双开口环结构宽带微波吸收器制造技术

本发明专利技术公开了一种双开口环结构宽带微波吸收器，包括以水平方向截面为正方形的电介质层，电介质层的底面设有一层金属接地层，电介质层的顶面设有金属贴片层；所述的金属贴片层包括位于电介质层顶面中心位置的正八边环形贴片，正八边环形贴片的两侧设有扇环贴片，所述的扇环贴片为金属环被两个分别以顶面的对角为圆心、以7mm为半径的四分之一圆切割后所留的两个金属片。本发明专利技术不仅实现了在5.7GHz到13.1GHz之间的电磁波超过90％以上的吸收率，而且本发明专利技术的相对带宽达到了超宽带的标准。

Broadband microwave absorber with double open-loop structure

【技术实现步骤摘要】
双开口环结构宽带微波吸收器
本专利技术涉及微波吸收器
，具体为一种双开口环结构宽带微波吸收器。
技术介绍
近几年来，微波吸收器在隐身技术、雷达截面缩小、热辐射源、成像器件、能量收集、无线通信等不同领域有着广泛的应用。随着技术的发展，超材料优质特性体现在负折射率、完美透镜、双曲线色散、负磁导率和介电常数等方面。因此，人们基于超材料的优异的物理特性提出了不同类型的谐振器。通常情况下，典型的超材料吸收体的结构是金属-电介质-金属组成的谐振器单元的周期阵列。根据电磁波的吸收的原理，电磁波打到一个电介质面上会有五种转换：反射、透射、散射、吸收和激发，然后根据电波吸收材料将超材料吸收体可以分为吸收型、干涉型、谐振型以及等离子型四种。但现有由于电磁波的散射以及表面激发的现象不是特别明显，使得现有谐振型吸收器忽略了电磁波的激发和散射的情况，影响了电磁波的吸收率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种双开口环结构宽带微波吸收器。本专利技术对入射波的吸收达到超宽带吸收，具有非常好的吸收率。本专利技术的技术方案：双开口环结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：包括以水平方向截面为正方形的电介质层(1)，电介质层(1)的底面设有一层金属接地层(2)，电介质层(1)的顶面设有金属贴片层(3)；所述的金属贴片层(3)包括位于电介质层(1)顶面中心位置的正八边环形贴片(4)，所述的正八边环形贴片(4)的内环宽度为2-3mm，所述的正八边环形贴片(4)的外环宽度为4-4.4mm；所述正八边环形贴片(4)的两侧设有扇环贴片(5)，所述的扇环贴片(5)为金属圆环柱被两个圆柱切割后形成；所述的金属圆环柱以介质层表面中心为圆心，所述的金属圆环柱的内侧面半径为4.7-5.5mm，金属圆环柱的外侧面半径为6-7mm；所述的两个...

【技术特征摘要】
1.双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：包括以水平方向截面为正方形的电介质层(1)，电介质层(1)的底面设有一层金属接地层(2)，电介质层(1)的顶面设有金属贴片层(3)；所述的金属贴片层(3)包括位于电介质层(1)顶面中心位置的正八边环形贴片(4)，所述的正八边环形贴片(4)的内环宽度为2-3mm，所述的正八边环形贴片(4)的外环宽度为4-4.4mm；所述正八边环形贴片(4)的两侧设有扇环贴片(5)，所述的扇环贴片(5)为金属圆环柱被两个圆柱切割后形成；所述的金属圆环柱以介质层表面中心为圆心，所述的金属圆环柱的内侧面半径为4.7-5.5mm，金属圆环柱的外侧面半径为6-7mm；所述的两个圆柱为以介质层表面的两个对角为圆心，且两个圆柱的底面半径为6.5-7.5mm。


2.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述电介质层(1)的磁导率为2.65，损耗角正切为0.002；所述电介质层(1)的长宽均为15m...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐弼军，吴震东，
申请(专利权)人：浙江科技学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33