半导体装置、显示装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术题为半导体装置、显示装置及电子设备。本发明专利技术提供一种能够在显示工作的同时进行外部校正的显示装置。本发明专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：设置为矩阵状的像素；以及设置于该像素的外部的读出电路，其中该像素包括发光元件及向该发光元件供应电流的晶体管，并且在多个特定像素都以黑色显示时，在寻址期间，通过读出该多个像素中的指定像素所具有的驱动晶体管的电流特性的数据，由此校正驱动晶体管的电流特性的偏差。

Semiconductor device, display device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、显示装置及电子设备本申请是如下专利技术专利专利技术专利法申请的分案申请：申请号：201510848362.0；申请日：2015年11月27日；专利技术名称：半导体装置、显示装置及电子设备。
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、电子设备或者这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置或者这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
技术介绍
近年来，显示装置被用于电视接收机、个人计算机或智能手机等各种电子设备，并且，显示装置在高清晰及低功耗等各种方面实现了高性能化。作为这些显示装置，常使用将多个像素配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n像素，包括：/n第一晶体管；/n第二晶体管；/n第三晶体管；/n发光元件；以及/n电容元件；/n第一布线，电连接到所述第一晶体管的栅极；/n第二布线，电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个；/n第三布线，电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个；/n第四布线，电连接到所述第三晶体管的栅极；以及/n第五布线，电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个，/n其中：/n所述电容元件的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个以及所述第二晶体管的栅极，/n所述电容元件的第二端子电连接到所述发光元件、所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个以及所述...

【技术特征摘要】
20141128 JP 2014-2407031.一种显示装置，包括：
像素，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
发光元件；以及
电容元件；
第一布线，电连接到所述第一晶体管的栅极；
第二布线，电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个；
第三布线，电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个；
第四布线，电连接到所述第三晶体管的栅极；以及
第五布线，电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个，
其中：
所述电容元件的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个以及所述第二晶体管的栅极，
所述电容元件的第二端子电连接到所述发光元件、所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个以及所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，
所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管各自包括：
包括沟道的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的绝缘膜；
所述绝缘膜上的栅电极，该栅电极与所述沟道重叠；
所述氧化物半导体膜上且与其接触的源电极；以及
所述氧化物半导体膜上且与其接触的漏电极，以及
所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极包含相同的金属材料。


2.一种显示装置，包括：
像素，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；以及
发光元件；
第一布线，电连接到所述第一晶体管的栅极；
第二布线，电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个；
第三布线，电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个；
第四布线，电连接到所述第三晶体管的栅极；

【专利技术属性】
技术研发人员：木村肇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP