一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路，在电子设备的输入电源热拔插时，电子设备会承受较大的浪涌电流，使得整个系统寿命与可靠性降低，本发明专利技术包括单向导电二极管D1、单向导电二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、P沟道场效应管Q1；本发明专利技术利用二极管的单向导电性与电容充放电实现对P沟道场效应管Q1栅极电压的控制，从而控制P沟道场效应管Q1的导通时间，使直流输出电压能够缓慢上升至直流输入电压，大幅降低了直流输入电源的浪涌电流。

A slow start circuit of surge suppression for hot plug

【技术实现步骤摘要】
一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路
本专利技术涉及一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路，可以用于低压直流电源供电的电子设备及控制系统中。
技术介绍
电源的稳定性和寿命对一个电子系统来说是至关重要的，而对于电源来说，影响电源稳定性和寿命的主要因素之一就是其所承受的浪涌电流的大小。在任何一个含有直流电源的电子系统中，在系统刚上电的时候由于电源输入侧的电容两端电压为零，这会使得输入侧流过很大的浪涌电流，当系统的功率比较大时启动时的浪涌电流会更加突出。由于电容的ESR(等效串联电阻)作用，会使电容发热严重，电容温度上升会大幅缩短其寿命，从而导致整个系统的寿命降低。现有的直流电源供电系统中一般不具备浪涌抑制电路，当系统启动次数达到一定程度后电源的稳定性变差，工作时间长会使得整个系统的稳定性与可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是克服现有技术的不足，提供一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路。本专利技术包括P沟道场效应管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路，其特征在于：包括第一单向导电二极管D1、第二单向导电二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、P沟道场效应管Q1；/n所述的第五电阻R5一端与直流输入电源的正极、P沟道场效应管Q1源极连接，第一电容C1的一端与P沟道场效应管Q1源极连接，第一电容C1的另一端与第一电阻R1的一端、第一二极管D1的阳极、第二二极管D2的阴极连接，第一二极管D1的阴极与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端连接，第二电阻R2的另一端与P沟道场效应管Q1的栅极连接，第三电阻...

【技术特征摘要】
1.一种用于支持热拔插的浪涌抑制缓启动电路，其特征在于：包括第一单向导电二极管D1、第二单向导电二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、P沟道场效应管Q1；
所述的第五电阻R5一端与直流输入电源的正极、P沟道场效应管Q1源极连接，第一电容C1的一端与P沟道场效应管Q1源极连接，第一电容C1的另一端与第一电阻R1的一端、第一二极管D1的阳极、第二二极管D2的阴极连接，第一二极管D1的阴极与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端连接，第二电阻R2的另一端与P沟道场效应管Q1的栅极连接，第三电阻R3的另一端与第二电容C2的一端连接，第二电容C2的另一端与P沟道场效应管Q1的漏极、第三电容C3的正极、系统直流电源输出正极连接，直流输入电源的负极与第五电阻R5的另一端、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林辉品，刘怡杰，董哲康，高明煜，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33