具有偏移补偿的传感器电路制造技术

本发明专利技术涉及传感器电路(1)，包括：‑传感器(3)，适于感测物理量并产生传感器输出信号，‑传感器‑偏移校正块(5)，布置成用于接收指示施加到所述传感器电路的供应电压(Vsup)的信号，并且基于指示所述供应电压的所述信号和指示所述传感器电路的状态的量来生成补偿信号(8)，‑组合器(7)，适于将所述传感器输出信号与所述补偿信号组合，从而获得经补偿的信号。

Sensor circuit with offset compensation

【技术实现步骤摘要】
具有偏移补偿的传感器电路
本专利技术总体上涉及布置成用于感测某个物理量的传感器的领域。
技术介绍
传感器会受到许多不同的内部和外部特性的影响，这些特性会使传感器输出信号更不精确。在各种物理量传感器中，观察到温度梯度相关的偏移。通常此类传感器被集成在集成电路中。此偏移可能很大，尤其是在大量芯片上功耗(例如，在二线式传感器中)的情况下和/或在具有IMC(磁集极)的磁传感器中。如果此类偏移使传感器精确度变差，则传感器的应用领域会被限制。温度梯度相关的偏移补偿已在现有技术中被广泛描述，在科学文献和专利文献两者中被广泛描述。一种可能的方法涉及使用附加的传感器元件，该传感器元件被布置成热临近衬底上的主传感器元件并且被配置用于感测温度的空间梯度。来自此附加传感器的信号可以被放大并且用于补偿主传感器的温度梯度相关的偏移。在US2014/369380中找到了一个示例，其中提出了对热EMF效应的补偿，该热EMF效应可能导致传感器系统中的残余偏移(residualoffset)和其他误差。热电磁力(EMF)是温度梯度相关的偏移的可能原因之一。热EMF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器电路(1)，包括：/n-传感器(3)，适于感测物理量并产生传感器输出信号，/n-传感器-偏移校正块(5)，布置成用于接收指示施加到所述传感器电路的供应电压(Vsup)的信号，并且基于指示所述供应电压的所述信号和指示所述传感器电路的状态的量来生成补偿信号(8)，/n-组合器(7)，适于将所述传感器输出信号与所述补偿信号组合，从而获得经补偿的信号。/n

【技术特征摘要】
20181023 EP 18202090.91.一种传感器电路(1)，包括：
-传感器(3)，适于感测物理量并产生传感器输出信号，
-传感器-偏移校正块(5)，布置成用于接收指示施加到所述传感器电路的供应电压(Vsup)的信号，并且基于指示所述供应电压的所述信号和指示所述传感器电路的状态的量来生成补偿信号(8)，
-组合器(7)，适于将所述传感器输出信号与所述补偿信号组合，从而获得经补偿的信号。


2.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述补偿信号与所述供应电压和/或指示所述状态的所述量成比例。


3.如权利要求2所述的传感器电路，其中，所述比例因子与指示所述状态的所述量相关。


4.如权利要求1所述的传感器电路，布置成用于经由所述所感测的物理量或经由所述传感器输出信号来确定所述传感器电路的哪个状态是活跃的。


5.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述传感器是桥式传感器或磁传感器或霍尔传感器。


6.如权利要求5所述的传感器电路，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·马里诺夫佩耶夫，S·乔尔杰夫盖多夫，
申请(专利权)人：迈来芯保加利亚有限公司，
类型：发明
国别省市：保加利亚;BG