【技术实现步骤摘要】
绝缘电流传感器
本专利技术总体上涉及电流感测器件及其制造方法，并且更具体地，涉及适用于高电流感测应用的电流感测器件。专利技术背景在本领域中已知用于通过感测由电流流动生成的磁场来测量电流的集成电路。然而，器件小型化和成本降低的进展程度导致增加的电流密度、相关的欧姆损耗和散热，增加的电流密度、相关的欧姆损耗和散热一方面需要仔细考虑电路设计，另一方面需要在所感测的磁场强度的最大化与载流导体与感测电路以及连接的外部电路之间的足够的电压绝缘之间的良好权衡。在现有技术中已经描述了在晶片后处理步骤中实现绝缘屏障的倒装芯片装配和具有绝缘屏障的管芯向上(die-up)配置两者。前一种解决方案需要专门设计的重新分布层以将管芯的输入连接器和输出连接器连接至封装的引脚。为了良好的输入/输出计数需要非常细的引线指状物，因此为此方法提供了定制的引线框架设计和额外的蚀刻步骤，并且仔细地将属于引线框架的次要部分的指状物相对于倒装的管芯对齐建立管芯与引线框架之间的电耦合。考虑到引线框架与管芯的装配，后一种解决方案更加灵活，因为可以使用引线键合技术...
【技术保护点】
1.一种用于感测电流的电路(100、200)，所述电路包括：/n-衬底(110、210)，具有第一主表面(116)和第二主表面(117)，所述第二主表面(117)与所述第一主表面(116)相对；/n-至少一个磁场感测元件(113)，被布置在所述衬底(110、210)的所述第一主表面(116)上，并且适用于感测由耦合到所述第二主表面(117)的电流导体(101)中的电流流动引起的磁场；/n其中，所述衬底(110、210)包括第一绝缘层(112)，所述第一绝缘层(112)定位在所述第一主表面(116)与所述第二主表面(117)之间，使得所述第一绝缘层(112)基本上被埋置在所述...
【技术特征摘要】
20181024 EP 18202389.51.一种用于感测电流的电路(100、200)，所述电路包括：
-衬底(110、210)，具有第一主表面(116)和第二主表面(117)，所述第二主表面(117)与所述第一主表面(116)相对；
-至少一个磁场感测元件(113)，被布置在所述衬底(110、210)的所述第一主表面(116)上，并且适用于感测由耦合到所述第二主表面(117)的电流导体(101)中的电流流动引起的磁场；
其中，所述衬底(110、210)包括第一绝缘层(112)，所述第一绝缘层(112)定位在所述第一主表面(116)与所述第二主表面(117)之间，使得所述第一绝缘层(112)基本上被埋置在所述衬底(110、210)中。
2.如权利要求1所述的电路，其中所述衬底(110、210)是半导体-绝缘体-半导体衬底，其中所述绝缘体形成所述第一绝缘层(112)。
3.如权利要求1或2所述的电路，进一步包括耦合到所述第二主表面(117)的绝缘带(103)。
4.如前述权利要求中的任一项所述的电路，进一步包括引线框架，所述引线框架包括主要部分和次要部分(102)，所述主要部分和次要部分(102)各自包括多条引线，其中所述引线框架的所述主要部分的引线中的至少两条引线彼此电连接以形成电流导体(101)。
5.如前述权利要求中的任一项所述的电路，其中所述衬底(110、210)的厚度在所述至少一个磁场感测元件(113)附近被减小。
6.如权利要求5所述的电路，其中在所述第二主表面(117)处以及在所述至少一个磁场感测元件(113)附近形成腔体(107)。
7.如权利要求6所述的电路，其中所述腔体(107)包括斜侧壁和/或直侧壁。
8.如在从属于权利要求4的情况下的权利要求6至7中的任一项所述的电路，其中所述电流导体(101)包括扁平部分和突出部分(106)，所述扁平部分在平行于所述第二主表面(117)的平面中延伸，所述突出部分(106)延伸出所述平面并延伸到所述腔体(107)中。
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【专利技术属性】
技术研发人员：B·布里，R·拉奇，J·陈，A·卡恰托，
申请(专利权)人：迈来芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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