大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种结构简单，便于控制磁场强度，并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托；石墨托下方设置有底部旋转支撑杆；所述炉体的炉膛两侧均设置有磁场发生装置；所述磁场发生装置上设置有U型导磁体；所述U型导磁体一端与磁场发生装置连接，另一端延伸到坩埚与加热装置之间；所述U型导磁体的外表面上设置有隔热层；所述U型导磁体延伸到坩埚与加热装置之间的部分设置有均匀分布的导磁块。采用该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，能够明显地改善单晶的均匀性，降低缺陷密度。

Large diameter and high efficiency n-type monocrystal silicon magnetic control crystal drawing device

【技术实现步骤摘要】
大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置
本技术涉及废弃硅料的回收利用，尤其是一种大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。
技术介绍
众所周知的：单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅的生产一般是通过在单晶炉内通过直拉法得到单晶硅棒。为了提高单晶硅生产过程中晶体的品质，避免出现杂质分布不均匀、缺陷密度高等不良效果。一般通过磁控拉晶法进行拉晶，磁控拉晶法是指在直拉过程中熔体部位施加磁场制备单晶的方法。现有的单晶炉是通过在炉体外增加磁场，磁场穿透炉体到坩埚内硅料的熔融区，导电的熔体与磁力线相作用而产生洛仑兹力，从而抑止热对流。但实现有的磁场由于设置在外部因此，对磁场的控制比较困难。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单，便于控制磁场强度，并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：大直径高效N型单晶硅的磁控拉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体(1)；所述炉体(1)上方设置有上炉腔(7)；所述上炉腔(7)上方设置有晶棒提升旋转装置(8)；所述炉体(1)的炉膛内设置有坩埚(3)；所述坩埚(3)下方设置有石墨托(2)；所述石墨托(2)下方设置有底部旋转支撑杆(6)；所述坩埚(3)外侧设置有加热装置(5)以及保温罩(4)；所述炉体(1)底部设置有出气口(16)；所述上炉腔(7)上设置有保护气入口(71)以及抽真空口(72)；/n其特征在于：所述炉体(1)的炉膛两侧均设置有磁场发生装置(11)；所述磁场发生装置(11)上设置有U型导磁体(12)；所述U型导磁体(12)一端与磁场发生装置(11)...

【技术特征摘要】
1.大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体(1)；所述炉体(1)上方设置有上炉腔(7)；所述上炉腔(7)上方设置有晶棒提升旋转装置(8)；所述炉体(1)的炉膛内设置有坩埚(3)；所述坩埚(3)下方设置有石墨托(2)；所述石墨托(2)下方设置有底部旋转支撑杆(6)；所述坩埚(3)外侧设置有加热装置(5)以及保温罩(4)；所述炉体(1)底部设置有出气口(16)；所述上炉腔(7)上设置有保护气入口(71)以及抽真空口(72)；
其特征在于：所述炉体(1)的炉膛两侧均设置有磁场发生装置(11)；所述磁场发生装置(11)上设置有U型导磁体(12)；所述U型导磁体(12)一端与磁场发生装置(11)连接，另一端延伸到坩埚(3)与加热装置(5)之间；所述U型导磁体(12)的外表面上设置有隔热层(18)；所述U型导磁体(12)延伸到坩埚(3)与加热装置(5)之间的部分设置有均匀分布的导磁块(17)；所述炉体(1)炉膛的上部设置有U型导磁体(12)固定支架(14)。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉豪，徐文州，耿荣军，喻先丽，
申请(专利权)人：乐山新天源太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51