基板支承装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施例提供一种基板支承装置及其制造方法，基板支承装置包括：底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。

Base plate supporting device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
基板支承装置及其制造方法
本专利技术涉及一种用于处理半导体晶圆等基板的基板支承装置及其制造方法。
技术介绍
最近，在半导体器件制造工艺中，在半导体基板形成膜或蚀刻膜的工艺中大量使用等离子体处理设备。等离子体处理设备包括：加工腔室，具备用于加工半导体基板的空间；以及基板支承装置，布置于加工腔室内部并支承半导体基板。基板支承装置包括：底座，由铝构成；陶瓷静电卡盘，布置于底座的上侧；内部电极，设置于陶瓷静电卡盘的内部。在内部电极连接用于产生静电力的电源，半导体基板通过静电力吸附固定于静电卡盘上。位于静电卡盘上的半导体基板通过等离子体气体加热，向半导体基板的背面供给用于调节半导体基板的温度的冷却气体。作为冷却气体，主要使用氦(He)气，冷却气体通过在底座及静电卡盘形成的冷却气体供给孔向基板的背面供给。另一方面，随着半导体微细化，用于产生等离子体的RF功率越来越高，冷却气体供给孔内的放电产生问题成为严重的问题。这种放电可能引发基板支承装置的损伤。为了抑制产生放电，技术开发朝着减小冷却气体供给孔的直径或插入多孔性陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板支承装置，包括：/n底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及/n静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，/n所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。/n

【技术特征摘要】
20181015 KR 10-2018-01227941.一种基板支承装置，包括：
底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及
静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，
所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。


2.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔具有比所述第一气体供给孔的直径小的直径。


3.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔具有彼此不同的直径。


4.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔在一个所述第一气体供给孔的直径范围内形成多个。


5.根据权利要求4所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔之间的间距不规则布置。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李相起，李在京，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR