【技术实现步骤摘要】
低交叉极化的SIW并馈阵列天线
本专利技术属于天线技术，具体为一种低交叉极化的SIW并馈阵列天线。
技术介绍
现代微波技术中，微带天线是应用最广泛的一种平面天线。微带天线由三层构成，底层的接地板、中间的介质基板和上层具有特定形状的金属薄片。接地板与表面金属薄片形成一个谐振腔，在腔体内积聚大量的电磁能量，通过导电薄片四周与接地板之间的缝隙将腔体中的能量向外辐射。微带阵列天线是将一定数量相同的微带天线，按照一定方式进行排列组合，形成一个新的天线系统。杨罕教授团队设计了一种四元的微带阵列天线，通过阵列结构设计和阻抗匹配，该阵列天线具有较强的方向性和较高的增益。然而，微带阵列天线具有一定的技术问题：在利用微带线进行馈电时，其自身会损耗部分能量并且存在辐射。微带线上的能量损耗会使得阵列天线增益降低，微带线的辐射会使整个阵列天线的辐射方向图发生畸变，从而导致辐射性能恶化，交叉极化水平变差。除此之外，微带线作为馈电网络时，阻抗匹配是一个棘手问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种低交叉极化的SIW并馈...
【技术保护点】
1.一种低交叉极化的SIW并馈阵列天线，其特征在于，包括介质基板(3)、设置在介质基板(3)上表面的金属层(1)、设置在介质基板(3)下表面的金属接地板(2)、馈源(4)以及金属柱，所述金属层(1)包括七个矩形金属片，其中，第一矩形金属片设置在介质基板(3)中心，两个第二矩形金属片对称设置在第一矩形金属片左右两侧，两个第二矩形金属片的上下两侧均分别设置第三矩形金属片；所述金属层(1)通过金属柱与金属接地板(2)相连，将电磁波束缚在介质基板(3)中；所述馈源(4)设置在金属层(1)中心，贯穿金属接地板(2)与金属层(1)为金属层(1)馈电。/n
【技术特征摘要】
1.一种低交叉极化的SIW并馈阵列天线，其特征在于，包括介质基板(3)、设置在介质基板(3)上表面的金属层(1)、设置在介质基板(3)下表面的金属接地板(2)、馈源(4)以及金属柱，所述金属层(1)包括七个矩形金属片，其中，第一矩形金属片设置在介质基板(3)中心，两个第二矩形金属片对称设置在第一矩形金属片左右两侧，两个第二矩形金属片的上下两侧均分别设置第三矩形金属片；所述金属层(1)通过金属柱与金属接地板(2)相连，将电磁波束缚在介质基板(3)中；所述馈源(4)设置在金属层(1)中心，贯穿金属接地板(2)与金属层(1)为金属层(1)馈电。
2.根据权利要求1所述的低交叉极化的SIW并馈阵列天线，其特征在于，第一矩形金属片、第二矩形金属片以及第三矩形金属片长度为8mm至22mm，宽度为5mm至20mm。
3.根据权利要求1或2所述的低交叉极化的SIW并馈阵列天线，其特征在于，第一矩形金属片长度L1为10mm，第一矩形金属片宽度W1为8.7mm。
4.根据权利要求1或2所述的低交叉极化的SIW并馈阵列天线，其特征在于，第二矩形金属片长度L2为10.7mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：张金栋，张景怡，吴文，马海斌，王子洋，陈祥云，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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