本发明专利技术涉及一种镀膜的PC复合板及其制作工艺，PC复合板从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。一种镀膜的PC复合板的制备工艺：将氧化铌靶材、二氧化硅靶材安装在镀膜箱体内，关闭箱体，并不断的抽真空，去除箱体内水蒸气及杂气；待本地真空度达到5×10‑4pa时，充入纯度为99.99％的氩气和氧气，使工作压强达到0.3‑0.8Pa；开启离子源，开启靶材电源，并开始镀膜，真空箱体内进行磁控溅射，Ar轰击靶材表面，在经过离子源处理过得并已印制油墨PC复合板上先后镀制58±8nm氧化铌，25±5nm二氧化硅，38±8nm氧化铌。本发明专利技术在已涂布油墨PC复合板上镀制复合膜层，优化膜层附着力。
A coated PC composite board and its manufacturing process
【技术实现步骤摘要】
一种镀膜的PC复合板及其制作工艺
本专利技术涉及PC复合板镀膜
，具体涉及一种镀膜的PC复合板及其制作工艺。
技术介绍
目前消费市场手机后盖炫彩后盖应用较为日渐流行，目前主要采用磁控溅射或电子枪真空电镀，磁控溅射方式产能高，但对镀膜工艺要求较高，附着力较差电子枪真空电镀适用于多样颜色产品。但速度慢，产能低，成本高。
技术实现思路
为了解决这一问题，考虑成本及性能优势，采用磁控溅射方式进行大面积镀膜，在PC复合板上镀制氧化铌和二氧化硅，本专利技术提供了一种镀膜的PC复合板及其制作工艺，具体的技术方案如下所述：一种镀膜的PC复合板，从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。进一步地，所述的第一氧化铌层的厚度为58±8nm。进一步地，所述的二氧化硅层的厚度为25±5nm。进一步地，所述的第二氧化铌层的厚度为38±8nm。一种所述的镀膜的PC复合板的制备工艺，包括以下工艺步骤：步骤一，将氧化铌靶材、二氧化硅靶材安装在镀膜箱体内，关闭箱体，将温度升高到200-300℃，将镀膜箱体烘烤1-2h，并不断的抽真空，去除箱体内水蒸气及杂气；步骤二，待本地真空度达到5×10-4pa时，充入纯度为99.99％的氩气和氧气，使工作压强达到0.3-0.8Pa；步骤三，开启离子源，离子源的功率为0.1-0.5kw，按顺序开启氧化铌靶材和二氧化硅靶材源，使靶材开始进行溅射，Ar轰击靶材表面，在经过离子源处理过得并已印制油墨PC复合板上先后镀制58±8nm氧化铌，25±5nm二氧化硅，38±8nm氧化铌。本专利技术的有益效果为：本专利技术的为单面结构，在已涂布油墨PC复合板上镀制复合膜层；已印制油墨PC复合板采用离子源进行处理，优化膜层附着力。附图说明图1为本专利技术实施例的镀膜的PC复合板的结构示意图。其中，1-第一氧化铌层，2-二氧化硅层，3-第二氧化铌层，4-油墨层，5-PC复合板。具体实施方式：为了加深对本专利技术的理解，下面结合附图对本专利技术的实施例做详细的说明。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。参见图1，实施例1一种镀膜的PC复合板，从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。进一步地，所述的第一氧化铌层的厚度为58nm。进一步地，所述的二氧化硅层的厚度为25nm。进一步地，所述的第二氧化铌层的厚度为38nm。一种所述的镀膜的PC复合板的制备工艺，包括以下工艺步骤：步骤一，将氧化铌靶材、二氧化硅靶材安装在镀膜箱体内，关闭箱体，将温度升高到250℃，将镀膜箱体烘烤1.5h，并不断的抽真空，去除箱体内水蒸气及杂气；步骤二，待本地真空度达到5×10-4pa时，充入纯度为99.99％的氩气和氧气，使工作压强达到0.5Pa；步骤三，开启离子源，离子源的功率为0.3kw，按顺序开启氧化铌靶材和二氧化硅靶材源，使靶材开始进行溅射，Ar轰击靶材表面，在经过离子源处理过得并已印制油墨PC复合板上先后镀制58nm氧化铌，25nm二氧化硅，38nm氧化铌。实施例2一种镀膜的PC复合板，从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。进一步地，所述的第一氧化铌层的厚度为53nm。进一步地，所述的二氧化硅层的厚度为23nm。进一步地，所述的第二氧化铌层的厚度为35nm。一种所述的镀膜的PC复合板的制备工艺，包括以下工艺步骤：步骤一，将氧化铌靶材、二氧化硅靶材安装在镀膜箱体内，关闭箱体，将温度升高到280℃，将镀膜箱体烘烤1h，并不断的抽真空，去除箱体内水蒸气及杂气；步骤二，待本地真空度达到5×10-4pa时，充入纯度为99.99％的氩气和氧气，使工作压强达到0.6Pa；步骤三，开启离子源，离子源的功率为0.2kw，按顺序开启氧化铌靶材和二氧化硅靶材源，使靶材开始进行溅射，Ar轰击靶材表面，在经过离子源处理过得并已印制油墨PC复合板上先后镀制53nm氧化铌，23nm二氧化硅，35nm氧化铌。本专利技术方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征等同替换所组成的技术方案。本专利技术的未尽事宜，属于本领域技术人员的公知常识。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种镀膜的PC复合板，其特征在于，从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。/n
【技术特征摘要】
1.一种镀膜的PC复合板，其特征在于，从上至下依次包括第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、油墨层及PC复合板。
2.根据权利要求1所述的镀膜的PC复合板，其特征在于，所述的第一氧化铌层的厚度为58±8nm。
3.根据权利要求1所述的镀膜的PC复合板，其特征在于，所述的二氧化硅层的厚度为25±5nm。
4.根据权利要求1所述的镀膜的PC复合板，其特征在于，所述的第二氧化铌层的厚度为38±8nm。
5.一种如权利要求1-4任意一项所述的镀膜的PC复合板的制备工艺，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张石亮，张继凡，杨凯，
申请(专利权)人：安徽立光电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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