一种芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种芯片，该芯片包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，第二金属层位于基板的表面或靠近表面；位于基板内的第一模块、第二模块及第三模块；用于将第一模块与第二模块的连接引入到基板表面的第一连接链路，用于将第三模块连接点引入到基板表面的第二连接链路。在上述技术方案中，通过设置的第一连接链路及第二连接链路将第一模块、第二模块以及第三连接模块的连接端引入到基板的表面金属层，在需要进行FIB修改时，可以方便的将第一模块与第二模块之间的连接切断，并将第三模块与第二模块连接，降低了其他器件的影响。

A chip

【技术实现步骤摘要】
一种芯片
本专利技术涉及芯片
，尤其涉及到一种芯片。
技术介绍
随着集成电路行业不断发展，芯片设计越来越复杂，集成度越来越高，难度越来越大，因此当初版芯片测试后一些指标没有达到预期的话，工程师会根据测试结果及理论分析提出优化方案，然而芯片设计周期长，流片费用高昂，如果重新设计电路、版图、验证仿真、流片，会花费极大的时间成本和资金投入，且并不一定能达到预期的指标。因此大多都会采用FIB操作对芯片进行小幅度修改，以此来验证改进思路是否正确。另外，一些研究或者实验相关的芯片设计，也会频繁用FIB修改来验证设计思想。FIB即通过聚焦离子束实现对材料的沉积、注入、剥离、切割等操作；通过FIB对芯片内部金属线进行切断或者重新连接即可实现芯片结构的修改。然而，很多时候FIB实施过程中会有很大的难度。芯片的工艺越先进，会用到的金属层越多。如果需要切断或者连接的金属线，位于底层的金属，如M1(第一层金属)，M1可能会直接连接mos管、电阻、二极管等器件，直接进行FIB操作时，有可能会意外损伤底层的器件，造成芯片失效；另外，比较靠下层金属线的上层会覆盖多层金属线，在进行切割或者连接操作时，势必会破坏上层的金属线，也可能造成芯片失效；如果改变FIB方案会造成切线点或连线点变多，从而使方案变复杂，降低成功率；甚至根本找不到备选FIB方案，使芯片优化思路无法得到验证；同时，FIB方案越复杂，实施耗时越久，成本越高，且成功率随之降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种芯片，用以有效地方便芯片的修改。本专利技术提供了一种芯片，该芯片包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，且所述第一金属层及第二金属层至少一个金属层位于所述基板内，所述第一金属层距离所述基板的第一表面的距离大于所述第二金属层距离所述第一表面的距离；设置在所述第一金属层上的第一模块、第二模块及用于替换所述第一模块或第二模块的第三模块；第一连接链路，包括设置在所述基板并与所述第一模块连接的第一过孔，设置在所述基板并与所述第二模块连接的第二过孔，且所述第一过孔及所述第二过孔通过所述第二金属层内设置的第一线路连接；第二连接链路，包括设置在所述基板并与每个第三模块连接的第三过孔，且所述第三过孔外露在所述第二金属层。在上述技术方案中，通过设置的第一连接链路及第二连接链路用于将第一模块、第二模块以及第三连接模块的连接端引入到靠近基板的表面金属层，在需要进行FIB修改时，可以方便的将第一模块与第二模块之间的连接切断，并将第三模块与第二模块连接，方便了芯片的FIB修改，降低了其他器件的影响。在一个具体的可实施方案中，所述基板内介于所述第一金属层及所述第二金属层设置有多层金属层。在一个具体的可实施方案中，所述第二金属层设置在所述第一表面。在一个具体的可实施方案中，所述第二金属层设置在所述基板内，且靠近所述第一表面。在一个具体的可实施方案中，所述第一过孔、第二过孔及所述第三过孔穿设过介于所述第一金属层及所述第二金属层之间的任一金属层。在一个具体的可实施方案中，所述第一过孔包括多个第一子过孔，所述第一金属层、所述第二金属层及所述第一金属层及所述第二金属层之间的金属层与所述多个第一子过孔交替排布，且任意相邻的两个第一子过孔通过位于所述两个第一子过孔之间的金属层连接。在一个具体的可实施方案中，所述第二过孔包括多个第二子过孔，所述第一金属层、所述第二金属层及所述第一金属层及所述第二金属层之间的金属层与所述多个第二子过孔交替排布，且任意相邻的两个第二子过孔通过位于所述两个第二子过孔之间的金属层连接。在一个具体的可实施方案中，所述第三过孔包括多个第三子过孔，所述第一金属层、所述第二金属层及所述第一金属层及所述第二金属层之间的金属层与所述多个第三子过孔交替排布，且任意相邻的两个第三子过孔通过位于所述两个第三子过孔之间的金属层连接。在一个具体的可实施方案中，所述第三过孔用于在所述第一连接线切断后，通过第二连接线与所述第二过孔或所述第一过孔连接。在一个具体的可实施方案中，所述第一连接线及所述第二连接线可以为导线、柔性电路板或金属层。附图说明图1为本现有技术中芯片的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的芯片结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的芯片的模块连接俯视图；图4为本专利技术实施例提供的芯片的FIB修改示意图；图5为本专利技术实施例提供的芯片的FIB修改俯视图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。为方便理解本申请实施例提供的芯片，说先说明一下有可能FIB修改的模块指的是：芯片是通过内部各个模块共同工作来实现功能的，在芯片设计过程中，通常会在主功能模块旁，做一些备用模块，如果主模块性能不达标，会切换方案启用备用模块或者通过其他具有相似功能的模块，此时，备用模块或其他具有相似功能的模块就会有FIB修改的可能性，在集成电路芯片设计中非常常见。本申请实施例中所示的模块均为可能有FIB修改的模块。如图1中所示现有技术中的芯片结构，芯片内埋设有多层金属层，如图1中所示的M1金属层……Mn-3金属层、Mn-2金属层、Mn-1金属层、Mn金属层；芯片内还设置有模块1及模块2，在连接时，模块1与模块2通过M1金属层实现连接。在进行FIB修改时，需要切断模块1与模块2的连接，而由于模块1与模块2之间用于连接的M1金属层位于芯片内部，位于其上方具有多层金属层(Mn-3金属层、Mn-2金属层、Mn-1金属层、Mn金属层等金属层)，上述的多层金属层遮挡住了M1金属层，造成切割M1金属层十分困难，且在切割M1金属层时，无法避免的会对位于其上方的金属层造成影响。为此本申请实施例提供了一种芯片，用于方便芯片的FIB修改。如图2及图3所示，图2示例出了本申请实施例提供的芯片的层结构示意图，图3示出了本申请实施例提供的第一模块10、第二模块20及第三模块30的俯视图。芯片是基于硅衬底形成的，即在硅衬底上经过光刻，腐蚀，注入、扩散等操作，在硅衬底上形成mos管、电阻、电容电感等器件，再用多层金属线进行器件间的连接，从而构成芯片的结构。如图2中所示的，M1金属层、M2金属层、M3金属层、M4金属层及Mn金属层等金属层，其中Mn金属层位于基板的第一表面，其余的金属层埋设在基板内。继续参考图1，基板包括多层介质层，多个金属层与多个介质层交替排布，且金属层铺设在位于其下方的介质层。芯片内包括多个用于FIB修改的模块：第一模块10、第二模块20及第三模块30。其中，第三模块30可以作为第一模块10或第二模块20的备用模块，示例性的，在本申请实施例中以第三模块30作为第一模块10的备用模块，在第三模块30作为第二模块20的备用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，且所述第一金属层及第二金属层至少一个金属层位于所述基板内，所述第一金属层距离所述基板的第一表面的距离大于所述第二金属层距离所述第一表面的距离；/n设置在所述第一金属层上的第一模块、第二模块及用于替换所述第一模块或第二模块的第三模块；/n第一连接链路，包括设置在所述基板并与所述第一模块连接的第一过孔，设置在所述基板并与所述第二模块连接的第二过孔，且所述第一过孔及所述第二过孔通过所述第二金属层内设置的第一线路连接；/n第二连接链路，包括设置在所述基板并与每个第三模块连接的第三过孔，且所述第三过孔外露在所述第二金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：基板，层叠的第一金属层及第二金属层，且所述第一金属层及第二金属层至少一个金属层位于所述基板内，所述第一金属层距离所述基板的第一表面的距离大于所述第二金属层距离所述第一表面的距离；
设置在所述第一金属层上的第一模块、第二模块及用于替换所述第一模块或第二模块的第三模块；
第一连接链路，包括设置在所述基板并与所述第一模块连接的第一过孔，设置在所述基板并与所述第二模块连接的第二过孔，且所述第一过孔及所述第二过孔通过所述第二金属层内设置的第一线路连接；
第二连接链路，包括设置在所述基板并与每个第三模块连接的第三过孔，且所述第三过孔外露在所述第二金属层。


2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述基板内介于所述第一金属层及所述第二金属层设置有多层金属层。


3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第二金属层设置在所述第一表面。


4.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二金属层设置在所述基板内，且靠近所述第一表面。


5.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第一过孔、第二过孔及所述第三过孔穿设过介于所述第一金属层及所述第二金属层之间的任一金属层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永光，谢育桦，王静，张亮，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44