一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机制造技术

本发明专利技术公开了一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，所述混合永磁转子围绕在所述转轴外侧，所述定子围绕在所述混合永磁转子外侧，所述电枢绕组设置在所述定子上，所述混合永磁转子的转子铁心上每一极设置有两个切向充磁的第二永磁体和一个径向充磁的第二永磁体，两个第一永磁体组成V字型永磁结构，所述V字型永磁结构底部靠近转轴，且与转轴之间留有辅助漏磁磁路，所述第二永磁体呈一字型，放置在转子铁心靠气隙侧，一端靠近本极的V字型永磁结构的开口处，另一端靠近相邻极的V字型永磁结构开口处。本发明专利技术拓扑结构简单，机械强度高，可以有效解决串联磁路结构记忆电机调磁范围过窄，所需调磁电流过高的问题。

An auxiliary flux leakage series magnetic circuit memory motor

【技术实现步骤摘要】
一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机
本专利技术涉及永磁记忆电机，尤其涉及一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机。
技术介绍
永磁同步电机(PermanentMagnetSynchronousMachine，PMSM)由于采用较高磁能积的传统稀土永磁材料(如钕铁硼)，具有高功率密度、高效率、运行可靠和强过载能力等优势，是电机学科的重要发展方向。传统永磁同步电机由于普通永磁材料(如钕铁硼)的固有特性，电机内的气隙磁场基本保持恒定，作为电动运行时调速范围十分有限，在诸如电动汽车，航空航天等宽调速直驱场合的应用受到一定限制，故以实现永磁电机气隙磁场的有效调节为目标的可调磁通永磁电机一直是电机研究领域的热点和难点。永磁记忆电机(以下简称“记忆电机”)是一种新型磁通可控型永磁电机，它采用低矫顽力铝镍钴永磁体，通过定子绕组或者直流脉冲绕组产生周向磁场，从而改变永磁体磁化强度，对气隙磁场进行调节，同时永磁体具有磁密水平能够被记忆的特点。传统拓扑结构的记忆电机由写极式电机发展而来，其转子由铝镍钴永磁体、非磁性夹层和转子铁心共同组成三明治结构。这种特殊结构能够随时实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，所述混合永磁转子围绕在所述转轴外侧，所述定子围绕在所述混合永磁转子外侧，所述电枢绕组设置在所述定子上，其特征在于：所述混合永磁转子的转子铁心上每一极设置有两个切向充磁的第一永磁体和一个径向充磁的第二永磁体，两个第一永磁体组成V字型永磁结构，所述V字型永磁结构底部靠近转轴，且与转轴之间留有辅助漏磁磁路，所述第二永磁体呈一字型，放置在转子铁心靠气隙侧，一端靠近本极的V字型永磁结构的开口处，另一端靠近相邻极的V字型永磁结构开口处。/n

【技术特征摘要】
1.一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，所述混合永磁转子围绕在所述转轴外侧，所述定子围绕在所述混合永磁转子外侧，所述电枢绕组设置在所述定子上，其特征在于：所述混合永磁转子的转子铁心上每一极设置有两个切向充磁的第一永磁体和一个径向充磁的第二永磁体，两个第一永磁体组成V字型永磁结构，所述V字型永磁结构底部靠近转轴，且与转轴之间留有辅助漏磁磁路，所述第二永磁体呈一字型，放置在转子铁心靠气隙侧，一端靠近本极的V字型永磁结构的开口处，另一端靠近相邻极的V字型永磁结构开口处。


2.根据权利要求1所述的辅助漏磁式串联磁路记忆电机，其特征在于：所述V字型永磁结构关于径向...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳辉，郑昊，林鹤云，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32