【技术实现步骤摘要】
一种离子注入装置
本专利技术涉及半导体集成电路设备，尤其涉及离子注入装置。
技术介绍
第三代宽禁带半导体材料与器件，是发展大功率、高频高温、抗强辐射、蓝光激光器和紫外探测器等技术的核心技术。SiC材料具有高热导率、高电子饱和速度和大的临界击穿电场，是电力电子功率半导体领域Si材料的首选继承者。由于SiC的原子密度比硅大，要达到相同的注入深度，SiC离子注入工艺需要离子具有更高的注入能量，一般要达到350～700KeV，且SiC晶圆向大尺寸发展，对注入工艺的均匀性和角度一致性都提出了更高的要求，已有的几种在硅注入工艺中得到应用的离子注入机由于光路受到局限，不能完全满足SiC注入工艺的要求和发展需求。附图1示出了一种在4寸硅片以下注入工艺中较常应用的光路，其优点是采用先分析后加速布局结构，分析器分辨能力高、成本低，设备易得到高能量束流，双静电扫描方式实现成本较低，具有水平偏转过滤功能，可克服束流能量污染，但由于扫描电极采用双静电扫描结构，离子束在注入到晶圆表面的不同位置时，受扫描角度影响，具有较大的角度差异，不再适合应用到6寸及...
【技术保护点】
1.一种离子注入装置，其特征在于：包括离子束传输光路及屏蔽房，所述离子束传输光路包括依次设置的离子源(1)、引出电极(2)、分析器(3)、分析光栏(4)、聚焦透镜(6)、加速管(5)、对称静电扫描电极(73)、以及均匀磁场平行透镜(81)，所述屏蔽房内设有相互隔离的第一腔室(16)和第二腔室(17)，所述第一腔室(16)内设有高压仓(18)，所述第二腔室(17)内设有靶室(19)，所述离子源(1)、引出电极(2)、分析器(3)、及分析光栏(4)设于所述高压仓(18)内，所述加速管(5)设于所述第一腔室(16)内，所述高压仓(18)上设有供离子束(10)进入所述加速管(5)的...
【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置，其特征在于：包括离子束传输光路及屏蔽房，所述离子束传输光路包括依次设置的离子源(1)、引出电极(2)、分析器(3)、分析光栏(4)、聚焦透镜(6)、加速管(5)、对称静电扫描电极(73)、以及均匀磁场平行透镜(81)，所述屏蔽房内设有相互隔离的第一腔室(16)和第二腔室(17)，所述第一腔室(16)内设有高压仓(18)，所述第二腔室(17)内设有靶室(19)，所述离子源(1)、引出电极(2)、分析器(3)、及分析光栏(4)设于所述高压仓(18)内，所述加速管(5)设于所述第一腔室(16)内，所述高压仓(18)上设有供离子束(10)进入所述加速管(5)的第一出口(20)，所述第一腔室(16)上设有供离子束(10)进入所述对称静电扫描电极(73)的第二出口(21)，所述对称静电扫描电极(73)和所述均匀磁场平行透镜(81)设于所述第二腔室(17)内，所述靶室(19)内设有用于放置晶圆(9)的靶台(22)、用于对晶圆(9)定向的定向台(23)、至少一个用于存储晶圆(9)的片库(24)、以及至少一个用于传递晶圆(9)的机械手(25)，所述靶室(19)上设有供离子束(10)注入靶台(22)上晶圆(9)的注入口(26)。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于：所述加速管(5)与所述对称静电扫描电极(73)之间设有聚焦光栏(11)，所述聚焦光栏(11)位于所述第二腔室(17)内，聚焦光栏(11)上设有光栏孔。
3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于：所述对称静电扫描电极(73)靠近所述均匀磁场平行透镜(81)的一侧设有可伸缩的聚焦法拉第(12)，聚焦法拉第(12)当需要检测通过聚焦光栏(11)的束流值时伸出进入检测位置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭立波，王迪平，钟新华，袁卫华，胡振东，金泽军，许波涛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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