一种H桥双路电机驱动电路制造技术

技术编号:23818986 阅读:28 留言:0更新日期:2020-04-16 11:57
一种H桥双路电机驱动电路,包括两个电机、三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管,三个P沟道场效应管的漏极与电源连接,三个N沟道场效应管的源极接地,第一电机的第二连接端连接第二电机的第二连接端,第一电机的第一连接端连接第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极,第二电机的第一连接端连接第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极,第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应管的漏极与第一电机的第二连接端、第二电机的第二连接端间的连接点相连,三个P沟道场效应管和三个N沟道场效应管的栅极连接微控制单元相应的控制端口,通过微控制单元控制三个N沟道场效应管和三个P沟道场效应管的导通和关断。

A driving circuit of H-bridge two-way motor

【技术实现步骤摘要】
一种H桥双路电机驱动电路
本技术涉及汽车控制
,特别涉及一种H桥双路电机驱动电路。
技术介绍
目前,对于同时驱动双路电机的正反转,传统的驱动方案通常需要两个独立的H桥电机驱动单元,分别对两个电机进行驱动控制。而两个独立的H桥驱动单元,一共需要八个场效应管MOSFET,因此占用电路版的面积大,元器件的使用成本较高。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种H桥双路电机驱动电路,其能减少所用元器件,从而减小了本驱动电路在电路板上的所占面积,且能降低元器件的使用成本。本技术的技术方案是:一种H桥双路电机驱动电路,包括两个电机,还包括三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管,所述三个P沟道场效应管的漏极均与电源连接,所述三个N沟道场效应管的源极均接地,所述第一电机的第二连接端与第二电机的第二连接端连接,第一电机的第一连接端分别与第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极连接,第二电机的第一连接端分别与第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极连接,第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种H桥双路电机驱动电路,包括两个电机,其特征在于:还包括三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管,所述三个P沟道场效应管的漏极均与电源连接,所述三个N沟道场效应管的源极均接地,所述两个电机中第一电机的第二连接端与第二电机的第二连接端连接,第一电机的第一连接端分别与第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极连接,第二电机的第一连接端分别与第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极连接,第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应管的漏极与第一电机的第二连接端、第二电机的第二连接端之间的连接点相连,所述三个P沟道场效应管和三个N沟道场效应管的栅极分别与微控制单元相应的控制端口连接...

【技术特征摘要】
1.一种H桥双路电机驱动电路,包括两个电机,其特征在于:还包括三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管,所述三个P沟道场效应管的漏极均与电源连接,所述三个N沟道场效应管的源极均接地,所述两个电机中第一电机的第二连接端与第二电机的第二连接端连接,第一电机的第一连接端分别与第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极连接,第二电机的第一连接端分别与第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极连接,第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应管的漏极与第一电机的第二连接端、第二电机的第二连接端之间的连接点相连,所述三个P沟道场效应管和三个N沟道场效应管的栅极分别与微控制单元相应的控制端口连接,通过微控制单元分别控制三个N沟道场效应管和三个P沟道场效应管的导通和关断。


2.根据权利要求1所述的一种H桥双路电机驱动电路,其特征在于:所述三个N沟道场效应管和三个P沟道场效应管分别配置有一续流二极管,所述续流二极管的正极连...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭伟李涵师杰
申请(专利权)人:重庆海德世拉索系统集团有限公司
类型:新型
国别省市:重庆;50

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