显示基板、显示装置和制造显示基板的方法制造方法及图纸

提供具有多个子像素的显示基板。多个子像素中的相应一个包括发光元件；第一薄膜晶体管，被配置为驱动发光元件的发光；以及发光亮度值检测器。发光亮度值检测器包括第二薄膜晶体管；以及光传感器，其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值。所述显示基板还包括在所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层；光传感器位于硅有机玻璃层远离基底基板的一侧。

Display substrate, display device and method of manufacturing display substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板、显示装置和制造显示基板的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板、显示装置和制造显示基板的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光装置，并且不需要背光。与传统的液晶显示(LCD)装置相比，OLED显示装置还提供更鲜艳的颜色和更大的色域。此外，OLED显示装置可以比典型的LCD装置更柔性、更薄、更轻。OLED显示装置通常包括阳极、包括发光层的有机层和阴极。OLED可以是底发光型OLED或顶发光型OLED。
技术实现思路
在一个方面，本专利技术提供了一种显示基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的相应一个包括发光元件；第一薄膜晶体管，被配置为驱动发光元件的发光；以及发光亮度值检测器；其中，发光亮度值检测器包括第二薄膜晶体管；以及光传感器，其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值；其中，所述显示基板还包括位于所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层；光传感器位于硅有机玻璃层远离基底的一侧。可选地，所述显示基板还包括位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括多个子像素；/n其中，所述多个子像素中的相应一个包括：/n发光元件；/n第一薄膜晶体管，被配置为驱动所述发光元件的发光；以及/n发光亮度值检测器；/n其中，所述发光亮度值检测器包括：/n第二薄膜晶体管；以及/n光传感器，其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值；/n其中，所述显示基板还包括位于所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层；以及/n光传感器位于硅有机玻璃层远离基底基板的一侧。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示基板，包括多个子像素；
其中，所述多个子像素中的相应一个包括：
发光元件；
第一薄膜晶体管，被配置为驱动所述发光元件的发光；以及
发光亮度值检测器；
其中，所述发光亮度值检测器包括：
第二薄膜晶体管；以及
光传感器，其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值；
其中，所述显示基板还包括位于所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层；以及
光传感器位于硅有机玻璃层远离基底基板的一侧。


2.如权利要求1所述的显示基板，还包括在所述硅有机玻璃层远离所述基底基板一侧上的导电保护层；
其中，所述光传感器位于所述导电保护层远离所述硅有机玻璃层的一侧；
所述导电保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影；以及
所述导电保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第二薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。


3.如权利要求2所述的显示基板，其中，所述导电保护层包括第一导电保护块和第二导电保护块；
所述第一导电保护块在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影；以及
所述第二导电保护块在所述基底基板上的正投影覆盖所述第二薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。


4.如权利要求3所述的显示基板，其中，所述导电保护层还包括分别与所述第一导电保护块和第二导电保护块同层的第一连接电极和第二连接电极；
所述第一连接电极将所述第一薄膜晶体管的漏极与所述发光元件电连接；以及
所述第二连接电极将所述光传感器与所述第二薄膜晶体管的源极电连接。


5.如权利要求4所述的显示基板，其中，所述第二连接电极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述基底基板上的正投影。


6.如权利要求4所述的显示基板，还包括在所述硅有机玻璃层和所述导电保护层之间的第一钝化层；
其中，所述第一连接电极延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；以及
所述第二连接电极延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第二薄膜晶体管的源极。


7.如权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一导电保护块延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层，以连接到所述第一薄膜晶体管的栅极；以及
所述第二导电保护块延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第二薄膜晶体管的栅极。


8.如权利要求2至7中任一项所述的显示基板，还包括：
第二钝化层，位于所述光传感器和所述导电保护层远离所述基底基板的一侧上；
绝缘层，位于所述第二钝化层远离所述基底基板的一侧上；以及
发光元件的第一电极和偏置电压信号线，位于绝缘层的远离基底的一侧上；
其中，所述偏置电压信号线延伸穿过所述绝缘层和所述第二钝化层以连接到偏置电极；
所述偏置电极电性连接至光感测器；以及
所述发光元件的第一电极和所述偏置电压信号线在同一层中，并且由相同的基本透明的导电材料制成。


9.如权利要求1至8中任一项所述的显示基板，其中，所述第二薄膜晶体管的源极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述基底基板上的正投影。


10.如权利要求1至9中任一项所述的显示基板，其中，所述光传感器包括连接到所述偏置电极的第一极性区域、连接到所述第一薄膜晶体管的源极的第二极性区域、以及连接所述第一极性区域和所述第二极性区域的二极管结；以及
至少所述第二极性区域包括非晶硅。


11.如权利要求1至10中任一项所述的显示基板，还包括在子像素区中且在所述发光元件和所述硅有机玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，林奕呈，王玲，宋振，徐攀，张星，韩影，高展，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11