发光装置以及包括其的光照射器制造方法及图纸

发光装置包括：基板；发光二极管，在所述基板上提供为多个，并以矩阵形状排列；以及窗口，提供于所述发光二极管上，并提供为穹形而控制从所述发光二极管射出的光的路径。所述窗口具有下方直径的70％以下的高度，以使得从所述发光二极管射出的光的指向角会聚为90度以下。

Light emitting device and light irradiator thereof

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置以及包括其的光照射器
本专利技术涉及一种发光装置以及包括其的光照射器。
技术介绍
发光二极管是半导体器件之一，其发出通过电子和空穴的复合产生的光。发光二极管射出可见光、紫外线等各种波段的光，可以用作UV固化机、消毒机、光源等等。特别地，紫外线发光二极管广泛用于紫外线固化装置等中。
技术实现思路
本专利技术的一实施例的目的在于提供一种射出均匀光的发光装置以及采用该发光装置的光照射器。本专利技术的一实施例的发光装置包括：基板；发光二极管，在所述基板上提供为多个，并以矩阵形状排列；以及窗口，提供于所述发光二极管上，并提供为穹形而控制从所述发光二极管射出的光的路径。所述窗口具有下方直径的70％以下的高度，以使得从所述发光二极管射出的光的指向角会聚为90度以下。在本专利技术的一实施例中，可以是，所述窗口包括：基体；以及透镜部，从所述基体的一表面凸出并在平面上观察时具有圆的形状，当在垂直于所述基体的上表面且穿过所述基体上的所述圆的中心的截面上观察时，所述透镜部根据以所述圆的中心为基准从所述基体的上表面起的角度，具有与相邻的部分不同量的倾斜度变化量。在本专利技术的一实施例中，可以是，所述透镜部根据以所述圆的中心为基准从所述基体的上表面起的角度，依次分为第1区域至第m区域时，在第n区域中的倾斜度变化量大于在第n-1区域中的倾斜度变化量及第n+1区域中的倾斜度变化量，其中，1＜n＜m。在本专利技术的一实施例中，可以是，当在穿过所述透镜部的中心的截面上观察时，形成所述透镜部的曲线的曲率半径从所述基体的上表面沿着所述透镜部的最上方方向减小后增大。在本专利技术的一实施例中，可以是，当在穿过所述透镜部的中心的截面上，将依次布置的三个点的曲率半径设为第一曲率半径、第二曲率半径和第三曲率半径时，所述第二曲率半径小于所述第一曲率半径和所述第二曲率半径。在本专利技术的一实施例中，可以是，所述发光二极管提供于与在穿过所述透镜部的中心的截面上两侧的曲率半径最小的点之间对应的所述基板的面上。在本专利技术的一实施例中，可以是，所述发光二极管具有90度以上的指向角。在本专利技术的一实施例中，可以是，彼此相邻的两个发光二极管之间的间隔为500微米以下。在本专利技术的一实施例中，可以是所述发光二极管各自独立驱动，可以是各所述发光二极管为垂直型。在本专利技术的一实施例中，可以是，在从所述发光装置射出的光的轮廓中，谷值和峰值之差为10％以下。在本专利技术的一实施例中，可以是所述发光装置还包括：第一焊盘，提供于所述基板与各发光二极管之间；以及第二焊盘，提供于所述发光区域的周围，可以是所述发光二极管与所述第二焊盘引线焊接。在本专利技术的一实施例中，可以是，所述发光二极管射出紫外线。本专利技术的一实施例的发光装置可以采用于光照射器，光照射器包括多个发光装置，各发光装置包括：基板；发光二极管，在所述基板上提供多个所述发光二极管，并以矩阵形状排列所述发光二极管；以及窗口，提供于所述发光二极管上，并控制从所述发光二极管射出的光的路径。其中，可以是，所述窗口具有下方直径的70％以下的高度，以使得从所述发光二极管射出的光的指向角为90度以下。本专利技术的一实施例提供一种可靠性高的发光装置。本专利技术的一实施例还提供一种通过采用所述发光装置发出均匀光的光照射器。附图说明图1是示出本专利技术的一实施例的发光装置的立体图。图2是示出图1的发光装置的分解立体图。图3是示出图1的发光装置的俯视图。图4是沿着图3的I-I'线截取的截面图。图5是示意性示出本专利技术的一实施例的发光二极管的截面图。图6a是示出本专利技术的一实施例的发光装置中采用的窗口的立体图，图6b和图6c分别是沿着图6a的II-II'线截取的截面图。图7a和图7b分别是示出在现有发光装置中的窗口和采用其的发光装置的光轮廓的图。图8a和图8b分别是示出本专利技术的一实施例的窗口和采用其的发光装置的光轮廓的图。图9a至9c是示出采用在现有发光装置中的窗口的发光装置的发光模拟轮廓的图。图10a至10c分别是示出采用本专利技术的一实施例的窗口的发光装置的发光模拟轮廓的图。图11a至图11c是分别示出采用本专利技术的一实施例的窗口的发光装置的光轮廓的图，示出保持图8a中示出的窗口的整体形状且在顶点处的高度改变的情况的图。图12是示出本专利技术的一实施例的发光装置的立体图。具体实施方式本专利技术可以进行各种改变并且可以具有多种形式，将特定实施方式例示于附图并详细地说明于正文。但是，这并非旨在将本专利技术限定于特定的公开形式，应理解为包括包含于本专利技术的构思和技术范围的所有改变、等同物乃至替代物。以下，参照随附的附图对本专利技术的优选实施例进行更详细的说明。图1是示出本专利技术的一实施例的发光装置的立体图，图2是示出图1的发光装置的分解立体图，图3是示出图1的发光装置的俯视图，图4是沿着图3的I-I'线截取的截面图。参照图1至图4，本专利技术的一实施例的发光装置包括：基板110，形成发光装置的整体形状；多个发光二极管120，提供于基板110上并射出光；以及窗口190，提供于所述发光二极管120上，并控制从所述发光二极管120射出的光的路径。电连接的焊盘部可以提供于所述发光二极管120。用于与外部的其它器件电连接的端子部可以连接于焊盘部。此外，供来自发光二极管120的光透过的窗口190以及静电防止器件160等补充器件还提供于发光装置。基板110用于将一个以上发光二极管120安装于其上方。一个以上发光二极管120和用于将发光二极管120连接于外部电源、外部布线等的布线、例如焊盘部、端子部和/或连接器等可以提供于基板110。基板110可以具有各种形状。作为一例，基板110当平面观察时可以提供为大致正方形并且具有预定高度的板状。基板110当平面观察时可以提供为直角四边形，并且在这种情况下可以具有一对长边和一对短边。但是，基板110的形状或尺寸等不限于此。基板110的至少一部分可以由导电性材料形成。基板110可以由例如金属形成，并且可以使用铜、铁、镍、铬、铝、银、金、钛、它们的合金等作为所述金属。然而，基板110的材料不限于此，可以由非导电性材料形成，在由非导电性材料形成的情况下，导电体可以提供于上表面。可以使用陶瓷、树脂、玻璃或它们的复合材料(例如复合树脂或复合树脂与导电材料的混合剂)等作为非导电性材料。在基板110上可以还提供绝缘膜，下述的第一焊盘111和第二焊盘130或者多个第一焊盘111和多个第二焊盘130等可以提供于绝缘膜上。发光区域和非发光区域提供于基板110，发光区域通过布置发光二极管120而射出光，非发光区域作为发光区域以外的区域而不射出光。发光区域和非发光区域可以根据发光二极管120的有无和布置而不同，用于将发光二极管120电连接的导电焊盘(例如焊盘部、端子部)以及发挥其它各种功能的器件(例如静电防止器件160、温度测量器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：/n基板；/n发光二极管，在所述基板上提供为多个，并以矩阵形状排列；以及/n窗口，提供于所述发光二极管上，并提供为穹形而控制从所述发光二极管射出的光的路径，/n所述窗口具有下方直径的70％以下的高度，以使得从所述发光二极管射出的光的指向角会聚为90度以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180806 KR 10-2018-00911421.一种发光装置，包括：
基板；
发光二极管，在所述基板上提供为多个，并以矩阵形状排列；以及
窗口，提供于所述发光二极管上，并提供为穹形而控制从所述发光二极管射出的光的路径，
所述窗口具有下方直径的70％以下的高度，以使得从所述发光二极管射出的光的指向角会聚为90度以下。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述窗口包括：基体；以及透镜部，从所述基体的一表面凸出并在平面上观察时具有圆的形状，
当在垂直于所述基体的上表面且穿过所述基体上的所述圆的中心的截面上观察时，所述透镜部根据以所述圆的中心为基准从所述基体的上表面起的角度，具有与相邻的部分不同量的倾斜度变化量。


3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述透镜部根据以所述圆的中心为基准从所述基体的上表面起的角度，依次分为第1区域至第m区域时，在第n区域中的倾斜度变化量大于在第n-1区域中的倾斜度变化量及第n+1区域中的倾斜度变化量，其中，m为3以上的整数，1＜n＜m。


4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
当在穿过所述透镜部的中心的截面上观察时，形成所述透镜部的曲线的曲率半径从所述基体的上表面沿着所述透镜部的最上方方向减小后增大。


5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
当在穿过所述透镜部的中心的截面上，将依次布置的三个点的曲率半径设为第一曲率半径、第二曲率半径和第三曲率半径时，所述第二曲率半径小于所述第一曲率半径和所述第二曲率半径。


6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
所述发光二极管提供于与在穿过所述透镜部的中心的截面上两侧的曲率半径最小的点之间对应的所述基板的面上。


7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光二极管具有90度以上的指向角。


8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
彼此相邻的两个发光二极管之间的间隔为500微米以下。


9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光二极管各自独立驱动。


10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
各所述发光二极管为垂直型。


11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在从所述发光装置射出的光的轮廓中，谷值和峰值之差为10％以下。


12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴起延，朴浚镕，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR