层合体制造技术

本申请涉及用于制备图案化基底的方法。所述方法可以应用于制造诸如电子装置和集成电路的装置的过程，或者其他应用，例如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头或有机发光二极管等的制造，并且还可以用于诸如集成电路、比特图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的离散轨道介质的制造用于在表面上构建图案。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层合体
本申请要求基于2017年9月15日提交的韩国专利申请第10-2017-0118723号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本申请涉及层合体。
技术介绍
嵌段共聚物是其中具有不同化学结构的聚合物嵌段经由共价键连接的共聚物。这样的嵌段共聚物可以通过相分离形成周期性排列的结构，例如球形、柱体或层状。通过嵌段共聚物的自组装现象形成的结构的域的形状和尺寸可以通过例如形成各嵌段的单体的种类或嵌段之间的相对比率等来广泛地控制。由于这样的特性，考虑将嵌段共聚物应用于纳米线制造、诸如量子点或金属点的下一代纳米元件的制造、或者能够在预定的基底上形成高密度图案的光刻法等(参见例如非专利文献1等)。在各种基底上水平或垂直地调节嵌段共聚物的自组装结构的取向的技术在嵌段共聚物的实际应用中占非常大的比例。通常，嵌段共聚物膜中的纳米结构的取向由嵌段共聚物的何种嵌段暴露于表面或空气来决定。通常，由于许多基底具有极性并且空气是非极性的，因此嵌段共聚物的嵌段中具有较大极性的嵌段对基底润湿，并且具有较小极性的嵌段在与空气的界面处润湿。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层合体，包括基底；和条纹图案，所述条纹图案具有交替且重复地设置在所述基底上的第一聚合物线和第二聚合物线，/n其中所述第一聚合物线包含具有第一聚合单元和第二聚合单元的第一聚合物，所述第一聚合单元具有与主链连接的环结构，所述第二聚合单元由下式1表示，以及/n所述第二聚合物线包含不同于所述第一聚合物的第二聚合物：/n[式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 KR 10-2017-01187231.一种层合体，包括基底；和条纹图案，所述条纹图案具有交替且重复地设置在所述基底上的第一聚合物线和第二聚合物线，
其中所述第一聚合物线包含具有第一聚合单元和第二聚合单元的第一聚合物，所述第一聚合单元具有与主链连接的环结构，所述第二聚合单元由下式1表示，以及
所述第二聚合物线包含不同于所述第一聚合物的第二聚合物：
[式1]



在式1中，R为氢或烷基，X为单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X1-或-X1-C(＝O)-，其中X1为氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基或氧化亚烷基，以及Y为可交联官能团或处于与所述基底反应的状态的所述可交联官能团。


2.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第一聚合单元的所述环结构与所述主链直接连接或经由连接基团与所述主链连接。


3.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第一聚合单元的所述环结构包含一个或更多个卤素原子。


4.根据权利要求1所述的层合体，其中具有8个或更多个成链原子的链与所述第一聚合单元的所述环结构连接。


5.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第一聚合单元由下式2表示：
[式2]



在式2中，R为氢或具有1至4个碳原子的烷基，X为氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、羰基、-C(＝O)-O-或-O-C(＝O)-，P为具有6至18个碳原子的亚芳基，Q为单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、羰基、-C(＝O)-O-或-O-C(＝O)-，以及Z为具有8至20个碳原子的烃链。


6.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第一聚合单元由下式3表示：
[式3]



在式3中，X2为单键、氧原子或硫原子，以及W为具有6至18个碳原子并且包含3个或更多个卤素原子的芳基。


7.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第二聚合单元的所述可交联官能团为羟基、羟烷基、环氧基、缩水甘油基、环氧丙氧基烷基、硅烷基或羧基。


8.根据权利要求1所述的层合体，其中所述第一聚合物以50mol％或更大的量包含所述第一聚合单元。


9.根据权利要求8所述的层合...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜那那，具世真，李美宿，李应彰，崔银英，尹圣琇，朴鲁振，李济权，柳亨周，许允衡，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR