一种物联网物料追踪用射频标签制造技术

本实用新型专利技术公开了一种物联网物料追踪用射频标签，包括基材层、射频天线和射频芯片；射频天线包括位于中间位置的耦合天线，所述耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，耦合天线的下端延伸形成左、右天线，左、右天线皆包括从内到外延伸且从一端到另一端延伸折返的折返段，折返段的外侧先向外延伸再向上延伸形成天线区，天线区再向内侧延伸形成平直的平直段；耦合天线的开口处且位于耦合天线的内部具有两方形金属片，射频芯片的上方设有一大圆片，且下方设有一小圆片。本实用新型专利技术通过对射频天线的改进，在标签长度合适的情况下，提高标签的使用范围和精度；且能提高芯片绑定时的精度。

A RFID tag for material tracking of Internet of things

【技术实现步骤摘要】
一种物联网物料追踪用射频标签
本专利技术属于物联网
，特别涉及一种RFID(射频识别)标签。
技术介绍
随着射频识别RFID技术的应用范围不断扩大，RFID标签所贴附的物体种类也随之变多，且越来越复杂多变，环境恶劣是影响可能致使标签读距严重衰减，甚至不能被识别到。因此，好的芯片要能克服环境的不良影响。考量射频标签性能的标准主要是信号接收性能和承载信息的防伪跟踪性能等，信号接收性能表现在信号接收的稳定性和信号接收的距离，当然信号接收性能的发挥还需要考虑电子标签的使用场合和位置。现有技术的射频识别标签较长，主要由于信号电路上设有分支天线，通过分支天线的延伸来提高信号接收能力，这样又势必会加长射频识别标签的长度。而在很多场合，粘贴和使用标签的位置由于空间有限，无法粘贴下射频识别标签。另外，目前根据贴片绑定设备的工艺特性，设备在抓紧芯片准备倒贴片封装之前，会通过设备上的视觉系统寻找参考点。图形能够帮助视觉系统寻找参考点，但由于铝刻蚀天线工艺的限制，线型精度的误差在50微米左右，而芯片的与射频天线相互连接的左、右引脚的尺寸通常只有80～100微米，由于工艺限制产生的误差将会误导视觉系统，从而导致芯片摆放位置发生偏移。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种物联网物料追踪用射频标签，通过对射频天线的改进，在标签长度合适的情况下，提高标签的使用范围和精度；且能提高芯片绑定时的精度。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种物联网物料追踪用射频标签，包括基材层、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的射频芯片；所述射频天线包括位于中间位置的耦合天线，所述耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚和右引脚；所述耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线，所述耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线，所述左天线和所述右天线对称设置；所述左天线和所述右天线皆包括从内到外延伸且从一端到另一端延伸折返的折返段，每一折返段皆包括两个第一折返部和四个第二折返部，所述第一折返部的高度为8.45±0.1mm，所述第二折返部的高度为9.50±0.1mm，且所述第一折返部和所述第二折返部之间的高度差为第一折返部高度的10-13％，所述第一折返部和所述第二折返部的宽度均为1.50±0.1mm，所述折返段的外侧先向外延伸再向上延伸形成天线区，所述天线区再向内侧延伸形成平直的平直段；每一所述天线区的面积皆为43.25-44.56mm2；所述耦合天线的开口处且位于所述耦合天线的内部具有两方形金属片，每一方形金属片的面积皆为0.060-0.065mm2，所述射频芯片放置于所述左引脚、所述右引脚和两所述方形金属片的表面，并与所述左引脚和所述右引脚信号连接；所述射频芯片的上方设有一大圆片，且下方设有一小圆片，所述大圆片的直径为0.6±0.1mm，所述小圆片的面积为0.4±0.1mm；所述大圆片的圆心、所述小圆片的圆心和所述射频芯片的中心位于同一直线上。进一步地说，所述射频天线为厚度10±1μm的铝箔蚀刻而成的；所述基材层的厚度为48±2μm。进一步地说，所述射频芯片与所述耦合天线通过异向导电胶在175-178℃且5-10s的条件下热压粘接。进一步地说，所述射频天线的总宽度为65.9±0.1mm，且总高度为9.70±0.1mm。进一步地说，所述方形金属片、所述大圆片和所述小圆片均为铝片，所述铝片的厚度为8-12μm。进一步地说，所述基材层与所述射频天线之间通过胶粘接。进一步地说，所述基材层为聚对苯二甲酸乙二酯层或纸基层。本专利技术的有益效果是：本专利技术包括基材层、设于基材层的射频天线和与射频天线连接的超高频射频标签，左天线和右天线皆具有多个第一折返部和第二折返部，其中两个弯折部均向上凸起，且第一、第二折返部之间的高度差为第一折返部高度的10-13％，通过上述两折返部的设计，能够在保证天线谐振频率的基础上，有效减少天线的长度，约减少20-30％的长度，即减小标签的尺寸，可以用于小尺寸物体的追踪；本专利技术的耦合天线的内部具有两方形金属片，另具有一大一小两圆片，且大圆片的圆心、小圆片的圆心和射频芯片的中心位于同一直线，针对芯片绑定设备的特性提高芯片摆放精度，稳定芯片摆放平衡；再者，本专利技术的左、右天线皆还可以包括天线区，即在左、右天线区的末端设置两块面积相对校大的天线区，通过采用末端加载的方式，起到改善天线阻抗和拓展带宽的作用，改善天线的精度和使用范围。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；附图中各部分标记如下：基材层1、射频芯片3、耦合天线21、左引脚211、右引脚212、小圆片22、左天线23、第一折返部241、第二折返部242、天线区243、平直段244、方形金属片25、大圆片26、第一折返部的高度H1、第二折返部的高度H2、所述第一折返部和所述第二折返部之间的高度差ΔH、第一折返部和第二折返部的宽度W1、射频天线的总宽度W且总高度H。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的具体实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的优点及功效。本专利技术也可以其它不同的方式予以实施，即，在不背离本专利技术所揭示的范畴下，能予不同的修饰与改变。实施例：一种物联网物料追踪用射频标签，如图1所示，包括基材层1、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的射频芯片3；所述射频天线包括位于中间位置的耦合天线21，所述耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚211和右引脚212；所述耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线23，所述耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线24，所述左天线和所述右天线对称设置；所述左天线和所述右天线皆包括从内到外延伸且从一端到另一端延伸折返的折返段，每一折返段皆包括两个第一折返部241和四个第二折返部242，所述第一折返部的高度H1为8.45±0.1mm，所述第二折返部的高度H2为9.50±0.1mm，且所述第一折返部和所述第二折返部之间的高度差ΔH为第一折返部高度的10-13％，所述第一折返部和所述第二折返部的宽度W1均为1.50±0.1mm，所述折返段的外侧先向外延伸再向上延伸形成天线区243，所述天线区再向内侧延伸形成平直的平直段244；每一所述天线区的面积皆为43.25-44.56mm2；所述耦合天线的开口处且位于所述耦合天线的内部具有两方形金属片25，每一方形金属片的面积皆为0.060-0.065mm2，所述射频芯片放置于所述左引脚、所述右引脚和两所述方形金属片的表面，并与所述左引脚和所述右引脚信号连接；所述射频芯片的上方设有一大圆片26，且下方设有一小圆片22，所述大圆片的直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物联网物料追踪用射频标签，其特征在于：包括基材层(1)、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的射频芯片(3)；/n所述射频天线包括位于中间位置的耦合天线(21)，所述耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚(211)和右引脚(212)；/n所述耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线(23)，所述耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线(24)，所述左天线和所述右天线对称设置；所述左天线和所述右天线皆包括从内到外延伸且从一端到另一端延伸折返的折返段，每一折返段皆包括两个第一折返部(241)和四个第二折返部(242)，所述第一折返部的高度(H1)为8.45±0.1mm，所述第二折返部的高度(H2)为9.50±0.1mm，且所述第一折返部和所述第二折返部之间的高度差(ΔH)为第一折返部高度的10-13％，所述第一折返部和所述第二折返部的宽度(W1)均为1.50±0.1mm，所述折返段的外侧先向外延伸再向上延伸形成天线区(243)，所述天线区再向内侧延伸形成平直的平直段(244)；/n每一所述天线区的面积皆为43.25-44.56mm

【技术特征摘要】
1.一种物联网物料追踪用射频标签，其特征在于：包括基材层(1)、设于基材层的射频天线和与所述射频天线连接的射频芯片(3)；
所述射频天线包括位于中间位置的耦合天线(21)，所述耦合天线成中间具有开口的“凹”字型，所述开口的两侧分别为左引脚(211)和右引脚(212)；
所述耦合天线的下端且左侧向左延伸形成左天线(23)，所述耦合天线的下端且右侧向右延伸形成右天线(24)，所述左天线和所述右天线对称设置；所述左天线和所述右天线皆包括从内到外延伸且从一端到另一端延伸折返的折返段，每一折返段皆包括两个第一折返部(241)和四个第二折返部(242)，所述第一折返部的高度(H1)为8.45±0.1mm，所述第二折返部的高度(H2)为9.50±0.1mm，且所述第一折返部和所述第二折返部之间的高度差(ΔH)为第一折返部高度的10-13％，所述第一折返部和所述第二折返部的宽度(W1)均为1.50±0.1mm，所述折返段的外侧先向外延伸再向上延伸形成天线区(243)，所述天线区再向内侧延伸形成平直的平直段(244)；
每一所述天线区的面积皆为43.25-44.56mm2；
所述耦合天线的开口处且位于所述耦合天线的内部具有两方形金属片(25)，每一方形金属片的面积皆为0.060-0.065mm2，所述射频芯片放置于所述左引脚、所述右引脚和两所述方形金属片的表面，并与所述左引...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晔，郑广成，苏立祥，
申请(专利权)人：苏州菱慧电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32