一种温度保护控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种温度保护控制电路，包括控制驱动芯片U1、三极管Q2、二极管ZD1，所述控制驱动芯片U1的2管脚分别与所述三极管Q2的集电极和二极管ZD2的阴极电性连接，所述控制驱动芯片U1的1管脚通过电阻R11接地，所述控制驱动芯片U1的2管脚还通过电容C6接地，所述三极管Q2的发射极与所述二极管ZD2的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极通过电容C7与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地。本实用新型专利技术公开的一种温度保护控制电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。

A temperature protection control circuit

【技术实现步骤摘要】
一种温度保护控制电路
本技术属于温度保护
，具体涉及一种温度保护控制电路。
技术介绍
在当前市面上，过温保护控制的电源有很多是采用只采用热敏电阻来进行温度保护作用，但是由于温度保护误差大，所以相应的温度保护控制精度不高，这样就导致电源温度会过高后再进入保护状态。因此，需要一种精确度高的温度保护电路。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种温度保护控制电路，其能够精确保护电路。本技术的另一目的在于提供一种温度保护控制电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。为达到以上目的，本技术公开一种温度保护控制电路，包括：控制驱动芯片U1、三极管Q2、二极管ZD1，所述控制驱动芯片U1的2管脚分别与所述三极管Q2的集电极和二极管ZD2的阴极电性连接，所述控制驱动芯片U1的1管脚通过电阻R11接地，所述控制驱动芯片U1的2管脚还通过电容C6接地，所述三极管Q2的发射极与所述二极管ZD2的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极通过电容C7与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度保护控制电路，其特征在于，包括：/n控制驱动芯片U1、三极管Q2、二极管ZD1，所述控制驱动芯片U1的2管脚分别与所述三极管Q2的集电极和二极管ZD2的阴极电性连接，所述控制驱动芯片U1的1管脚通过电阻R11接地，所述控制驱动芯片U1的2管脚还通过电容C6接地，所述三极管Q2的发射极与所述二极管ZD2的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极通过电容C7与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地；/n所述控制驱动芯片U1的6管脚与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述控制驱动芯片U1的一端依次通过电阻RT2、电阻R9、电阻R10与所述三极管Q2的发射极电性连接...

【技术特征摘要】
1.一种温度保护控制电路，其特征在于，包括：
控制驱动芯片U1、三极管Q2、二极管ZD1，所述控制驱动芯片U1的2管脚分别与所述三极管Q2的集电极和二极管ZD2的阴极电性连接，所述控制驱动芯片U1的1管脚通过电阻R11接地，所述控制驱动芯片U1的2管脚还通过电容C6接地，所述三极管Q2的发射极与所述二极管ZD2的阳极电性连接，所述三极管Q2的基极通过电容C7与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地；
所述控制驱动芯片U1的6管脚与所述电阻R8的一端电性连接，所述电阻R8远离所述控制驱动芯片U1的一端依次通过电阻RT2、电阻R9、电阻R10与所述三极管Q2的发射极电性连接，所述电阻R9和所述电阻R10的共接端与所述三极管Q2的基极电性连接，所述电阻R8远离所述控制驱动芯片U1的一端还通过所述二极管ZD1与所述三极管Q2的发射极电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种温度保护控制电路，其特征在于，所述控制驱动芯片U1的6管脚依次通过二极管D2、电阻R7、变压器T1-3接地，所述控制驱动芯片U1的6管脚与所述二极管D2的共接端和地之间并接有电容C13和电容C2。


3.根据权利要求1所述的一种温度保护控制电路，其特征在于，所述控制驱动芯片U1的5管脚与电阻R13之...

【专利技术属性】
技术研发人员：康正然，方洁苗，龙利权，汪潺，
申请(专利权)人：浙江榆阳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33