的复合钨氧化物微粒的含量，由此可降低雾度。而且，发现：含有该具有既定晶体结构的复合钨氧化物微粒的光热转换层中，仅受到了红外线照射处是高精度的发热位置并进行发热。即，想到含有该具有既定晶体结构的复合钨氧化物微粒的光热转换层，可应用于电子、医疗、农业、机械等广范围的领域中，通过使用利用了该光热转换层的供体片，可实现有机电致发光元件的转印精度提高，从而完成本专利技术。即，用于解决所述技术问题的第1专利技术如下：一种光热转换层，其含有红外线吸收粒子和粘合剂成分，所述红外线吸收粒子是含有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为以上且以下，c轴为以上且以下，所述复合钨氧化物微粒的粒径为100nm以下。第2专利技术如下：根据第1专利技术所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为以上且以下，c轴为以上且以下。第3专利技术如下：根据第1专利技术或第2专利技术所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的粒径为10nm以上且100nm以下。第4专利技术如下：根据第1专利技术～第3专利技术中任一项所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的微晶直径为10nm以上且100nm以下。第5专利技术如下：根据第1专利技术～第4专利技术中任一项所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒为通式MxWyOz(其中，M元素是选自H、He、碱金属、碱土金属、稀土元素、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光热转换层，其含有红外线吸收粒子和粘合剂成分，/n所述红外线吸收粒子是含有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，/n所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170914 JP 2017-1764111.一种光热转换层，其含有红外线吸收粒子和粘合剂成分，
所述红外线吸收粒子是含有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，
所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为以上且以下，c轴为以上且以下，
所述复合钨氧化物微粒的粒径为100nm以下。


2.根据权利要求1所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴为以上且以下，c轴为以上且以下。


3.根据权利要求1或2所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的粒径为10nm以上且100nm以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的微晶直径为10nm以上且100nm以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒为通式MxWyOz(其中，M元素是选自H、He、碱金属、碱土金属、稀土元素、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Bi、I、Yb中的1种以上的元素，W为钨，O为氧，0.001≤x/y≤1，2.0≤z/y≤3.0)表示的复合钨氧化物微粒。


6.根据权利要求5所述的光热转换层，其中，所述M元素为选自Cs、Rb中的1种以上的元素。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的光热转换层，其中，所述复合钨氧化物微粒的表面的至少一部分由表面包覆膜进行了包覆，所述表面包覆膜含有选自Si、Ti、Zr及Al中的至少1种以上的元素。


8.根据权利要求7所述的光热转换层，其中，所述表面包覆膜含有氧原子。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的光热转换层，其中，所述光热转换层的厚度为5μm以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：常松裕史，长南武，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP