【技术实现步骤摘要】
电光调制器及其制作方法
本专利技术涉及光通信器件
，特别涉及一种电光调制器及其制作方法。
技术介绍
光纤通信是现代通信的主要支柱之一。随着数据通信业务的爆炸增长，人们对于通信的带宽提出了越来越高的要求，当前光纤通信系统单波长带宽正从2.5Gb/s、10Gb/s向更高带宽迈进。把信息加载到激光上分为内调制和外调制。内调制引起的啁啾较大，由于光纤的色散作用限制了它的传输距离，此外调制带宽也不高。外调制主要有电吸收型幅度调制器和电光型相位调制器，电吸收调制器固有损耗大，光生载流子引起调制电场的屏蔽效应容易造成调制器的饱和，而且只有幅度改变难以应用于高级调制格式；电光调制器所用材料主要有铌酸锂、有机聚合物和半导体等，他们都无法同时满足现代通信要求的大带宽、低半波电压、低插入损耗、小型化和集成化；而薄膜铌酸锂材料是通过离子切片和键合工艺制备而成，在电光调制器方面有巨大的潜力。在现有报道的薄膜铌酸锂调制器中普遍采用带宽更大的行波电极结构，但是目前报道的调制器中存在两个矛盾关系：低半波电压和大调制带宽的矛盾、低半波电压和低光...
【技术保护点】
1.一种电光调制器，其特征在于，包括在低介电常数衬底上至下而上依次排列的低介电常数键合层、铌酸锂波导结构、在微波共面波导传输线的基础上加载形成的周期性金属电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种电光调制器，其特征在于，包括在低介电常数衬底上至下而上依次排列的低介电常数键合层、铌酸锂波导结构、在微波共面波导传输线的基础上加载形成的周期性金属电极。
2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数键合层在铌酸锂波导结构有效调制区下方区域由空气替代。
3.如权利要求1或2所述的电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂波导结构和在微波共面波导传输线的基础上加载形成的周期性金属电极之间，进一步包括电介质层。
4.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数衬底为石英晶体，厚度范围为100um～500um。
5.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数键合层为二氧化硅层或者苯并环丁烯BCB层，厚度范围为2um～10um。
6.如权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，所述电介质层为氮化硅层或者二氧化硅层，厚度范围为100nm～200nm。
7.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述周期性金属电极为周期性T型电极。
8.一种电光调制器的制作方法，其特征在于，该方法包括：
形成低介电常数衬底；
在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，刘学成，熊兵，孙长征，郝智彪，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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