【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学装置
本专利技术涉及一种光学装置,尤其涉及一种光调制器。本专利技术还涉及一种用于对光信号进行调制的方法和一种用于监测调制光信号的方法。
技术介绍
光调制器是本领域中公知的。在许多应用中,特别是对于高速光通信系统,调制光波用于将数字信息从发送器携带到接收器。在许多这样的系统中,调制可以是相位调制和/或幅度调制。示例包括具有归零(RZ)或不归零(NRZ)光脉冲流格式的二进制幅度调制,以及相移键控调制技术,例如二进制相移键控(BPSK)和正交相移位键控(QPSK),以及正交幅度调制(QAM)技术,例如QAM8、QAM16和QAM64。在这些通信格式中的每一种通信格式中,调制光波将携带关于从预定的符号集中选出的一个或若干个符号的信息。为了实现对载波光波的这种调制,公知的是使用分光器来分离载波光波,并在分光器与组合器之间的不同光学路径发生相对相移之后,在组合器中对载波光波进行重组,形成马赫曾德尔干涉仪。例如,可以使用附加到一条或多条所述路径的电极来实现该相移,可以向每个所述电极施加可变电信号,使得路径波导材料的折射率发生改 ...
【技术保护点】
1.一种光干涉调制器,包括:/n用于待调制光的主输入;/n用于调制光的主输出;/n分光器,与所述主输入连接;/n各自的第一MMI(多模干涉)耦合器和第二MMI耦合器,每个耦合器包括:/n各自的第一初级端访问端口,与所述分光器连接;/n各自的第二初级端访问端口,与所述主输出连接;/n各自的第一次级端访问端口,与各自的初级波导连接;以及/n各自的第二次级端访问端口,与各自的次级波导连接;/n其中,所述调制器还包括光反射器,该光反射器被设置成将从所述初级波导和次级波导入射的光反射回到相同的相应波导中,以使从所述各自的第一MMI耦合器次级端访问端口或第二MMI耦合器次级端访问端口行 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170517 US 62/507,2841.一种光干涉调制器,包括:
用于待调制光的主输入;
用于调制光的主输出;
分光器,与所述主输入连接;
各自的第一MMI(多模干涉)耦合器和第二MMI耦合器,每个耦合器包括:
各自的第一初级端访问端口,与所述分光器连接;
各自的第二初级端访问端口,与所述主输出连接;
各自的第一次级端访问端口,与各自的初级波导连接;以及
各自的第二次级端访问端口,与各自的次级波导连接;
其中,所述调制器还包括光反射器,该光反射器被设置成将从所述初级波导和次级波导入射的光反射回到相同的相应波导中,以使从所述各自的第一MMI耦合器次级端访问端口或第二MMI耦合器次级端访问端口行进穿过所述波导的光在反射后,行进回至相同的第一MMI耦合器次级端访问端口或第二MMI耦合器次级端访问端口;
其中,对于所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器两者,所述各自的初级波导和次级波导中的至少一个包括各自的光相位调制装置,该光相位调制装置被设置成对沿所述波导在两个方向上行进的光的相位进行调制;以及
其中,所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器两者被设置以使与处于条状状态中的相比,在处于交叉状态中的初级端访问端口与次级端访问端口之间行进的光被赋予各自的不同的相移。
2.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,对于每个MMI耦合器,所述各自的初级波导和次级波导中的至少一个包括各自的固定相移装置,固定相移装置的组合被选择,以使至少在所述相位调制装置被设定以根据至少两个不同的预定的调制符号对通过输出波导输出的光进行调制时,在离开每个MMI耦合器的各自的第一初级端访问端口并在所述分光器中进行组合的光之间产生相消干涉。
3.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,对于至少一个MMI耦合器,光相移装置被设置在所述分光器与第一初级侧访问端口之间,并被设置成赋予α的相移,另一光相移装置被设置在第二初级侧访问端口与组合装置之间,该组合装置被设置成将来自所述第二初级侧访问端口和另一个MMI耦合器的所述第二初级侧访问端口的光进行组合,所述另一光相移装置被设置成赋予2π-α的相移,其中α是满足0≤α<2π的常数。
4.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述调制器是马赫曾德尔调制器,并且其中,所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器中的每个被设置成将从所述主输入入射的光分离到各自的不同的波导中,以及还被设置成对从这些不同的波导入射的反射光进行组合。
5.根据权利要求4所述的光干涉调制器,其中,所述第一MMI耦合器形成第一光干涉仪的分光器和组合器两者,所述第一光干涉仪被设置成控制所述待调制光的电磁场的实部,其中,所述第二MMI耦合器形成第二光干涉仪的分光器和组合器两者,所述第二光干涉仪被设置成控制所述待调制光的所述电磁场的虚部。
6.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器分别被设置成在经过所述MMI耦合器的交叉状态的发射光与在经过所述MMI耦合器的条状状态的光之间赋予π/2的相对相移。
7.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述调制器被设置成将离开所述第二初级端访问端口的反射光传输到第三MMI耦合器的不同的相应的次级端访问端口,所述第三MMI耦合器被设置成经由第三MMI的第一初级端访问端口将该反射光输出到所述主输出。
8.根据权利要求7所述的光干涉调制器,其中,所述调制器包括至少一个SOA(半导体光放大器),所述SOA被设置成对从所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器到所述第三MMI耦合器和/或所述第三MMI耦合器的下游的反射光进行放大。
9.根据权利要求8所述的光干涉调制器,其中,所述第三MMI耦合器还包括第二初级端访问端口,并且其中,所述调制器被设置成将来自所述第三MMI耦合器的所述第二初级端访问端口的反射光传输至包括在所述调制器中的光检测器,或者被设置成将该反射光提供到输出端口上。
10.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述调制器被设置成将经过所述反射器的光引导至光检测器。
11.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述主输入、所述主输出、所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器被设置在同一平面中,并且其中,所述调制器被设置成将离开所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器的所述各自的第二初级端访问端口的反射光,经由与被设置成将从所述主输入入射的光传输到所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器的波导交叉的波导,传输到所述主输出。
12.根据权利要求1所述的光干涉调制器,其中,所述主输出、所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器被设置在同一平面中,并且其中,所述调制器被设置成将离开所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器的所述各自的第二初级端访问端口的反射光,经由围绕被设置成将光从所述主输入传输到所述第一初级端访问端口的波导延伸并超过该波导的波导,传输到所述主输出。
13.根据权利要求12所述的光干涉调制器,其中,所述调制器包括半导体激光器,所述半导体激光器与所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器集成在同一光学芯片中,作为该光学芯片的一部分,并且所述半导体激光器被设置成向所述主输入提供所述待调制光,并且其中,所述激光器与所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器设置在同一平面上,并且所述激光器被设置在被设置成将光从第二初级端端口传输到所述主输出的所述波导之间,可替换地,所述激光器被设置成向光耦合装置提供所述待调制光,该光耦合装置被设置成将未到达与所述波导同一平面内的入射光引导到所述第一MMI耦合器和所述第二MMI耦合器,并且所述耦合装置被设置在第一波导与第二波导之间,所述第一波导和所述第二波导被设置成将来自各自的第二初级端访问端口的光传输到所述主输出。
14.根据权利要求1所述的光...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·亚当斯,E·鲁瓦利斯,J·韦斯特罗姆,M·齐恩吉尔,R·莱恩,C·丹特,
申请(专利权)人:菲尼萨瑞典有限责任公司,
类型:发明
国别省市:瑞典;SE
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