多重蓝宝石单晶生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多重蓝宝石单晶生长装置，包括为保证加热后的内部温度上升至蓝宝石原料的高纯度氧化铝的熔融温度以上，从周围被保温体隔热的生长炉；位于生长炉内部，且蓝宝石原料被熔融的同时从籽晶生长单晶的多只坩埚；用于熔融蓝宝石原料而在坩埚外部安装的多重分体发热体；为防止籽晶完全熔融而形成上下温度梯度，在坩埚的底部安装的冷却机构；用于检测生长炉内部温度的温度传感器和用于根据温度传感器检测的温度对生长炉内温度进行调节的温度调节器；以及与多重分体发热体一对一对应的电力控制装置，温度传感器和温度调节器分别与电力控制装置连接。本实用新型专利技术解决了现有技术中蓝宝石单晶生长过程容易出现内部产生温差的问题。

Multiple sapphire single crystal growth device

【技术实现步骤摘要】
多重蓝宝石单晶生长装置
本申请涉及蓝宝石单晶生长装置领域，尤其涉及一种多重蓝宝石单晶生长装置。
技术介绍
最近，随着LED产业的不断创新，在全球范围内带来了照明和显示器产业重组。以GaN半导体材料为基础的LED，因其具有用其它材料半导体无法实现的高能隙，不仅能够显示出青色和紫色色域，也可实现高亮度，因此在高能设备上得以有效应用。因此现代LED产业中几乎大部分都采用GaN半导体用于生长薄膜状GaN半导体的基板，原则上需要采用GaN单晶。但是GaN单晶的生长条件非常苛刻，难于实现大型单晶的生长，其经济性也不高，因此到目前为止仅局限于在特定用途中进行实用化的阶段中。最近的产业技术在蓝宝石晶片上生长薄膜状GaN单晶的方式制造蓝色LED后，将此进行实用化、高效化方面取得了成功。因此目前为制造全色域高亮度LED，普遍采用在蓝宝石(Al2O3)单晶圆上生长GaN薄膜的方式。另外，在批量生产的基础上，以采用更加经济实惠的LED照明器具的方式实现了价格优势，从而在几乎所有的照明上均可适用LED，对此的需求也在不断增加中。以往的蓝宝石单晶生长技术有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多重蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，包括：/n为保证加热后的内部温度上升至蓝宝石原料的高纯度氧化铝的熔融温度以上，从周围被保温体隔热的生长炉；/n位于所述生长炉内部，且所述蓝宝石原料被熔融的同时从籽晶生长单晶的多只坩埚；/n用于熔融所述蓝宝石原料而在所述坩埚外部安装的多重分体发热体；/n为防止所述籽晶完全熔融而形成上下温度梯度，在所述坩埚的底部安装的冷却机构；/n用于检测所述生长炉内部温度的温度传感器和用于根据所述温度传感器检测的温度对所述生长炉内温度进行调节的温度调节器；以及/n与多重分体所述发热体一对一对应的电力控制装置，所述温度传感器和温度调节器分别与所述电力控制装置连接，所述电...

【技术特征摘要】
1.一种多重蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，包括：
为保证加热后的内部温度上升至蓝宝石原料的高纯度氧化铝的熔融温度以上，从周围被保温体隔热的生长炉；
位于所述生长炉内部，且所述蓝宝石原料被熔融的同时从籽晶生长单晶的多只坩埚；
用于熔融所述蓝宝石原料而在所述坩埚外部安装的多重分体发热体；
为防止所述籽晶完全熔融而形成上下温度梯度，在所述坩埚的底部安装的冷却机构；
用于检测所述生长炉内部温度的温度传感器和用于根据所述温度传感器检测的温度对所述生长炉内温度进行调节的温度调节器；以及
与多重分体所述发热体一对一对应的电力控制装置，所述温度传感器和温度调节器分别与所述电力控制装置连接，所述电力控制装置用于控制所述温度传感器对生长炉内温度进行检测，并控制所述温度调节器对所述生长炉内温度进行调节，以保证所述生长炉内部精确温度控制和保持单一方向长形所述生长炉内部温度均匀。


2.根据权利要求1所述的多重蓝宝石单晶生长装置，其特征在于：
所述温度传感器为高温计，其末端采用封堵形状的管子进行温度测定。


3.根据权利要求1所述的多重蓝宝石单晶生长装置，其特征在于：
所述发热体的长度为5-50㎝。


4.根据权利要求1所述的多重蓝宝石单晶生长装置，其特征在于：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洙滢，崔钟健，朴南奎，许华平，刘少晗，裴悠松，李钟海，贝民贤，
申请(专利权)人：贝民贤，
类型：新型
国别省市：江苏;32