一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺制造技术

技术编号:23874311 阅读:27 留言:0更新日期:2020-04-22 01:04
本发明专利技术公开一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺,该保护膜包括防指纹层和防辐射基材层,该保护膜的制备工艺包括如下步骤:第一步、防辐射基材层的制备;第二步、防指纹层的制备;第三步、将防辐射基材层一侧和防指纹层通过胶粘剂进行复合,制得所述防爆、防辐射双层复合式手机保护膜;该薄膜中通过将聚醚醚酮薄膜和氧化石墨烯/氮化硅粒子结合,制成复合膜,能够提高聚合物和微粒组分在分子水平上的相容性,赋予该氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜良好的防辐射性能和抗菌性能,而且氧化石墨烯/氮化硅复合粒子能够赋予该膜优异的耐磨性能。

Preparation technology of a double-layer compound protective film of explosion-proof and radiation-proof for mobile phone

【技术实现步骤摘要】
一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺
本专利技术属于手机保护膜
,具体为一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺。
技术介绍
手机膜又称手机美容膜、手机保护膜,是可用于装裱手机机身表面、屏幕及其他有形物体的一种冷裱膜,种类繁多,根据其用途可分为:手机屏幕保护膜、手机机身保护膜;功能由最初的单纯防刮保护膜到推出功能型保护膜系列可分为:防窥膜、镜子膜、AR膜、磨砂膜、高清膜、防刮保护膜、3D膜、手机机身防刮花保护膜、钻石膜、钢化膜等;但是手机在正常使用过程中,手触即可留下痕迹及指纹的纹路,而且经常被触摸的表面通常易于被指纹、皮肤上的油脂、汗水和化妆品所污染,触摸屏表面指纹的积聚,不仅严重影响其视觉的清晰度和观感,而且还会导致触摸面板的可读性迅速下降,降低设备的可用性;而且随着手机的日用越来越广泛,产生的辐射也会对人体造成损害。中国专利技术专利CN105450801A公开了一种复合手机保护膜,所述复合手机保护膜包括最上层的防刮层、中间层的防水层和最下层的基材层组合而成,所述防刮层为钢化玻璃,所述的防刮层占复合手机保护膜总体分量的34%-35%,所述的防水层占复合手机保护膜总体分量的31%-35%,所述的基材层占复合手机保护膜总体分量的30%-33%。
技术实现思路
为了克服上述的技术问题,本专利技术提供一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺。本专利技术所要解决的技术问题:(1)石墨烯之间存在超强的范德华力和共轭作用力,容易形成三维结构,使其在有机相以及水相溶剂中分散性较差,而且石墨烯与氮化硅制成的复合微粒,稳定性差,无法通过其制成薄膜;(2)传统的石墨烯与高聚物在分子水平上相容性较差,通过其与聚醚醚酮薄膜制备出的复合膜无法具有优异的防辐射性能和抗菌性能,而且无法赋予复合膜优异的耐磨性能。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺,该保护膜包括防指纹层和防辐射基材层,该保护膜的制备工艺包括如下步骤:第一步、防辐射基材层的制备:步骤S1、称取如下重量份原料:5-10份氧化石墨烯/氮化硅复合粒子,2-5份丁二烯,10-15份苯乙烯,10-20份丙烯酸酯,5-10份二甲基硅油,25-30份乙二醇,1-5份KH550,0.2-0.8份过氧化月桂酰,3-5份聚醚醚酮粉末,15-25份乙腈,0.1-0.3份PEG400;步骤S2、将聚醚醚酮粉末溶于乙腈中,加入PEG400,匀速搅拌15min,流延成膜,60℃干燥5h,冷却至室温,浸入水中取下,制得聚醚醚酮薄膜;步骤S3、将丁二烯、苯乙烯和丙烯酸酯加入烧杯中混合,加入乙二醇,磁力搅拌15min,制得混合液,将氧化石墨烯/氮化硅复合粒子、二甲基硅油和混合液加入去离子水中,超声2h,控制超声功率为800w,加入KH550,制得膜液;步骤S4、将步骤S2制得的聚醚醚酮薄膜加入步骤S3制得的膜液中,加入过氧化月桂酰,通入氮气排出空气,反应5h后制得氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜;步骤S5、将制得的氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜烘干、切膜,制得所述防辐射基材层;先制备出一种聚醚醚酮薄膜,之后通过将丁二烯、苯乙烯和丙烯酸酯等混合制备出一种成膜剂,乙二醇作为有机溶剂,并在过氧化月桂酰做引发剂的条件下制备出一种氧化石墨烯/氮化硅的膜液,最后通过聚醚醚酮薄膜和膜液制备出该氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜,该薄膜中通过将聚醚醚酮薄膜和氧化石墨烯/氮化硅粒子结合,制成复合膜,能够提高聚合物和微粒组分在分子水平上的相容性,赋予该氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜良好的防辐射性能和抗菌性能,而且氧化石墨烯/氮化硅复合粒子能够赋予该膜优异的耐磨性能。第二步、防指纹层的制备:(1)将聚二甲基硅氧烷与固化剂混合,制得混合物,加入疏水材料,之后倒入基板上,在90℃下固化2h,制得聚二甲基硅氧烷薄膜,控制聚二甲基硅氧烷、固化剂与疏水材料的重量比为10∶1∶0.1;(2)对聚二甲基硅氧烷薄膜进行刻蚀,控制刻蚀时间为2min,之后超声,在70℃下干燥1h,制得防指纹薄膜,切膜,制得所述防指纹层;第三步、将防辐射基材层一侧和防指纹层通过胶粘剂进行复合,制得所述防爆、防辐射双层复合式手机保护膜。先制备出一种聚二甲基硅氧烷薄膜,之后对聚二甲基硅氧烷薄膜进行刻蚀,使得聚二甲基硅氧烷薄膜表面产生微纳粗糙结构,通过对刻蚀时间为2min,能够控制汗液在二甲基硅氧烷薄膜表面的润湿性,从而实现防指纹的效果,而且还通过在制备过程中加入十三氟辛基三甲氧基硅烷,进一步增强薄膜的防指纹性能。进一步地,所述氧化石墨烯/氮化硅复合粒子由如下方法制成:(1)将石墨烯加入圆底烧瓶中,加入硝酸钠和质量分数98%浓硫酸,在3℃冰浴中搅拌15min,加入氯酸钾,继续搅拌30min,之后40℃水浴加热,反应3h,加入去离子水并置于80℃油浴下反应30min,加入体积分数20%过氧化氢水溶液继续反应10min,氧化石墨烯溶液,控制石墨烯、硝酸钠、98%浓硫酸、氯酸钾和20%过氧化氢水溶液的重量比为1∶0.5∶20∶0.1∶3;(2)将氮化硅加入去离子水中,以250r/min的转速进行磁力搅拌并加入步骤(1)制得的氧化石墨烯溶液,继续搅拌并超声30min,之后转移至水热釜中,在100℃下反应10h,之后过滤,用无水乙醇洗涤滤饼,洗涤三次后分散在无水乙醇中,加入油酸,以450r/min的转速搅拌并回流20min,冷却、离心、洗涤,制得氧化石墨烯/氮化硅复合粒子,控制氮化硅、氧化石墨烯和油酸的重量比为1∶0.2∶0.05。石墨烯之间存在超强的范德华力和共轭作用力,容易形成三维结构,使其在有机相以及水相溶剂中分散性较差,步骤(1)中将石墨烯在氯酸钾和20%过氧化氢水溶液等作用下制备出一种氧化石墨烯,该氧化石墨烯能够分散在水中也可以分散在有机溶剂中,而且该氧化石墨烯表面增加了丰富的含氧官能团,不易发生团聚;步骤(2)通过氧化石墨烯和氮化硅制备出一种复合粒子,在体系中氧化石墨烯呈片状能够将氮化硅进行包覆,氮化硅在氧化石墨烯的包覆作用下以及自身自由能的作用下呈梭状,之后加入油酸,氧化石墨烯表面表面存在大量羟基,能够与油酸上的羧基发生酯化反应,将油酸分子接枝在氧化石墨烯表面,将氧化石墨烯表面进行覆盖,进而增大氧化石墨烯之间的距离,让氮化硅更好的与氧化石墨烯混合,保障制备出的氧化石墨烯/氮化硅复合粒子具有优异的稳定性,而且能够赋予最终制备出的复合膜优异的耐磨性能。进一步地,所述防辐射基材层与防指纹层的厚度为0.10-0.15mm。进一步地,第三步中胶粘剂为水性塑塑复合胶和压敏胶中的一种或两种。进一步地,第二步中疏水材料为十三氟辛基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种。本专利技术的有益效果:(1)本专利技术一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜,包括防指纹层和防辐射基材层,该保护膜用于手机背壳,防辐射基材层为一种氧化石墨烯/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺,其特征在于,该保护膜包括防指纹层和防辐射基材层,该保护膜的制备工艺包括如下步骤:/n第一步、防辐射基材层的制备:/n步骤S1、称取如下重量份原料:5-10份氧化石墨烯/氮化硅复合粒子,2-5份丁二烯,10-15份苯乙烯,10-20份丙烯酸酯,5-10份二甲基硅油,25-30份乙二醇,1-5份KH550,0.2-0.8份过氧化月桂酰,3-5份聚醚醚酮粉末,15-25份乙腈,0.1-0.3份PEG400;/n步骤S2、将聚醚醚酮粉末溶于乙腈中,加入PEG400,匀速搅拌15min,流延成膜,60℃干燥5h,冷却至室温,浸入水中取下,制得聚醚醚酮薄膜;/n步骤S3、将丁二烯、苯乙烯和丙烯酸酯加入烧杯中混合,加入乙二醇,磁力搅拌15min,制得混合液,将氧化石墨烯/氮化硅复合粒子、二甲基硅油和混合液加入去离子水中,超声2h,控制超声功率为800w,加入KH550,制得膜液;/n步骤S4、将步骤S2制得的聚醚醚酮薄膜加入步骤S3制得的膜液中,加入过氧化月桂酰,通入氮气排出空气,反应5h后制得氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜;/n步骤S5、将制得的氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜烘干、切膜,制得所述防辐射基材层;/n第二步、防指纹层的制备:/n(1)将聚二甲基硅氧烷与固化剂混合,制得混合物,加入疏水材料,之后倒入基板上,在90℃下固化2h,制得聚二甲基硅氧烷薄膜,控制聚二甲基硅氧烷、固化剂与疏水材料的重量比为10∶1∶0.1;/n(2)对聚二甲基硅氧烷薄膜进行刻蚀,控制刻蚀时间为2min,之后超声,在70℃下干燥1h,制得防指纹薄膜,切膜,制得所述防指纹层;/n第三步、将防辐射基材层一侧和防指纹层通过胶粘剂进行复合,制得所述防爆、防辐射双层复合式手机保护膜。/n...

【技术特征摘要】
1.一种防爆、防辐射双层复合式手机保护膜的制备工艺,其特征在于,该保护膜包括防指纹层和防辐射基材层,该保护膜的制备工艺包括如下步骤:
第一步、防辐射基材层的制备:
步骤S1、称取如下重量份原料:5-10份氧化石墨烯/氮化硅复合粒子,2-5份丁二烯,10-15份苯乙烯,10-20份丙烯酸酯,5-10份二甲基硅油,25-30份乙二醇,1-5份KH550,0.2-0.8份过氧化月桂酰,3-5份聚醚醚酮粉末,15-25份乙腈,0.1-0.3份PEG400;
步骤S2、将聚醚醚酮粉末溶于乙腈中,加入PEG400,匀速搅拌15min,流延成膜,60℃干燥5h,冷却至室温,浸入水中取下,制得聚醚醚酮薄膜;
步骤S3、将丁二烯、苯乙烯和丙烯酸酯加入烧杯中混合,加入乙二醇,磁力搅拌15min,制得混合液,将氧化石墨烯/氮化硅复合粒子、二甲基硅油和混合液加入去离子水中,超声2h,控制超声功率为800w,加入KH550,制得膜液;
步骤S4、将步骤S2制得的聚醚醚酮薄膜加入步骤S3制得的膜液中,加入过氧化月桂酰,通入氮气排出空气,反应5h后制得氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜;
步骤S5、将制得的氧化石墨烯/氮化硅复合薄膜烘干、切膜,制得所述防辐射基材层;
第二步、防指纹层的制备:
(1)将聚二甲基硅氧烷与固化剂混合,制得混合物,加入疏水材料,之后倒入基板上,在90℃下固化2h,制得聚二甲基硅氧烷薄膜,控制聚二甲基硅氧烷、固化剂与疏水材料的重量比为10∶1∶0.1;
(2)对聚二甲基硅氧烷薄膜进行刻蚀,控制刻蚀时间为2min,之后超声,在70℃下干燥1h,制得防指纹薄膜,切膜,制得所述防指纹层;
第三步、将防辐射基材层一侧和防指纹层通过胶粘剂进行复合,...

【专利技术属性】
技术研发人员:余正波程承敏
申请(专利权)人:江西昊泽光学膜科技有限公司
类型:发明
国别省市:江西;36

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