【技术实现步骤摘要】
低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺
本专利技术属于薄膜设备领域，具体涉及一种低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。
技术介绍
当前，电子产品蓬勃发展，硅胶保护膜的用量每年倍增，电子元件、配件越来越小、智能化组装速度越来越快。在电子产品的生产过程中更容易产生静电。如果组装过程中还使用主流的普通的或背面带抗静电的硅胶保护膜，客户在使用过程中会经常发生静电释放现象，会导致大量电子元件损坏，产品良率和效率大大降低，同时容易引发火灾。缺陷和不足：1.有机硅胶涂层导电性能很差，在生产过程中的相互接触和摩擦，会导致静电的累积，当与易导电材料接触的时候，会发生静电释放。2.当前国内，双面抗静电硅胶保护膜胶面抗静电指数能够做到109-1012，而109以内的抗静电保护膜技术还需要开发，抗静电指数不达标，在电子行业应用具有缺陷，容易破坏电子原件，而国内一般客户会选择从国外进口的。
技术实现思路
为了克服上述问题，本专利技术提供一种易制备的低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。本专利技术...
【技术保护点】
1.低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材，其特征在于：所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于10
【技术特征摘要】
1.低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材，其特征在于：所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于109。
2.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层外侧印有网格形花纹。
3.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层由有机硅胶涂覆制成。
4.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层的抗静电指数在106～108之间。
5.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：未涂覆所述粘合剂图层一侧的所述抗静电图层的抗静电指数在106～108之间。
6.一种低指数双面抗静电硅胶保护膜制备工艺，其用于制备权利要求1至5其中之一所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于，其包括以下步骤：
1）在基材两侧涂覆抗静电图层，并收卷，放...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓春，
申请(专利权)人：苏州美艾仑新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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