一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路制造技术

一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路，包括：电感L1、电感L2、电感L3、电容Cin、电容Ct1、电容Cout1、电容Cout2、电容Cbus、肖特基二级管D1、肖特基二级管D2、肖特基二级管D3、肖特基二级管D4、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管M1、NMOS管M2和NMOS管M3。本发明专利技术的优点如下：提出了基于MPPT技术的高功率密度非隔离三端口DC/DC变换器，该拓扑为B3R(Buck‑Buck‑Boost Converter)，具有较少的功率器件，因此有助于功率密度提升和高效率的实现。可采用基于B3R的双自由度控制策略，实现光伏‑电池直流功率系统中能量在PV端、电池端和负载端等三个端口之间自由流动控制。由于PV端或电池端到负载端的能量流动采用单级功率变换，因此也具有较高的效率。可同时实现MPPT，电池管理和母线电压调节。

A three port b3r power supply circuit based on MPPT Technology

【技术实现步骤摘要】
一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路。
技术介绍
传统S3R全调节方法实现重复脉冲载荷供电，导致严重增加电源系统体积和重量。脉冲负载可以从一次母线进行供电，虽然避免了对蓄蓄电池的寿命影响，但是传统全调节电源分系统必须按照峰值功率配置帆板、蓄蓄电池和PCU，造成80％之多的剩余功率浪费(针对20％占空比重复脉冲功率)。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路，包括：电感L1、电感L2、电感L3、电容Cin、电容Ct1、电容Cout1、电容Cout2、电容Cbus、肖特基二级管D1、肖特基二级管D2、肖特基二级管D3、肖特基二级管D4、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管M1、NMOS管M2和NMOS管M3，其中，所述电容Cin第一端和PMOS管P1第一端均连接太阳蓄电池阵输出端，所述电容Cin第二端接地，所述PMOS管P1第二端分别连接所述NMOS管M1和所述NMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路，其特征在于，包括：电感L1、电感L2、电感L3、电容Cin、电容Ct1、电容Cout1、电容Cout2、电容Cbus、肖特基二级管D1、肖特基二级管D2、肖特基二级管D3、肖特基二级管D4、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管M1、NMOS管M2和NMOS管M3，其中，所述电容Cin第一端和PMOS管P1第一端均连接太阳蓄电池阵输出端，所述电容Cin第二端接地，所述PMOS管P1第二端分别连接所述NMOS管M1和所述NMOS管M2第一端，所述NMOS管M1第二端连接所述肖特基二级管D2的阳极，所述肖特基二级管D2的阴极分别连...

【技术特征摘要】
1.一种基于MPPT技术的三端口B3R电源电路，其特征在于，包括：电感L1、电感L2、电感L3、电容Cin、电容Ct1、电容Cout1、电容Cout2、电容Cbus、肖特基二级管D1、肖特基二级管D2、肖特基二级管D3、肖特基二级管D4、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管M1、NMOS管M2和NMOS管M3，其中，所述电容Cin第一端和PMOS管P1第一端均连接太阳蓄电池阵输出端，所述电容Cin第二端接地，所述PMOS管P1第二端分别连接所述NMOS管M1和所述NMOS管M2第一端，所述NMOS管M1第二端连接所述肖特基二级管D2的阳极，所述肖特基二级管D2的阴极分别连接所述特基二级管D1的阴极、所述电感L1第一端、所述电容Ct1第一端和所述NMOS管M3第一端，所述肖特基二级管D1的阳极接地，所述电容Ct1第二端和所述电感L2第一端连接，所述电感L2第二端接地，所述NMOS管M2第二端连接所述肖特基二级管D3阳极，所述肖特基二级管D3阴极分别连接所述肖特基二级...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12