为了解决用传感器信号采集芯片采集到的电容性传感器的差分信号值不准确的情况，本实用新型专利技术提出一种新型电容性传感器电荷重置电路，其包括：电容性传感器C1和传感器信号采集芯片，电容性传感器C1位于传感器信号采集芯片的外部，传感器信号采集芯片中含有AD、放大器，且AD的输入端通过两根引线分别与电容性传感器C1的两端相连，在传感器信号采集芯片的内部将上述两根引线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后分别接地；AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端分别与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连。
A new charge reset circuit of capacitive sensor
【技术实现步骤摘要】
一种新型电容性传感器电荷重置电路
本技术涉及传感器信号采集芯片
，较为具体的，涉及到一种新型电容性传感器电荷重置电路。
技术介绍
当传感器信号采集芯片采集电容性传感器的信号时，为了保证传感器信号采集芯片采集到的信号的准确性，必须要对电容性传感器内部的电荷进行清零后才能进行检测采样，否则传感器信号采集芯片内部的AD检测到电容传感器两端的差分信号值就有可能是不准确的。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决用传感器信号采集芯片采集到的电容性传感器的差分信号值不准确的情况，本技术提出一种新型电容性传感器电荷重置电路，其通过传感器信号采集芯片内部的AD对传感器信号采集芯片外部的电容性传感器C1进行差分信号值的检测，并且在电容性传感器与AD的两根连接线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后接地，AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连，能够实现定时对电容性传感器中的电荷进行清零，使得传感器信号采集芯片的AD在工作时不受到上一个工作状态的影响。一种新型电容性传感器电荷重置电路，其包括：电容性传感器C1和传感器信号采集芯片，电容性传感器C1位于传感器信号采集芯片的外部，传感器信号采集芯片中含有AD、放大器，且AD的输入端通过两根引线分别与电容性传感器C1的两端相连，在传感器信号采集芯片的内部将上述两根引线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后分别接地；AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端分别与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连。进一步的，电容性传感器的种类包括压力传感器和红外传感器。进一步的，时钟电路设定的定时通断时间的周期为10ms～10s。进一步的，时钟电路设定的定时通断时间根据电容性传感器的种类进行确定，当采用压力传感器时，时钟电路每隔1ms～100ms给出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开；当采用红外传感器时，时钟电路每隔100ms～1s给出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开。本技术的新型电容性传感器电荷重置电路的工作原理如下：通过时钟电路设定第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的通断周期，并且在每一个时钟周期的开始发出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开，这样电容性传感器里面的电荷就能通过第一NMOS管N1和第二NMOS管N2接地，这样电容性传感器里面就完全没有电荷，也就是将电容性传感器C1里面残留的电荷全部消除了。等电容性传感器C1里面的电荷全部消除后，AD才开始工作，从这一时刻起，AD检测到的电容性传感器C1中的电荷情况是比较准确的，不会收到上一个状态的影响。本技术的新型电容性传感器电荷重置电路的结构简单，适用范围广。附图说明图1为本技术的电容性传感器电荷重置电路的结构示意图。主要元件符号说明电容性传感器C1第一NMOS管N1第二NMOS管N2如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。具体实施方式具体实施案例1：如图1所示，为本技术的电容性传感器电荷重置电路的结构示意图。一种新型电容性传感器电荷重置电路，其包括：电容性传感器C1和传感器信号采集芯片，电容性传感器C1位于传感器信号采集芯片的外部，传感器信号采集芯片中含有AD、放大器，且AD的输入端通过两根引线分别与电容性传感器C1的两端相连，在传感器信号采集芯片的内部将上述两根引线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后分别接地；AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端分别与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连。电容性传感器的种类包括压力传感器和红外传感器。当采用压力传感器时，时钟电路每隔1ms～100ms给出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开；当采用红外传感器时，时钟电路每隔100ms～1s给出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开。如上所述的新型电容性传感器电荷重置电路的工作原理如下：通过时钟电路设定第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的通断周期，并且在每一个时钟周期的开始发出一个信号，使得第一NMOS管N1和第二NMOS管N2打开，这样电容性传感器里面的电荷就能通过第一NMOS管N1和第二NMOS管N2接地，这样电容性传感器里面就完全没有电荷，也就是将电容性传感器C1里面残留的电荷全部消除了。等电容性传感器C1里面的电荷全部消除后，AD才开始工作，从这一时刻起，AD检测到的电容性传感器C1中的电荷情况是比较准确的，不会收到上一个状态的影响。本技术的新型电容性传感器电荷重置电路的结构简单，适用范围广。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型电容性传感器电荷重置电路，其包括：电容性传感器C1和传感器信号采集芯片，其特征在于：电容性传感器C1位于传感器信号采集芯片的外部，传感器信号采集芯片中含有AD、放大器，且AD的输入端通过两根引线分别与电容性传感器C1的两端相连，在传感器信号采集芯片的内部将上述两根引线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后分别接地；AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端分别与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型电容性传感器电荷重置电路，其包括：电容性传感器C1和传感器信号采集芯片，其特征在于：电容性传感器C1位于传感器信号采集芯片的外部，传感器信号采集芯片中含有AD、放大器，且AD的输入端通过两根引线分别与电容性传感器C1的两端相连，在传感器信号采集芯片的内部将上述两根引线上分别连接第一NMOS管N1和第二NMOS管N2然后分别接地；AD的输出端与放大器的输入端相连，放大器的输出端与时钟电路的输入端相连，时钟电路的输出端分别与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极相连。
2.如权利要求1所述的新型电容性传感器电荷重置电路，其特征在于：电容性传感器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：江石根，黄君山，侯汇宇，
申请(专利权)人：苏州格美芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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