【技术实现步骤摘要】
一种加热装置及光刻系统
本技术涉及集成电路制备
，具体涉及一种加热装置及光刻系统。
技术介绍
在半导体工艺中，光刻工艺是通过一系列生产步骤将掩模版上的图形转移到晶圆上的工艺。光刻工艺一般包括在晶圆表面涂底胶、旋涂光刻胶、软烘、对准、曝光、曝光后烘焙、显影、硬烘、检测等工序。随着半导体技术的发展，晶圆表面图形的线宽不断缩小，光刻线宽精度也成为光刻工艺中的一个重要参数。影响曝光后线宽均匀性的因素较多，例如加热板本身温度的不均匀性、晶圆弯曲、光阻厚度不均匀等，其中曝光后烘焙温度的均匀性是影响光刻线宽精度问题的重要因素之一。现有技术中改善烘焙温度均匀性的技术手段主要是对加热盘自身的改进，这种改进能够一定程度上提高烘焙温度的均匀性，但是由于现有技术中的改进仍然是在单一方向对晶圆进行烘焙，因此在提高烘焙均匀性上具有局限性，效果并不理想。
技术实现思路
针对现有技术中改善烘焙温度均匀性方面所存在的上述缺陷及不足，本技术提供一种加热装置及光刻系统，所述加热装置包括用于承载并自背面加热待加热的基板的承载板...
【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：/n承载板，用于承载待加热的基板，所述承载板自所述基板的背面对所述基板进行加热；/n位于所述承载板上方与所述承载板间隔设置的加热板，所述加热板自所述基板的正面对所述基板加热以进行温度补偿，所述加热板设置为对所述基板进行分区域的温度补偿。/n
【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：
承载板，用于承载待加热的基板，所述承载板自所述基板的背面对所述基板进行加热；
位于所述承载板上方与所述承载板间隔设置的加热板，所述加热板自所述基板的正面对所述基板加热以进行温度补偿，所述加热板设置为对所述基板进行分区域的温度补偿。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热板的热辐射面积等于或者大于所述基板的正面的面积。
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述加热板包括多个放热源，多个所述放热源均匀分布在所述加热板上。
4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，每一个所述放热源均包括加热单元和控制单元，所述加热单元释放热量对所述基板的不同区域进行温度补偿，所述控制单元控制所述加热单元的热量释放。
5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，每一个所述放热源还包括聚焦部件，所述聚焦部件呈辐射状，对所述放热源释放的放量进行聚焦。
6.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，所述聚...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦俊峰，李天慧，曾伟雄，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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