【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机发光二极管中的组合物
相关申请本申请主张2017年6月23日申请的美国临时专利申请第62/523,948号、2017年6月23日申请的美国临时专利申请第62/524,094号、2018年4月6日申请的美国临时专利申请第62/653,880号和2017年9月1日申请的日本专利申请第2017-168885的优先权。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)是其中将有机化合物膜配置于两个导体之间的发光二极管(LED),所述膜响应于例如电流的激发而发出光。OLED适用于显示器和照明中,如电视屏幕、计算机监视器、移动电话和平板计算机。OLED显示器中固有的问题是有机化合物有限的寿命。尤其,与绿色或红色OLED相比,发出蓝光的OLED以显著增加的速率劣化。OLED材料依赖于由主体传输材料中电子与空穴的重组而产生的分子激发态(激子)的辐射去活。激发的性质引起电子与空穴之间的相互作用,使激发态分裂成亮单重态(总自旋为0)和暗三重态(总自旋为1)。因为电子与空穴的重组而产生4种自旋状态(一个单重态子级和3个三重态子级)的统 ...
【技术保护点】
1.一种由下述通式(I)表示的化合物,/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170901 JP 2017-168885;20170623 US 62/523,948;2011.一种由下述通式(I)表示的化合物,
[化学式1]
通式(I)中,
R1、R2、R3、R4和R5独立地选自氢、氘、A、Ar和D,
R1、R2、R3、R4和R5中的仅一个是A,
R1、R2、R3、R4和R5中的至少一个是D,
A独立地选自下述通式,
[化学式2]
XA独立地选自O、S和NRA’,
RA独立地选自氢、氘、卤素、氰基、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的烷氧基、被取代或未被取代的芳基、被取代或未被取代的芳氧基、被取代或未被取代的杂芳基、被取代或未被取代的杂芳氧基和硅烷基,
两个或超过两个RA彼此之间可以形成环体系,
RA’独立地选自氢、氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基,
两个或超过两个RA’和RA彼此之间可以形成环体系,
D独立地选自下述通式,
[化学式3]
XD独立地选自O、S、NRD’、C(O)、被取代或未被取代的亚甲基、被取代或未被取代的乙烯基、被取代或未被取代的亚乙烯基、被取代或未被取代的邻亚芳基和被取代或未被取代的邻杂亚芳基,亚甲基、乙烯基、亚乙烯基、邻亚芳基或邻杂亚芳基中的每一个可以被独立地选自氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基中的一或多个取代基取代,
两个或超过两个XD彼此之间可以形成环体系,
RD独立地选自氢、氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的烷氧基、被取代或未被取代的氨基、被取代或未被取代的芳基、被取代或未被取代的芳氧基、被取代或未被取代的杂芳基、被取代或未被取代的杂芳氧基和硅烷基,
两个或超过两个RD彼此之间可以形成环体系,
RD’独立地选自氢、氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的氨基、被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基,
两个或超过两个RD’和RD彼此之间可以形成环体系,
LA和LD独立地选自单键、被取代或未被取代的亚芳基和被取代或未被取代的杂亚芳基,亚芳基和杂亚芳基中的每一个可以被独立地选自氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基中的一或多个取代基取代,两个或超过两个这些取代基彼此之间可以形成环体系,
Ar独立地选自被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基,所述被取代或未被取代的杂芳基不含有氮原子,芳基和杂芳基中的每一个可以被独立地选自氘、被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的芳基和被取代或未被取代的杂芳基中的一或多个取代基取代,两个或超过两个这些取代基彼此之间可以形成环体系,
每一个“*”表示与通式(I)的键结点。
2.根据权利要求1所述的化合物,其中,
烷基是C1到C20的烷基。
3.根据权利要求1所述的化合物,其中,
烷基是C1到C12的烷基。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物,其中,
芳基是C6到C40的芳基。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物,其中,
芳基是C6到C25的芳基。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的化合物,其中,
杂芳基是C2到C40的杂芳基。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的化合物,其中,
杂芳基是C2到C25的杂芳基。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的化合物,其中,
烷氧基是C1到C20的烷氧基。
9.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的化合物,其中,
烷氧基是C1到C12的烷氧基。
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的化合物,其中,
芳氧基是C6到C40的芳氧基。
11.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的化合物,其中,
芳氧基是C6到C25的芳氧基。
12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的化合物,其中,
杂芳氧基是C3到C40的杂芳氧基。
13.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的化合物,其中,
杂芳氧基是C3到C25的杂芳氧基。
14.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的化合物,其中,
R1是A。
15.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的化合物,其中,
R2是A。
16.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的化合物,其中,
R3是A。
17.根据权利要求1到16中任一权利要求所述的化合物,其中,
D由下述通式表示,
[化学式4]
18.根据权利要求1到16中任一权利要求所述的化合物,其中,
D由下述通式表示,
[化学式5]
19.根据权利要求1到16中任一权利要求所述的化合物,其中,
D由下述通式表示,
[化学式6]
20.根据权利要求1到19中任一权利要求所述的化合物,其中,
LA是单键。
21.根据权利要求1到20中任一权利要求所述的化合物,其中,
LD是单键。
22.根据权利要求1到21中任一权利要求所述的化合物,其中,
A选自下述通式,
[化学式7]
23.根据权利要求1到21中任一权利要求所述的化合物,其中,
A是下述通式,
[化学式8]
24.根据权利要求1到23中任一权利要求所述的化合物,其中,
当R2是A时,R1和R3两者都不是H。
25.根据权利要求1到23中任一权利要求所述的化合物,其中,
当R3是A时,R2和R4两者都不是H。
26.根据权利要求1到25中任一权利要求所述的化合物,其中,
R1到R5中的恰好4个不是H。
27.根据权利要求1到25中任一权利要求所述的化合物,其中,
R1...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·阿吉莱拉伊帕拉吉雷,R·戈麦斯博姆巴雷利,T·D·伊塞尔,能塚直人,铃木善丈,杨沑锡,郑硕贤,远藤礼隆,那须圭朗,曾秉权,
申请(专利权)人:九州有机光材股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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